3D-NAND国产替代渐行渐近

21906ABC

5 Y: @5 B/ l: G/ l: Z- u

, w# O( g+ K# @& d0 V& Q+ }

D-NAND国产替代渐行渐近

. k% F! Z; e; M
1 E" _0 x8 n7 m) M4 l. Q
, f, g2 i6 A; A5 U1 d
$ e1 }0 ~8 j" A, A$ ]4 I1 C

/ b2 Q( d/ J9 Z4 L& H
/ o- Q% ^" X* S7 u. h
# o/ J2 {. ?5 X: J( S$ _3 _, \. i9 J
. J9 K0 W; ^+ s$ U/ y/ O7 H


6 S  E/ F3 S; F# m1 H
4 n% K5 f3 N( X$ K2 V+ F5 D
4 h( H/ Q0 N1 m2 u' R0 [7 v
/ f$ ^9 D. e- A* V$ S+ ]

  H& @( ^! h5 G" N: W

摘自今日半导体，若侵权联系删帖！
! D. F6 Y. o8 J$ `8 _, f

ononsiiii

闪速存储器种类众多，NAND Flash占据主要位置。
, M- C! e' K/ l+ M. k# o" m# t: o; `