请各位路过的大神帮我看看下面这个mos管开关电路

qpggup

用的NCE3401 Pmos管，我会自动S脚和D脚接错了，先不管这，就按照图中的接法，D到S是一直导通的，假设VIN输入12V时，Vbus不输入电压，理论上PMOS截止，12V从S到D应该是有一个二极管反向的，应该过不去电压，理论上VD=Vbus是0V，但是我量出来vbus是10V多一些，这是怎么回事。
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topwon

MOS管输出4.06V那段时间，应该是因为Vin比较高，MOS管的GS压差（VF1-VG1）没达到阈值，所以MOS管关闭，此时靠MOS管的体二极管维持输出，存在一定的导通压降和功率损耗。
当Vin低于1V后，MOS管导通（估计这个型号的MOS管Vgs阈值在-3V左右），这时就可以输出5V，MOS管上的损耗就基本没有了。

topwon

我觉得也许可以这样分析：Pmos管截止状态也存在DS漏电流，可以视为DS间有一个大电阻R1。Vs=12-0.3=11.7V。当你测量悬空的Vbus脚时，万用表也有一个到地大电阻R2，R1和R2分压，就得到10V多一点的电压了。你可以试着在Vbus到地之间加一个几十K的电阻，估计这个电压就降下来了。

xiaowenwu1989

没看明白，如果就这个电路图来说Vbus到vcc会一直有电，因为MOS管里的内部二极管
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Marios

MOS管内部的寄生二极管一直处于导通状态，控制管脚不管有没有电平都会被导通，现在这样，没有起到你想要的防反作用

龙幻

确定QX1的SD没有接反嘛

topwon

+ b. {) v0 w4 m2 d

xiaowenwu1989 发表于 2020-2-26 13:52
没看明白，如果就这个电路图来说Vbus到vcc会一直有电，因为MOS管里的内部二极管

2 u1 A" L) S( q/ P7 @" X这是一个低损耗（低导通压降）的防反接电路。PMOS的D接输入，S接输出。Vbus正接时（且Vin低于Vbus），DS通过寄生体二极管先导通，S得到高电平，GS产生负压，MOS管导通短路掉体二极管来降低其导通压降，实现减少损耗的目的。
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Vbus反接时，DS无法导通，不会对后级电路提供反向电压，起到保护作用。
/ w& q1 J; ]. i/ I4 r当Vbus正接而Vin逐渐上升，使得VGS电压低于导通阈值，MOS管关断，D1导通，DS体二极管也反向截止，此时由Vin取代Vbus向后级供电。

topwon

6 A1 W% `( z1 Q( s随便找了两个PMOS和肖特基管的模型搭了一下仿真电路，方便大家分析理解。VG1=Vin，VG2=Vbus
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topwon

回到楼主的问题，同样也仿真对比了一下，R2（D极到地阻抗）分别为1G欧姆和100K欧姆时，测量到的D极电压值。
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