|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。
, ]- D7 P' h8 f5 U最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。: u: o) `/ {& r9 y
) B$ M9 E4 G C* U9 Y7 W
低容量的特性，使得MRAM组件更适用于嵌入式系统，其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的DDR控制器。
7 L4 T. ]$ W5 `8 j O5 T8 Y/ g
4 Y8 C' m3 W$ c. L1 E6 |目前行业内已通过MRAM来部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了Flash Core模块，以及希捷在FMS2017上展示的原型。
/ E" `" u; L5 Q- y1 F: H" ^
4 n/ [/ b4 R& S
8 H1 F5 Q- O9 n, q- ~( z( J5 k4 {' j![]() 3 v; L2 d+ t3 d3 F$ W
# f$ |+ y4 b* C: S9 c1 x
当然我们并不指望mram专用存储设备可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）。毕竟市面上的混合型SSD，仍依赖于NAND闪存作为主要存储介质。
8 z$ L, m" v( ]7 T9 ?6 {1 t I- H n P* D+ u3 O0 u$ H9 {6 p
作为与格罗方德合作生产的第二款分立型MRAM器件，他们还在GloFo的22nmFD-SOI工艺路线图中嵌入了MRAM。4 S( D" ]& u" J: `. j, v! h% w
7 N! j$ p, v" V0 J/ {# j: y
鉴于该工厂取消了7nm和更低制程的计划，包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。
; X8 O* l; a# k3 `- B( y5 P5 ^& x1 k0 z( e' G, U. h9 s" M& P
|
|
/1 
发表于 2020-2-19 15:43
收藏
淘帖
支持！
反对！