关于SIWAVE仿真方法的探讨

Jancho

如下图示，电源DPS429_P14经过一继电器，再经过几个滤波电容，再到芯片的BALL上，仿真要求有两个：
1.整个链路DCR<50 mOhm,IR Difference<5mV；
2.R From Ball to cap (4.7UF) < 20 mOhm,L<3nH。
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0 n( q8 q' F) r1 T( d- {# g& d存在的疑问：
对于第一个全链路的要求，怎么去仿真，是分别仿继电器前和继电器后的DC，再加起来，还是有别的方法。
+ r  P/ w3 ?5 g- g" R" |对于第二个要求，是否是在CAP端设置一个VRM，BALL端设置一个SINK就可以了，然后仿此段DC情况？
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8 G9 j- ~) G  s8 j7 u/ e" b3 W9 v请各位亲们帮忙看看

11xiaohehe

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