单片机大容量FlashRAM的扩展

刘工在呢

摘要:介绍了新型闪速存储器FlashRAM 28SF040的特
) Q, f8 q* ^' v# i' W4 O$ Q+ c点和应用,给出了两片共计8Mbit的28SF040与80C196
& Z4 X8 j% O- `9 U6 ]! o4 F单片机分页寻址的扩展实例。
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5 i; O# K8 t3 d3 R# q8 G关键词: FlashRAM;存储器;单片机扩展

微机监控设备常常需要对监控的数据进行实时记
* p3 v- x( T4 |1 e" J  b; h录,以便于事后分析处理,为事故分析、设备故障诊断
和维修提供准确可信的信息，如飞机“黑匣子”列车
% n7 l7 `5 F: ]- l; C* N+ D“运行记录器”等。数据信息的记录需要大的数据容量
和实时快速的读写速度,以及在掉电和复位等干扰下.
的可靠的数据保护。现在一般采用非易失性的
NVRAM为存储介质,它的缺点是没有硬件和软件写保
护,在强干扰条件下,程序误写的概率大。
6 r. W' i+ D1 C2 b; d新型闪速存储器( FlashRAM)由于同时具有E-
PROM的可编程能力和EPROM的电可擦写功能，又
' ?4 A# ~  N! b4 Z0 }* m$ J0 s能像SRAM一样进行随机快速访问,因而越来越多地
* l- Z1 {! t. J受到国内外的广泛关注和应用。28SF040是一个容量
. V( r$ Z# w7 `% f7 X3 |9 m为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦
( `( p& r) [- ^1 b5 ]1 g0 |7 s除、编程电压均为5 V。
  s5 b+ J6 @2 A2 P+ \/ E$ H0 C5 W( k1 FlashRAM 28SF040的性能特点及技.
术参数
FlashRAM 28SF040引脚图见图1。其性能特点如
下:
①单电源5 V供电;
4 O; H- l* h8 Q5 q6 m②容量512Kx8 bit;
③数据保存时间大于10年;
④重复擦写次数典型值100 000次;
1 Y( w) l8 L7 F⑤可分块擦除每块256B;
⑥可进行硬件及软件写保护;
⑦快速读取时间150~ 200 ns;
) N  T1 w+ c: W  r, ?; s3 L⑧块擦除与字节编程:
字节编程时间
8 d. d, ]" h8 h/ O  O( D% c. z典型值30μs
  Y- @5 e# K  Y# J+ w块擦除时间
典型值2 ms
) @3 \# v2 k9 ~/ e全部字节重写时间典型值 20 s
( D, ~7 F8 [/ h8 Q典型读电流
% m# I. C1 \8 V6 d' L2 k/ k0 z典型值15 mA
, ]5 A7 Q) j9 X2 d' W* A$ x典型维持电流
& a/ F; b+ G# m, J$ z典型值5 μA
⑨封装形式: DIP32或PLCC32。
其引脚功能如下: A0~ A18为地址线, A0~A7选
择一块数据中的某个字节,A8~ A18是块地址。DQ7
0 P& y" U$ n  J. ~' ~  s1 F% A~ DQ0为数据输入输出总线,在读周期输出数据,在写
周期接收数据。CE 为片选线,当CE为低电平时,该.
芯片被选中。OE为输出使能端;WE为写信号使能
端。VCC为电源,接+5 V;VSS接地。

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28SF040是一个容量为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦除、编程电压均为5 V。