单片机大容量FlashRAM的扩展

刘工在呢

摘要:介绍了新型闪速存储器FlashRAM 28SF040的特
点和应用,给出了两片共计8Mbit的28SF040与80C196
8 p+ G/ r& S+ R( x单片机分页寻址的扩展实例。
! N8 [7 X3 [- \4 e/ R0 X5 Y
关键词: FlashRAM;存储器;单片机扩展

微机监控设备常常需要对监控的数据进行实时记
录,以便于事后分析处理,为事故分析、设备故障诊断
2 }$ g3 r- X* Y9 H  Z和维修提供准确可信的信息，如飞机“黑匣子”列车
“运行记录器”等。数据信息的记录需要大的数据容量
和实时快速的读写速度,以及在掉电和复位等干扰下.
' l& y& k# e5 \3 J的可靠的数据保护。现在一般采用非易失性的
8 s0 F4 W7 ?: a& E/ K' u' T3 M' vNVRAM为存储介质,它的缺点是没有硬件和软件写保
; ]* ?/ S& Q) o# p护,在强干扰条件下,程序误写的概率大。
新型闪速存储器( FlashRAM)由于同时具有E-
. ?% a" ?* y2 {PROM的可编程能力和EPROM的电可擦写功能，又
能像SRAM一样进行随机快速访问,因而越来越多地
4 e2 N5 `$ j% Q9 M6 ^& P受到国内外的广泛关注和应用。28SF040是一个容量
7 t+ D2 q( N# ^) I为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦
除、编程电压均为5 V。
; Q) {' W+ e0 r2 h0 X6 u# D1 FlashRAM 28SF040的性能特点及技.
& l5 c0 X  {/ b0 r& r术参数
FlashRAM 28SF040引脚图见图1。其性能特点如
) g- v8 [# X1 A  B- M+ g* ?下:
①单电源5 V供电;
) X* V2 k9 u. j②容量512Kx8 bit;
③数据保存时间大于10年;
* o; N$ A  D) d④重复擦写次数典型值100 000次;
( k+ b. d  Z0 T$ B3 c⑤可分块擦除每块256B;
⑥可进行硬件及软件写保护;
- o+ ~! e) k, z5 y8 a6 D8 Y⑦快速读取时间150~ 200 ns;
& V: D4 j# u! X1 u' z- n6 M⑧块擦除与字节编程:
$ i4 Y) L( {2 {3 h% A" \5 I/ t- u字节编程时间
+ D4 C" K; G9 J, E& Y+ M0 g典型值30μs
7 U- O5 ]& e/ Q% K" X; c块擦除时间
& _+ j- {+ I  f% Z9 W典型值2 ms
全部字节重写时间典型值 20 s
) f! i  O  \1 L' {. K) p典型读电流
典型值15 mA
典型维持电流
典型值5 μA
' C0 q$ W  q  H, p; }0 |⑨封装形式: DIP32或PLCC32。
+ u' o( @8 y* ]8 _4 h4 e其引脚功能如下: A0~ A18为地址线, A0~A7选
择一块数据中的某个字节,A8~ A18是块地址。DQ7
' ^& G. n$ ?1 F% U~ DQ0为数据输入输出总线,在读周期输出数据,在写
+ k/ I/ `, E( Y, t周期接收数据。CE 为片选线,当CE为低电平时,该.
芯片被选中。OE为输出使能端;WE为写信号使能
端。VCC为电源,接+5 V;VSS接地。
2 k8 l$ N; E" K# Q9 X
1 p- S8 Y& ?) P* y6 i' e' k
1 v2 X! \; x# h/ V
' Y- E  t$ u+ {' A) q3 F# L附加下载：

游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复

wiwiwisju

28SF040是一个容量为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦除、编程电压均为5 V。