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电源的三种常用电流检测方法(开关模式)

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发表于 2020-2-4 11:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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4 Z8 w1 k$ x" h! X1 u+ ?
开关电源电流检测技术在现在的各种检测设计中都有广泛的应用,许多的系统中都需要检测流入和流出的电流大小,检测电流大小能够避免器件出错。进行电路机理的保护,推荐了解一下“开关模式电源的电流检测技术”。
* x) U7 L* }$ u- ~: N! b$ Z开关电源-电流模式控制由于其高可靠性、环路补偿设计简单、负载分配功能简单可靠的特点,被广泛用于开关模式电源。
3 I5 n! D/ |% \6 b, E! Q7 [电流检测信号是电流模式开关模式电源设计的重要组成部分,它用于调节输出并提供过流保护。如下图中采用同步开关模式降压电源的电流检测电路。采用的IC控制器是一款具有逐周期限流功能的电流模式控制器件。检测电阻RS监测电流。" r7 d9 J; n+ D4 O* h8 G! ]
1 ]. h- E8 s9 L& l# u  T

8 ?0 Y( g* B$ j- T% H. @4 r
/ B) U9 c4 Z  w1 J% n开关模式电源电流检测电阻(RS)
, _: {- e- _  z* t2 H如下图显示了两种情况下电感电流的示波器波形:
* }# |' D* d7 R8 h$ p6 [第一种情况使用电感电流能够驱动的负载(红线),而在第二种情况下,输出短路(紫线)。, ~4 B" a; |6 K; R) k# i* Z

, h7 \' C7 {9 _5 W  C' D9 C 8 f- v% `" t: H/ G  C" r$ }

& `/ w# h3 ~; q应用凌特的电源ic限流与折返示例,在供电轨上测量示意图
  K9 h2 @* A6 S" K* R最初,峰值电感电流由选定的电感值、电源开关导通时间、电路的输入和输出电压以及负载电流设置(如图中用“1”表示)。当电路短路时,电感电流迅速上升,直至达到限流点,即 RS × IL (IL)等于最大电流检测电压,以保护器件和下游电路(如图中用“2”表示)。然后,内置电流折返限制(如图中数字“3”)进一步降低电感电流,以将热应力降至最低。  Y6 Z7 b; ^1 N6 g
电流检测还有其他作用。在多相电源设计中,利用它能实现精确均流。/ D; y% h$ [3 F- t( a  y+ x5 c* w
对于轻负载电源设计,它可以防止电流反向流动,从而提高效率(反向电流指反向流过电感的电流,即从输出到输入的电流,这在某些应用中可能不合需要,甚至具破坏性)。另外,当多相应用的负载较小时,电流检测可用来减少所需的相数,从而提高电路效率。对于需要电流源的负载,电流检测可将电源转换为恒流源,以用于LED驱动、电池充电和驱动激光器等等应用。
8 V0 ^' T7 q8 N0 {- @7 I检测电阻放哪最合适?
3 d9 g& e/ @3 R+ Y8 p$ O电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流。检测的电流包括峰值电感电流、谷值电感电流(连续导通模式下电感电流的最小值)和平均输出电流。检测电阻的位置会影响功率损耗、噪声计算以及检测电阻监控电路看到的共模电压。我们在BUCK降压低成本的LED背光应用中采用了平均值电流检测方法。
& h2 h7 v+ k1 J- C+ _+ ]/ _0 h7 h放置在降压调节器高端
7 c; ^' d1 \9 |3 W- D' Q对于降压调节器,电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时(如下图所示),它会在顶部MOSFET 导通时检测峰值电感电流,从而可用于峰值电流模式控制电源。但是,当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时,它不测量电感电流。6 F9 i4 \" ^2 n, L$ X
; s/ q0 ^: b6 y0 I6 a9 ^- \
2 y* e: G- [7 R* \) H

7 x: x; ]6 k0 K& O, y* g5 Y带高端RSENSE的降压转换器8 G7 d. Q, ]$ w0 L( ?/ f5 y$ J; E% a
在这种配置中,电流检测可能有很高的噪声,原因是顶部 MOSFET的导通边沿具有很强的开关电压振荡。为使这种影响最小,需要一个较长的电流比较器消隐时间(比较器忽略输入的时间)。这会限制最小开关导通时间,并且可能限制最小占空比(占空比 = VOUT/VIN)和最大转换器降压比。注意在高端配置中,电流信号可能位于非常大的共模电压(VIN)之上。
% b* w5 v0 S7 j$ c' s% ~放置在降压调节器低端
; i+ h' W  Q2 T如下图中,检测电阻位于底部MOSFET下方。在这种配置中,它检测谷值模式电流。为了进一步降低功率损耗并节省元件成本,底部MOS-RDS(ON)可用来检测电流,而可以不必使用外部电流检测电阻RSENSE。
: _* J. |0 s8 c8 _- A4 v. Q! o: @3 z' @* T& M2 ]

; r7 b7 n" @$ G8 s
4 H# Y# j' I8 f带低端RSENSE的降压转换器
& l$ o4 Z; r+ \这种配置通常用于谷值模式控制的电源。它对噪声可能也很敏感,但在这种情况下,它在占空比较大时很敏感。谷值模式控制的降压转换器支持高降压比,但由于其开关导通时间是固定/受控的,故最大占空比有限。
3 D4 k$ k9 X) z3 |$ Z) v( E0 f降压调节器与电感串联/ H( q8 G* v8 a; N
如下图中,电流检测电阻RSENSE与电感串联,因此可以检测连续电感电流,此电流可用于监测平均电流以及峰值或谷值电流。所以,此配置支持峰值、谷值或平均电流模式控制。
. T9 \- D) \# e- z
0 R& m: B6 h/ U( _  [8 M/ k- A! H1 Q# H" \1 q8 A7 i
RSENSE与电感串联& ~5 k$ R8 _+ F6 A
这种检测方法可提供最佳的信噪比性能。外部RSENSE通常可提供非常准确的电流检测信号,以实现精确的限流和均流。但是,RSENSE也会引起额外的功率损耗和元件成本。为了减少功率损耗和成本,可以利用电感线圈直流电阻(DCR)检测电流,而不使用外部RSENSE。4 A) \! n" m) u, d+ m, }# g
放置在升压和反相调节器的高端
& O  ]6 d. a: W/ M对于升压调节器,检测电阻可以与电感串联,以提供高端检测(如下图)。8 I0 n9 z/ [* ?# s7 D& \" _

2 z1 L6 S5 s! |
0 Z$ H. l/ P7 V+ Z& R3 y0 e$ f9 d+ T
带高端RSENSE的升压转换器9 x' t7 E3 g' H  o+ l; T& e
升压转换器具有连续输入电流,因此会产生三角波形并持续监测电流。
" ]7 r" B* H9 j6 c放置在升压和反相调节器的低端
+ w) ?( d) I6 B1 c- j8 I0 X  O检测电阻也可以放在底部MOSFET的低端,如下图所示。0 M" N: t. a2 ]4 f
此处监测峰值开关电流(也是峰值电感电流),每半个周期产生一个电流波形。MOSFET开关切换导致电流信号具有很强的开关噪声。低成本的BOOST变换器基本都采用这种方法,在LED背光控制中应用最为典型。1 O  ~' b7 _& J- y, J# j9 I* W! N

2 n9 `! T  v) H. c% i& F6 c( r 4 Y# [+ Q6 ~7 N, ]  }  B: X# F; W

7 i8 b; Q& y% m3 F. s带低端RSENSE的升压转换器+ r) u3 Z; E4 t/ t" |! Q& g
SENSE电阻放置在升降压转换器低端或与电感串联
4 _  S$ o+ G( R6 J7 `如下图显示了一个4开关升降压转换器,其检测电阻位于低端。当输入电压远高于输出电压时,转换器工作在降压模式;当输入电压远低于输出电压时,转换器工作在升压模式。在此电路中,检测电阻位于4开关H桥配置的底部。器件的模式(降压模式或升压模式)决定了监测的电流。2 N- }3 t, I# o9 j" ^, s6 w: c) ]

! R9 o* ?: p9 u/ Q7 d0 O- F
& r( h5 [' S8 n, T4 i/ X! C6 |# e- p4 E7 q5 a- M1 y% y$ g9 V! ?* y5 ?: U
带低端RSENSE的升压转换器
# P$ P; ?% m1 s( r6 W在降压模式下(开关D一直导通,开关C一直关断),检测电阻监测底部开关B电流,电源用作谷值电流模式降压转换器。) E" s) r' s' C& o. A; `3 H
在升压模式下(开关A一直导通,开关B一直关断),检测电阻与底部MOSFET (C)串联,并在电感电流上升时测量峰值电流。在这种模式下,由于不监测谷值电感电流,因此当电源处于轻负载状态时,很难检测负电感电流。负电感电流意味着电能从输出端传回输入端,但由于这种传输会有损耗,故效率会受损。对于电池供电系统等应用,轻负载效率很重要,这种电流检测方法不合需要。" W- T/ N; e7 X, v0 ~) Q( L1 a
如下图的电路解决了这个问题,其将检测电阻与电感串联,从而在降压和升压模式下均能连续测量电感电流信号。由于电流检测 RSENSE连接到具有高开关噪声的SW1节点,因此需要精心设计控制器IC,使内部电流比较器有足够长的消隐时间。
% g9 Q6 l6 R+ _: M2 i$ n+ O$ J- g5 U% N! E9 F' B8 @" S3 W

- N; |6 }% g8 G4 A4 Q1 ~/ G
# B# L6 W5 a5 A0 G7 R# a升降压转换器,RSENSE与电感串联0 H+ J; }/ `/ W4 R) U' h# O/ b
输入端也可以添加额外的检测电阻,以实现输入限流;或者添加在输出端,用于电池充电或驱动LED等恒定输出电流应用。这种情况下需要平均输入或输出电流信号,因此可在电流检测路径中增加一个强RC滤波器,以减少电流检测噪声。% R& A1 K( {9 V! L) m/ c
电流检测方法使用说明, v1 _" O3 C# q4 }% Z- J' y
开关模式电源有三种常用电流检测方法是:2 T" W9 q  v$ u( b; \( U9 F
使用检测电阻,; I2 i( J* x4 M/ ]
使用MOSFET RDS(ON),
$ [* b: ?+ ^; d  g以及使用电感的直流电阻(DCR)。
/ I8 J5 F8 v6 [& u  i! n7 w" K& A0 Y每种方法都有优点和缺点,选择检测方法时应予以考虑。4 G3 r4 m4 q1 y
检测电阻电流传感
  S, V; d, @5 W作为电流检测元件的检测电阻,产生的检测误差最低(通常在1%和5%之间),温度系数也非常低,约为100ppm/°C (0.01%)。在性能方面,它提供精度最高的电源,有助于实现极为精确的电源限流功能,并且在多个电源并联时,还有利于实现精密均流。
7 Q9 V6 ~* _( r5 X0 S# V9 m8 G1 W$ d+ m4 J

6 y  U! f# i. I5 n" Q1 |
" z+ M9 R& g1 L) J0 u2 bRSENSE电流检测
' E7 n7 c" f/ b另一方面,因为电源设计中增加了电流检测电阻,所以电阻也会产生额外的功耗。因此,与其他检测技术相比,检测电阻电流监测技术可能有更高的功耗,导致解决方案整体效率有所下降。专用电流检测电阻也可能增加解决方案成本,虽然一个检测电阻的成本通常在0.05美元至0.20美元之间。+ ?& z( v2 ]: W6 z3 T3 ^
选择检测电阻时不应忽略的另一个参数是其寄生电感(也称为有效串联电感或ESL)。检测电阻可以用一个电阻与一个有限电感串联来正确模拟。6 e; o5 J/ ~4 _  H7 `; e3 p
  o8 v+ H' P. h
: o1 z0 q/ ~/ M9 l2 W
. Z% P' A$ @; j" m
RSENSE ESL模型
  z+ X4 S: X: S9 U2 n, {$ v此电感取决于所选的特定检测电阻。某些类型的电流检测电阻,例如金属板电阻,具有较低的ESL,应优先使用。相比之下,绕线检测电阻由于其封装结构而具有较高的ESL,应避免使用。" ~$ f( H7 b+ q4 I4 L
一般来说,ESL效应会随着电流的增加、检测信号幅度的减小以及布局不合理而变得更加明显。4 |9 K' s5 N8 Y1 j, n- ?4 T
电路的总电感还包括由元件引线和其他电路元件引起的寄生电感。电路的总电感也受到布局的影响,因此必须妥善考虑元件的布局,不恰当的布局可能影响稳定性并加剧现有电路设计问题。
% V. K- q% `- G- f& P8 v, d检测电阻ESL的影响可能很轻微,也可能很严重。ESL会导致开关栅极驱动器发生明显振荡,从而对开关导通产生不利影响。它还会增加电流检测信号的纹波,导致波形中出现电压阶跃,而不是预期的如下图所示的锯齿波形。这会降低电流检测精度。: g. F" h8 f; X8 e5 y  \0 W

0 `& d, a% e+ S' u1 _# R/ A( ^/ q / j+ c/ A$ p9 O" q2 n, `
6 k! q$ b1 _3 ]
RSENSE ESL可能会对电流检测产生不利影响% J7 B  A5 \  u& S- G1 ?: }  p
为使电阻ESL最小,应避免使用具有长环路(如绕线电阻)或长引线(如厚膜插件电阻)的检测电阻。薄型表面贴装器件是首选,例子包括板结构SMD尺寸0805、1206、2010和2512,更好的选择包括倒几何SMD尺寸0612和1225。$ K1 P8 ]! \% H' L1 ]8 h
基于功率MOSFET的电流检测
/ D: V& ]4 ^! K8 L7 h/ L/ V利用MOSFET RDS(ON)进行电流检测,可以实现简单且经济高效的电流检测。如下是一款采用这种方法的器件。它使用恒定导通时间谷值模式电流检测架构。顶部开关导通固定的时间,此后底部开关导通,其RDS压降用于检测电流谷值或电流下限。PI的内置MOS的FLY结构也才用类似的方法。% Q% V; C' H4 [+ e9 q

/ Y1 p( m2 h. ~6 d 4 ?3 |6 q, x( s

- N/ P+ V+ R; qMOS-RDS(ON)电流检测. z( R, X1 e+ X3 g
虽然价格低廉,但这种方法有一些缺点。首先,其精度不高, RDS(ON)值可能在很大的范围内变化(大约33%或更多)。其温度系数可能也非常大,在100°C以上时甚至会超过80%。另外,如果使用外部MOSFET,则必须考虑MOSFET寄生封装电感。这种类型的检测不建议用于电流非常高的情况,特别是不适合多相电路,此类电路需要良好的相位均流。PI的小功率电源中已有使用。
& N- s# o( a' i& d+ b5 l; k电感DCR电流检测' R7 o" O# f  Y2 Z
电感直流电阻电流检测采用电感绕组的寄生电阻来测量电流,从而无需检测电阻。这样可降低元件成本,提高电源效率。与MOS-RDS(ON)相比,铜线绕组的电感DCR的器件间偏差通常较小,不过仍然会随温度而变化。它在低输出电压应用中受到青睐,因为检测电阻上的任何压降都代表输出电压的一个相当大部分。将一个RC网络与电感和寄生电阻的串联组合并联,检测电压在电容C1上测量(如下图所示)。
/ U: r; _, A! s4 \2 y0 q
8 y/ v( W6 |1 c4 w8 V& M1 h
! h6 S% J4 n1 O$ T/ V
1 w0 X+ Z& Y5 P* ?电感DCR电流检测. @' p7 ?1 p% ?' g/ r) S
通过选择适当的元件(R1×C1 = L/DCR),电容C1两端的电压将与电感电流成正比。为了最大限度地减少测量误差和噪声,最好选择较低的R1值。) F# H- w/ l3 ^( w+ r# I4 _
电路不直接测量电感电流,因此无法检测电感饱和。推荐使用软饱和的电感,如铁粉芯电感。与同等铁芯电感相比,此类电感的磁芯损耗通常较高。与RSENSE方法相比,电感DCR检测不存在检测电阻的功率损耗,但可能会增加电感的磁芯损耗。
! F. V/ j2 G: U+ v! C: o使用RSENSE和DCR两种检测方法时,由于检测信号较小,故均需要开尔文检测。必须让开尔文检测痕迹(电路中的SENSE+和 SENSE-)远离高噪声覆铜区和其他信号痕迹,以将噪声提取降至最低,这点很重要。
" k  _2 y& t3 D. q某些器件具有温度补偿DCR检测功能,可提高整个温度范围内的精度。
7 C8 a$ F8 T7 Z9 }! L0 I! G0 E如下表总结:电流检测方法的优缺点% T1 m, G' P8 S4 x  I
% c6 A$ L& D6 b

* i, D' P5 i) f, E/ o/ x* g+ |
! _8 ?& G# f( X% P4 ?; c在表中提到的每种方法都为开关模式电源提供额外的保护。
2 n# V& v( }( \, l取决于设计要求,精度、效率、热应力、保护和瞬态性能方面的权衡都可能影响选择过程。电源设计人员需要审慎选择电流检测方法和功率电感,并正确设计电流检测网络。$ o% ?# [) U) _; d
其他电流检测方法
6 }, @2 X6 h& O& H: R( o6 P) B还有其他电流检测方法可供使用。例如,电流检测互感器常常与隔离电源一起使用,以跨越隔离栅对电流信号信息提供保护。这种方法通常比上述三种技术更昂贵。此外,近年来集成栅极驱动器(DrMOS)和电流检测的新型功率MOSFET也已出现,但到目前为止,还没有足够的数据来推断DrMOS在检测信号的精度和质量方面表现状况。
# C1 r/ E$ b; r. O

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发表于 2020-2-4 18:43 | 只看该作者
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