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摘要基于锁相技术,提出了一种可行的差分电容测试方法。介绍了通过硬件和软件设计,利用数字锁相放大器model/ n% W- C3 V& }* x0 h; n. K4 z
7225,8051单片机单元等实现电容电压特性(c—y)仪器的自动化测试。实验结果表明,该仪器具有较高的测试性能,灵敏度和
& F% h, J0 [8 c |# ]; h信噪比都达到进口成型仪器的水平,并可进行绝对测量和相对测量。7 ?/ y5 ?/ m) g9 r" Q2 [
电容电压(C—y)特性是研究半导体界面特性的
' k6 G% c% J! G一种重要方法,已被广泛应用于MIS、MOS、p-n结、
3 K2 N4 a1 r7 Y2 N6 d: C+ Q7 I9 M3 R d异质结等器件的界面特性研究,c—y特性不仅可以& d4 f$ n- ?/ Y2 ]) _$ y9 U
提示半导体中的掺杂、补偿、载流子寿命及表面态、4 e9 N* B% a1 X, E0 Z+ W* p- f
固定电荷、可动电荷等材料和器件参数,还有助于
0 x6 p3 s1 @3 P) a* ~深入研究深能级、共振缺陷态、反型层子能带结构# f7 }$ J& V9 |. N. z
等问题⋯。
3 m: z1 \% l, C3 K; p由于半导体器件结构的电容通常都在pF量
9 w! J/ z& j/ j" Y1 U+ J' d+ D8 Y" p级,属于微小电容,要求测试系统具有较高的信噪7 R" `& z7 G1 {
比,较强的抗干扰能力和较稳定的工作条件,并需
" W, f& f- N0 l( `要保证高的灵敏度和分辨率。此外实现C—y特性测
3 K n+ N& p) X8 c- ^; u- I- M) s9 [- u量需要电压的连续扫描,传统的震荡法、电桥法、充( n; G0 d: v# l; b# H
放电法和Q表法等不能满足测试要求,需开发专用
/ G$ i: j- l, {, j2 J测试仪口J o( G% a& i) ~. f. \% D
国内目前的C—y测量主要是采用高频测试信号
" N% x$ `( S& Y: B和分立元件电路,灵敏度和分辨率较低,且只能实
, {# C* \. F7 j* |# w现绝对电容测量。本测试仪针对c-v特性的研究需
" M3 ?% ^+ t* [求,利用交流差分桥式电路的原理,基于锁相放大) Z* |. k" c* k- J3 F
技术,并以单片机为控制核心,研制了一套高性能9 n: X; \5 V* E' ?# R
的C—y特性测试仪,锁相技术可保证在较低频率下
, j: U- Z3 v: ^/ N, `) [2 Z; O% m d6 c2 L: ^- w
的精确测试,可实现G.y和G—y(电导电压)特性的
- l7 q2 c3 r# Y# i. ]& h% d/ e绝对测量和相对测量。
( U$ T4 d' d( b- i- P* j1测试仪工作原理: \6 q* d% a9 @9 g
如图1所示,本系统测试原理基于交流差分桥
" F, b4 [8 b" R% r式电路,桥臂分别由两个电容与两个电阻构成,在
3 A9 H5 h& B' M: D: KC、D间加入直流和交流激励信号,A、B间输出测量0 i5 ]% O- ~# ?7 p' G0 c9 w) Y
信号,接人后续信号处理系统。
* _4 Y7 c7 Y# E: z# f0 k) v6 r图1中,C,为一标准数字电容,用于标定相对, k; l6 N, K2 o0 E% Q3 K$ }
零点和实现相对测量;G为被测样品的电容值。尺。
/ l9 ]- Q# w6 B/ Y* |: l0 z=R:,均为多级可调电阻,实现多级阻抗匹配。CD
. g( f \* {8 M1 m2 _间交流电压U。=uosin2-tRFi,频率,和幅度%由交
' y2 \! {5 \1 {3 A0 n+ R流信号源控制,直流电压U2即加载在电容两端的扫
8 i; [' ~# b0 A+ \* {: H6 X* d描电压,为直流电压信号源控制。AB间电压为输* n. H# h$ _- ?
. |: J: N8 S+ K' C/ {" Y8 m附件下载:
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