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另外加上TX天线在896Mhz处的频偏所导致的衰减吗？
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& H$ L7 A ^9 j: m/ S! z何老师：在这么近的距离内，直接用3D仿真或者实际测试，是最准确的。
自由空间的损耗公式，动不动就是KM数量级的距离。所以这种公式能否用于这么近的场合？至少在近场区范围内是不能用这个自由空间损耗公式吧。
天线方向图是远场方向图，是真正的平面波。天线方向图就是所谓的无穷远处（至少比天线辐射体尺寸大得多的远处）的场强分布。远场方向图是不能适用于这么近的距离的。
3D电磁场HFSS仿真两个天线端口的S参数一一隔离度。
- ~2 q0 Q- E- V! y, a: }% `网友：另外这个120mm距离，1GHZ是差不多四分之一波长到二分之一波长之间，是属于近场还是远场呢？
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何老师：那当然是近场了
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网友：看教材区分远经场是以四分之波长了。
5 A; V) B* ^! p# K# A何老师：近场有两种定义，你说的是耦合近场区，我说的是辐射近场区。
3 M c% t- L# R" U& R, z5 L3 C. n网友：将两个天线放入一个空气盒子里，然后仿真两个天线激励端口的S21吗？
- m3 \0 ?% z: ^4 w何老师：是
$ O+ [4 _0 _/ \0 ]2 [( ]. @; r网友：好的，辐射近场边界是多少波长为准呢？
7 M6 p, I8 @& t# J何老师：EDA365网站上有相关文档，可以查到近场公式
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网友：好的，谢谢老师
: J/ C b! z7 v9 d, T; r何老师：不用谢，分享一篇EDA365电子论坛的帖子，讲清楚了近场和远场概念？
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2 ~% ]" Z$ _6 ], t2 W6 P3 d& u' k* F3 n天线周围的空间电磁场根据特性的不同又可划分为三个不同的区域：(a)感应近场，(b)辐射近场，(c)辐射远场，它们的区分依靠离开天线的不同距离来限定。
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在这些场区交界的距离处电磁场的结构并无突变发生，但总体上来看，三个区域的电磁场特性是互不相同的。尽管有各种准则来区分三者的边界，但这些准则并不是唯一的，我们需要了解的是相互之间的本质区别：
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感应近场区：
指最靠近天线的区域。在此区域内，由于感应场分量占主导地位，其电场和磁场的时间相位差为90度，电磁场的能量是震荡的，不产生辐射。
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辐射近场区：
辐射近场区介乎于感应近场区与辐射远场区之间。在此区域内，与距离的一次方、平方、立方成反比的场分量都占据一定的比例，场的角分布(即天线方向图)与离开天线的距离有关，也就是说，在不同的距离上计算出的天线方向图是有差别的。
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辐射远场区：
辐射近场区之外就是辐射远场区，它是天线实际使用的区域。在此区域，场的幅度与离开天线的距离成反比，且场的角分布(即天线方向图)与离开天线的距离无关，天线方向图的主瓣、副瓣和零点都已形成。
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在实际使用中，最感兴趣的是辐射远场区。通常的应用中，我们应该避免收、发天线处在近场区范围。
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因为此时不但天线的方向图没有形成，而且在近场范围内的任何导电体甚至介质物体都被看成是天线电磁边界条件的一部分，它影响了原来的天线，和原来的天线一起共同修正和改变了远场的方向图辐射特性，从而影响了实际使用效果。
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一般我们区分辐射近场和远场按公式区分， 离开天线中心区域的距离 r=2D2/λ 。D为天线尺寸，λ为波长。
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当r>2D2/λ 时，该点位于天线远场区；当r<2D2/λ时，该点位于天线近场区。
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, A) t# q6 r l% w（一张截图深入说明）
/ } u0 Y( e2 y, ]" S/ X暗室有很多种，我们射频天线用的叫微波暗室，电磁波在暗室里是不会有反射的。
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专门用于天线测试的叫天线测试暗室，标准的天线暗室是进行天线远场测试的，这类暗室通常都比较大。
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为了解决暗室太大，造价太高的问题，现在也有很多做近场天线测试的暗室，通过测试近场场强来计算远场场强，只是这样测出来的结果实际是有一定误差的，取点越少误差越大。
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注：本文为EDA365电子论坛原创文章，未经允许，不得转载。
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发表于 2020-1-10 18:23
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