制造商Advanced Semiconductor, Inc. 产品种类射频(RF)双极晶体管 RoHS符合 晶体管类型Bipolar Power 技术Si 晶体管极性NPN 直流集电极/Base Gain hfe Min10 集电极—发射极最大电压 VCEO18 V 发射极 - 基极电压 VEBO4 V 集电极连续电流1.5 A 最小工作温度- 65 C 最大工作温度+ 150 C 配置Single 安装风格Screw Mount 封装 / 箱体SOT-123 封装Tray 工作频率175 MHz 类型RF Bipolar Power 商标Advanced Semiconductor, Inc. 增益带宽产品fT950 MHz 最大直流电集电极电流4 A Pd-功率耗散20 W 产品类型RF Bipolar Transistors 子类别Transistors+ A2 Q) o9 u( _, M' _/ Q* m
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