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Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片
; B O) E: d/ v* w6 G0 ?: d; F Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。
w9 C* W) m- ] | 当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2E的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。1 I. d4 w2 y8 S3 H, C( R4 e5 M$ {
R" r' Z! ~, j0 V1 E- X$ t Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部mcu，可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为128次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。- \/ Z' T- [" {% g: v
# m) D- S8 [; l) o% P Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。! l8 t% a' v; |, C# W8 M
. {- A5 N+ U5 ]! j$ t! [% M0 {, L' u Si24R2E具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。! ?* w8 `$ \& e3 K: Z6 L7 }
主要特性% s1 t9 B' N' c* N. T# I8 [, H
" G8 E, P& N' n" Q' G3 r# ]: R
内置128次可编程NVM存储器2 n" F5 X' E7 g
$ G) |3 c q- [1 X2 D6 k
3.3V编程电压6 d2 l5 Q# x2 O! P" ]: m
4 P2 K! \2 {0 b) W
/ O$ b1 i, E; n( I 超低功耗自动发射功能" B* } w* `8 @9 I* s/ A: I
6 S( m. H" D; u 内置硬件Watchdog1 t- w( k& o1 q& Q( H) y+ q/ i
5 Y1 w" \* I8 G, {$ n* l3 M6 u. S0 G . b P4 G5 B' {/ h# d9 w
内置3KHZ RCOSC9 S) J+ Q) _# S* V+ M5 i, ?* Y1 n
$ }$ z( i! R$ }- [
内置低电压自动报警功能3 k2 c" Y9 u* t1 ^# D
; c! `+ L' u2 A/ j8 ~% h 3 u) T9 t6 @/ }6 C; Y
超低关断功耗：0.7uA
0 ^0 |1 d: a3 D; K) z
5 `) h2 X* S, k# B1 @; m6 K" x3 ? 宽电源电压范围：1.9-3.6V
+ i- u$ ?, M' i: P& M + O, [7 W& ^, u
: p% s! ` Q# h 超低待机功耗：<15uA
9 p, c. ~! w8 J# Q $ K% b! | y' Q, Y3 d7 B
数字IO电压:3.3V/5V! h4 c; ~ p% G* }, }1 ^% s
/ u* p- f" j3 X0 H* o" `3 R5 [
B3 B4 B6 u1 x1 z: E3 {3 C8 a 发射电流（2Mbps）:13.5mA（0dBm）$ S" r7 o. @) Q" S
) R2 N; i# m, O. N( Y 内部集成高PSRR LDO
; a1 j. y* v4 [ + C' r% m+ j& @
% S; U6 `; C$ n/ J D' @. N3 N
最高发射功率：7dBm （23mA）2 m! D( Y5 U0 ~ d+ c; z
" F# C. m& z" n! n 10MHz四线SPI模块& `" \# S8 s" B2 K: ~0 `
* R9 Z' Y, D) x" X, B) N
1 q2 ?2 Z6 P9 }3 V, O, ?$ s2 t 调制方式：GFSK/FSK( @* _ F( Q$ {8 J1 r' ^; E9 ~
8 d7 X4 d7 _9 V* T4 h
收发数据硬件中断输出, f" U, F8 C3 P; ~: L0 ?
& j- W2 ^$ C3 h; o/ C' c5 F
9 C' [' I i F4 n3 v' s' V- e! e( o 数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps) R& V3 g* n p) _% f$ T$ f* U: Y
/ E8 }$ E) h: R9 X! u! r% t6 a 完全兼容Si24R2; q. U$ o8 B( h5 k# y
, Z& P! M, X4 z! p" d: P1 S
9 b) R, t1 U1 x, o0 q( M 快速启动时间：<130uS9 f7 _0 [. ~# A4 v! W8 q9 t
" L* I: ~4 ^/ l( R" h' E5 `
完全兼容Si24R1发射功能5 M( T# p3 v7 H; R( Q& _3 o% D9 w
1 F4 Z5 P/ p7 @4 j3 _' D
# Y1 f( E! O/ ]2 O7 ?" X+ k 低成本晶振：16MHz±60ppm; h; ~- t9 |2 g6 d1 B
+ z# j1 s, [$ I2 U; |$ s9 X: d
QFN20封装或COB封装 目前这款对这款芯片有点小心得，项目也开始启动量产，我将这个芯片的数据手册以及案例发上来，给大家参考，同时欢迎各路大佬给建议或者交流。1 E1 f% z, F& R, M! l8 k
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发表于 2019-12-26 10:21
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