请教各位大大,图中的排阻作用

fenqinyao · 发表于 2008-4-22 18:39

原帖由 libsuo 于 2008-4-22 17:25 发表 3 S( G; q+ P& U7 I( t# ^
高速总线阻抗匹配用的，降低信号反射。
# ?; m+ {+ c) h8 @: O$ B2 W一般器件的输出端口输出阻抗比较低，所以为了匹配传输线的特性阻抗，在源端采用串联匹配的方式，通过一个串联小电阻使得总的输出阻抗与传输线阻抗匹配。5 C3 x2 T9 p+ n: j
大多数情况下使用33 ...

楼上兄弟说得有理，应该是这样子的，这个值一般都是芯片开发公司给出来的值。

kljy911 · 发表于 2008-4-30 17:37

IC设计的时候跑仿真挂的电阻,所以datasheet上说要配一个;我一直整不明白既然一定需要为什么不做在芯片里面呢???

infotech · 发表于 2008-5-1 09:07

原帖由 kljy911 于 2008-4-30 17:37 发表 & ~2 ^4 s) l6 `5 H( K% }
IC设计的时候跑仿真挂的电阻,所以datasheet上说要配一个;我一直整不明白既然一定需要为什么不做在芯片里面呢???

电阻作在芯片里是很占面积的！

liuyu305 · 发表于 2008-5-3 23:53

阻抗匹配用的

sleepyingcat · 发表于 2008-5-4 16:20

是匹配电阻,有厂家直接将匹配电阻放在芯片内部的,但是不多,这个值一般的情况是仿真确定的.需不需要这个电阻也可以仿真确定,还有阻排省地,相当于3个电阻的大小.

liqiangln · 发表于 2008-5-9 17:55

这时DDR接口用到的，通常用VTT设计方式，这个是没用VTT，用的串阻匹配，用串阻这里可以节约空间和成本。

Iric071 · 发表于 2008-5-15 16:08

個人覺得應該是22ohm...
作用應該有兩個:
1.緩和上跳沿<利用繼生電容>,T=r*c,降低harmonics的能量,從而在一定程度上解決emc問題
2.阻抗匹配.一般是用22-51ohm.解決反射問題

xieyunyan · 发表于 2008-5-19 08:58

看看

cmos · 发表于 2008-5-19 09:42

原帖由 kljy911 于 2008-4-30 17:37 发表
" g; Q6 m6 z! C/ \% {, LIC设计的时候跑仿真挂的电阻,所以datasheet上说要配一个;我一直整不明白既然一定需要为什么不做在芯片里面呢???

没有做在芯片内的原因是，外围的拓扑是变化的，原因是你做1托1，和1托4的，匹配电阻时不同。
芯片内是可以做的，一般做在芯片的iopad,但是相关阻值必须作成自适应的，能根据环境体调节阻值，这个在设计中很有难度，是有知识全权的技术，不是哪个公司都做得了的。

刘皓杰 · 发表于 2008-5-31 09:07

呵呵,LAYOUT高手不少,懂电子的还是少些!
依个人之见,这些排阻都是阻尼电阻!

qwemm9 · 发表于 2008-5-31 16:19

22欧~100欧,大部分是匹配电阻,

22K,是上拉电阻

kyzone · 发表于 2008-5-31 18:35

学习

mark0908 · 发表于 2009-9-17 15:21

电源内阻很大？晕~& A( i7 W& M. K- F" J
superlish 发表于 2008-3-21 11:30

电源
1 电流源
2 电压源

要是说电流源内阻大，也就对了

电压源，那肯定是错了...

toffee520 · 发表于 2009-9-17 16:12

22ohm有可能的，传输线阻抗匹配，防反射

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请教各位大大,图中的排阻作用

阻抗匹配用的

！

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