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高压贴片电容
( U* f" @9 W3 b k* F: k高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器,是一种用陶瓷粉生产技术,% ~( e" x# y. y" @. G
内部为贵金属钯金,用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
1 ~ I. `2 U& l- h% {; }产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。
2 N7 u! m |6 p3 INPO具有小的封装体积,高耐温度系数的电容,高频性能好,) Y' b9 _0 l% \+ t1 h
用于高稳定振荡回路中,作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用,, |8 |5 f% s$ X9 a8 M4 ]3 N# b
或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿,9 l( d3 h8 u. q' L( y
所以不建义使用在交流电路中。
5 Q8 `* x" Y3 Q7 D5 x9 l+ @; O. L8 H2 q- t& k1 g
高压贴片电容分三类:
; ]& N Q5 n% {/ |* \/ {# E9 `一类为温度补偿型NPO介质
! i# @, A" s `3 _NP0又名COG电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
. S- [1 {% M/ E, I* v* N% ~5 T6 [二类为高介电常数型X7R介质& _* c8 K" e- |: j* C. i2 x) s
X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。4 X; W# q2 i/ M0 E
三类为半导体型X5R介质* l3 k/ t. I% n
X5R具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。 优点:封装体积小,质量稳定,绝缘性能高,耐高压 缺点:容量较小,目前最大100UF,易于被脉冲电压击穿。 性能参数: 1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V 2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF 3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV 4.封装0201-0805-1206-1812-2225 应用范围: 产品广泛用于模块电源、汽车电子,通讯电源,LED照明电源等领域,有着广阔的应用发展前景.5 M; h4 D& n+ g6 {
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