HAST在贴片薄膜电阻失效分析中的应用

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前言

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电阻器作为运用最广泛的电子元器件之一，在电子设备中使用数量很大，因而电阻器失效导致设备故障的比率也相当高。特别是贴片精密薄膜电阻（以下简称电阻），因其工艺及结构的特点，近年来因湿热导致阻值漂移甚至开路的案例越来越多，厘清失效原因及机理，已成为迫切需要研究的课题。而传统的40℃、90%RH和85℃、85%RH的温/湿度偏压试验方法（THB）需要花上千小时，已不能满足当今高时效性的需求。

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PCT高压蒸煮试验有结露现象，不能加偏压，故需要进一步改进加速试验。HAST就是为代替传统的温度/湿度试验而开发的方法，目前在微电路及半导体分析中已得到广泛的应用。

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本文将HAST应用于电阻失效机理的研究和耐湿热性能的评估中，展示了HAST在电阻失效分析中的实践应用，为电阻的工艺改进及可靠性检验提供了一套快速、有效的测试方法，对电阻品质的改善与提升具有一定的指导意义。

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分析背景

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某产品客户端失效，经测试发现为电阻开路所致。电阻规格：348KΩ±0.1%，额定功率：0.1W。电阻命名如表1。

厂商	A			B
电阻	不良品	正常品	同批次 未使用品	同料号 比对品
命名	A-NG	A-OK	A-原材	B-原材

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分析原因

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外观观察

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先用实体显微镜(Olympus SZ61TR)对电阻保护层进行外观观察，如图1红色框起处，A-NG陶瓷基体外露，保护层未覆盖至边缘。再用SEM（Hitachi S-3400N）对A-NG、A-OK边缘保护层形貌进行放大观察，如图1a、1b所示，A-NG保护层边缘疏松粗糙。

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去除保护层

先用有机溶剂去除电阻保护层，再用金相显微镜（Olympus BX51M）进行观察。如图2a黄框所示，A-NG边缘位置金属膜缺失，用万用表对缺失膜两端进行电性确认显示开路，故电阻失效的原因为金属膜缺失所致。如图2b所示，A-OK金属膜完整，未见明显异常。

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原因探讨

电阻是导体的一种基本性质，与导体的材料、长度、横截面积和温度有关。当阻值为R时，可用公式R=ρL/S表示，其中L、S分别表示导体的长度和截面积；ρ表示导体的电阻率，对某一电阻器而言，L、ρ是已经确定的，阻值随着S的变化而改变。金属膜缺失使电阻S变小，从而导致电阻阻值偏大或开路。

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金属膜缺失原因主要有：

（1）使用过程中过电应力致使金属膜熔损。（2）因湿热、环境或电流（电压）等因素，使原本存在的金属膜遭受电解反应而破坏、消失，此现象称之为电蚀。

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机理研究

为进一步厘清失效真因和机理，模拟不同条件下的失效现象，论证失效机理。

（1） EOS试验

采用直流电源供应器（Chroma 62024P-600-8）进行测试，测试电压分别为600V、1000V，持续时间(5±1)s。

（2） HAST试验

采用高加速寿命试验箱（Hirayama PC-422R8D）进行测试，测试条件：温度130℃、湿度85%RH、真空度0.12MPa、偏压10V、时间96H。测试标准：JESD22-A110E。HAST的目的为评估电阻在高温、高湿、偏压的加速因子下，保护层与金属膜对湿气腐蚀抵抗的能力，并可缩短器件的寿命试验时间。

试验条件及结果见表2，EOS、HAST试验后电阻均出现阻值偏大或开路的现象。

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试验	实验条件	实验结果	影响因素
EOS	600V	阻值偏大	过电应力
	1000V	开路	过电应力
HAST	130℃/85%RH & a% l" J( ?) i. u1 ?/0.12MPa/10V/96H	阻值偏大、开路	高温、高湿、偏压

表2

图3为试验不良品去除保护层图片，如图3a、3b所示，EOS试验不良品金属膜均有不同程度的熔损，电压越大膜熔损越严重，阻值变化越大甚至开路，此现象与A-NG金属膜缺失现象不同。如图3c所示，HAST试验不良品可见电阻边缘位置金属膜缺失，与A-NG失效现象一致，失效机理为电阻在高温、高湿、直流负荷的作用下发生电蚀。

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电蚀失效主要以薄膜电阻为主，常见的失效机理有2种：（1）在金属膜沉积后，印刷保护层之前这段时间有杂质污染，成品通电时造成电蚀。（2）保护层有外伤或覆盖不好，杂质和水汽进入导致电蚀。

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为进一步研究失效机理，寻求改善方向，对以上2种失效机理进行深入探讨，选取A-原材、B-原材进行结构分析与比对。图4为电阻的结构图，电阻的金属膜是以Ni-Cr合金溅镀沉积而成的薄膜，基板为氧化铝，保护层材料为环氧树脂。

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杂质污染检测

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当陶瓷基体及金属膜中含有K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质时，电解作用加快，阻值迅速增加，失效速度加快。为验证A-NG金属膜表面有无杂质污染，对去除保护层后的金属膜进行EDX（HORIBA EX-250）成分分析，如图5a、5b分别为缺失膜与正常膜区域的元素检测结果，后者可见金属膜Ni、Cr元素，未发现K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质元素，排除金属膜表面杂质污染导致电蚀的猜测。

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电阻保护层剖析

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保护层外观形貌观察

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用SEM对A-原材、B-原材保护层形貌进行观察，如图6a红色箭头所示，A-原材保护层表面有大量孔洞。如图6b所示，B-原材保护层表面均匀致密。

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电阻保护层表面结构观察

金属膜缺失位于边缘位置，对电阻去除正面端电极后观察其边缘结构。如图7a红色框所示，A-原材边缘陶瓷基材外露。比对可知：A-原材、B-原材保护层边缘结构设计不同，后者边缘保护更充分。

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电阻保护层内部结构观察

对电阻进行微切片制样，用SEM观察保护层内部微观结构，再进行EDS成分分析。如图8a，A-原材保护层中间与两端厚度差异明显，中间局部可达62.64um，两端厚度在10.58um~19.19um之间，内部填充物颗粒粗大，其主要成份为C、O、Mg、Si。如图8b，B-原材保护层相对较薄，中间与两端无明显差异，厚度约为32.75um，可见不同组分的两层结构，填充物颗粒细小，其主要成份分别为C、O、Al、Si和C、O、Mg、Al、Si、Cr、Mn、Cu。比对可知：A-原材保护层边缘薄，且填充颗粒粗大，水汽易侵入，与失效发生在边缘位置的现象相符。B-原材保护层结构致密，且两层结构可更好的保护金属膜免遭湿气的侵入。

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电阻HAST能力比对

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选取A-原材、B-原材各10pcs进行HAST试验，比对不同厂商电阻耐湿热能力。把电阻焊接在测试板上，然后插入HAST试验箱，设置条件：130℃/85%RH/

0.12MPa/10V/96H。规格要求试验前后电阻的阻值变化率（ΔR/R）≤±(0.5%+0.05Ω)。测试结果如图9所示，A-原材ΔR/R皆超出规格，其中1pcs测试开路，B-原材ΔR/R皆满足规格要求。测试结果表明，A-原材耐湿热能力差，其结果与保护层比对结果相对应。A-原材保护层存在孔洞及边缘保护不到位等缺陷，在高温、高湿的环境条件下，金属膜容易被湿气侵入，在电负荷作用下发生电蚀，从而导致阻值漂移或开路。

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结论

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本文从电阻失效分析着手，通过试验模拟探寻失效机理，并通过不同厂家电阻比对寻求改善方向，得出如下结论：

1） 电阻失效的原因为金属层缺失所致。

2） EOS、HAST试验结果显示：A-NG失效现象与HAST试验失效样品一致。失效机理为电阻在高温、高湿、直流负荷的作用下发生电蚀。

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3） 对A-NG缺失膜与正常膜区域成份进行检测，未发现K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质元素，排除金属膜表面杂质污染导致电蚀的猜测。

4） 对比A、B厂商电阻，A厂商电阻保护层存在空洞及边缘保护不到位等缺陷，容易被湿气侵入。通过HAST比对电阻耐湿热能力，进一步印证以上结论。为有效的提高电阻的耐湿热性能，建议从电阻保护层的工艺、厚度以及材质方面加以改善：a.选择填充颗粒细小的材料，减少湿气进入通道；b.调整保护层的厚度，使中间与边缘厚度相对均匀；c.使用耐湿热的保护材料。

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