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本帖最后由 jacky401 于 2019-12-2 09:29 编辑 / Q1 x/ c: D& T( h, e
8 F1 D7 J" v! e9 E$ s) p. B0 j5 v在《华为逻辑电平设计规范!》的基础上补充有新的逻辑电平设计内容,详见文档:. H8 h# Q7 r. b" c& @$ a
: j/ I( j& p2 f' T O: j/ ? x目录
$ | F2 d8 N4 \' E) B/ j3 Z. r1、逻辑电平的基本组成单元-三极管、 MOS管及其开关特性
8 _/ l' O+ b$ i/ c( C1 P2、逻辑电平简介
" u9 W( t7 E+ C& s1 Q7 x" [3、TTL 器件和 CMOS器件的逻辑电平1 {" T: l7 m0 t4 N
4、TTL 和 CMOS逻辑器件) `7 b0 \$ @1 q& C) k6 R
5、TTL 、 CMOS器件的互连# O8 Y) I& ?" j/ O
6、ECL器件的原理和特点
7 @/ Y& B" }1 e7 ~% A0 A7、GTL器件的原理和特点
' m1 \6 i. J! O; f1 c3 k8、HSTL 电平, s& a& M' p0 e$ }% B8 Y, A
9、PECL、 LVPECL电平
8 }& J' Q7 d; I* | P7 m" v4 I10、CML 电平& a9 f7 M/ j( \+ b- E9 B- A, [7 {
11、LVDS器件的原理和特点, _5 }# K) e/ U; I4 b
12、CML LVPECL LVDS 简单比较及互连
% y2 V: \8 @0 |5 l; V- C e7 S2 X( Z7 o' E3 h
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