TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:05 |
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' Y& X- r" d% p# n ^5 |/ OKMFE10012M-B214 规格书,KMFE10012M多芯片封装存储器datasheet 7 S% [2 \. X- B$ v0 i+ V
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KMFE10012M是一种多芯片封装存储器，它结合了16GB的EMMC和8GB的LPDDR3 SDRAM。3 U+ T2 n/ g/ C# S8 z* j- {
7 r# C) i' h* G) N( Z" N
三星EMMC是以BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用MMC协议V5.1对内存进行简单读写的一种行业标准。( b- m% G8 T7 ^* s5 R7 |/ n! w
- w/ Q' L, m/ ~( [7 S; L6 D- h9 H
eMMC由NANDFlash和MMC控制器组成。对于NAND区域(VDDF或VCC)需要3V的电源电压，而MMC控制需要1.8V或3V的双电源电压(VDD或VCCQ)。9 N9 ~- [3 `3 \' W& M* B
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使用eMMC有几个优点。它很容易使用，因为MMC接口允许轻松地与任何微处理器与MMC主机集成。对NAND的任何修改或修改对th是不可见的。E主机作为嵌入式MMC控制器，将NAND技术与主机隔离开来。这将导致更快的产品开发和更快的上市时间。
) M6 Y; U7 M$ d: V8 w, Z5 E. C- E
/ F$ W* s* j6 P/ [( N% a3 J* UeMMC的嵌入式FLASH管理软件(FLASH Transform Layer，简称FTL)管理磨损平整、块管理和ECC。FTL支持三星NAND闪存的所有功能，并达到最佳性能。
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; Q: [3 I$ O4 e6 x& GLPDDR3设备在命令/地址(CA)总线上使用双数据速率结构来减少系统中输入引脚的数量。10位CA总线包含命令、地址和银行信息。% p- J0 f( O1 W3 v* T' U
+ [ |: Q, s* i这些设备还使用DQ引脚上的双数据速率结构来实现高速操作。双数据速率结构本质上是一个具有接口的8n预取结构。; t( y) U/ b7 a3 D9 z5 }: C I+ r
# t# S' R' [" b$ h. C5 f3 j对LPDDR 3 SDRAM的读和写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，并对被编程序列中的被编程位置数继续进行。其随后是读或写命令。与激活命令一致的地址和BA位用于选择要访问的行和存储体。地址位R使用与读或写命令一致的电子注册来选择BANK和突发访问的起始列位置
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' b& z' L2 u! c" }& g( t在正常操作之前，必须初始化LPDDR 3 SDRAM。以下部分提供了详细的信息，包括设备初始化、寄存器定义、命令描述和Devi。
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) A% j# }: o4 \! R2 Q8 ?' ~4 }) yKMFE10012M适用于移动通信系统的数据存储，不仅减少了安装面积，而且降低了功耗。该设备可在221球FBGA型.7 ~' C `$ b Q: `
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+ a! t; T; K0 ?, K2 FKMFE10012M-B214 规格书/datasheet; c& ~- r+ v- Y4 J; \- L
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发表于 2019-11-14 09:43
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