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一文教你如何用过压故障保护模拟开关代替分立保护器件

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    发表于 2019-10-24 07:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    一文教你如何用过压故障保护模拟开关代替分立保护器件

    / F' o. J# R8 ?: h" E7 ?- r
    / V6 U3 ]) ]+ s4 f5 B: Y/ B1 b0 ^- g摘要; C+ G8 N% D! [; q6 V

    设计具有鲁棒性的电子电路较为困难,通常会导致具有大量 分立保护器件的设计的相关成本增加、时间延长、空间扩大。 本文将讨论故障保护开关架构,及其与传统分立保护解决方 案相比的性能优势和其他优点。下文讨论了一种新型开关架 构,以及提供业界领先的故障保护性能以及精密信号链所需 性能的专有高电压工艺。ADI的故障保护开关和多路复用器 新型产品系列(ADG52xxF和ADG54xxF)就是采用这种技术。


    ; _; a1 x5 L/ Y& _: R

    高性能信号链的模拟输入保护往往令系统设计人员很头痛。 通常,需要在模拟性能(例如漏电阻和导通电阻)和保护水 平(可由分立器件提供)之间进行权衡。


    5 _$ l  \$ R+ h* u# M

    用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替分立 保护器件能够在模拟性能、鲁棒性和解决方案尺寸方面提供 显著的优势。过电压保护器件位于敏感下游电路和受到外部 应力的输入端之间。一个例子是过程控制信号链中的传感器 输入端。

    * e9 C* G. ?% B* f0 F) B% ]4 F/ e( ~) \

    本文详细说明了由过电压事件引起的问题,讨论了传统分立 保护解决方案及其相关缺点,还介绍了过电压保护模拟开关 解决方案的特性和系统优势,最后介绍了ADI业界领先的故 障保护模拟开关产品系列。


      Y2 y1 z' M7 X- A9 E" A过电压问题—回顾基础
    ; F7 t0 h  V% s2 U3 d

    如果施加在开关上的输入信号超过电源电压(VDD或VSS)一 个以上二极管压降,则IC内的ESD保护二极管将变成正向偏 置,而且电流将从输入信号端流至电源,如图1所示。这种 电流会损坏元件,如果不加以限制,还可能触发闩锁事件。

    9 ]& I1 e0 Y: @5 H' \6 X% i# ^" z
    ! u% p/ S( r! [  m- y

    8 |' L0 R% |( y. g$ x
    * F. ]1 ]# u1 j
    图1.过压电流路径。

    7 p4 T( j' A) i* b. H! l9 q% K  N( S+ T- \% _9 d

    如果开关未上电,则可能出现以下几种情形:

    : [# R9 H1 }5 Y! n4 C
    • 如果电源浮动,输入信号可能通过ESD二极管向上对VDD供电轨供电。这种情况下,VDD电平会处于输入信号电压减去一个正向二极管压降的范围内。
    • I如果电源接地,PMOS器件将在负VGS下接通,开关将把 削减的信号传至输出端,这可能会损坏同样未上电的下 游器件(参见图2)。注:如果有二极管连接至电源,它 们将发生正向偏置,把信号削减为+0.7 V。
      4 a0 ^& b' K# E! d! M9 G
    " e, K* s0 m4 v/ l/ H
    ; {5 k- H' @  L1 }3 a

    : W2 l. m# l) U  L# D: L1 I" b! V: m" `! Q$ Q2 p0 r: @7 F5 e
    图2.电源接地时的过电压信号。分立保护解决方案

    + h. @2 ]: A7 F) ]  `4 H. R
    & o2 `% q% T9 k7 n7 A( Y

    设计人员通常采用分立保护器件解决输入保护问题。


    4 ]) u& k4 ]) K7 i5 I3 q# g. |

    通常会利用大的串联电阻限制故障期间的电流,而连接至供 电轨的肖特基或齐纳二极管将箝位任意过电压信号。图3所 示为多路复用信号链中这种保护方案的一个示例。

    但是,使用此类分立保护器件存在许多缺点。


    ! i1 c( s8 I( p- y4 U$ F
    • 串联电阻会延长多路复用器的建立时间并缩短整体建立 时间。
    • 保护二极管会产生额外的漏电流和不断变化的电容,从 而影响测量结果的精度和线性度。
    • 在电源浮动情况时时没有任何保护,因为连接至电源的 ESD二极管不会提供任何箝位保护。
      5 v9 [' c/ C* S+ u6 r6 J

    3 |5 K% h6 y, I9 `  d3 S& }
    . U/ i0 t, {) B- `1 ]# ^& g

    5 S: J1 q. R8 B  M
    图3.分立保护解决方案。传统开关架构
    # h' t! T3 V/ D3 T. R
    8 B8 ^6 y3 x1 R' V. \0 z

    图4为一种传统开关架构的概览。在开关器件(在图4的右侧) 中,ESD二极管连接至开关元件输入和输出端的供电轨。图 中还显示了外部分立保护器件—用于限制电流的串联电阻 和用于实现过电压箝位的肖特基二极管(连接至电源)。在 苛刻环境下,通常还需要利用双向TVS提供额外的保护。


    5 t0 M7 c2 X- m  O7 O" L
    ' J; s* y, o& _$ E+ h  m
    7 ?/ X$ y/ a' x/ _( a; h0 a. F

    ( ?# F* D" A) C2 H; S8 N$ l* s$ h  A3 n- z% a3 p5 Z; i
    图4.采用外部分立保护器件的传统开关架构。故障保护开关架构
    4 G6 b6 A0 ~% O, l
    + y/ F( T. Q+ `2 [4 J

    故障保护开关架构如图5所示。输入端的ESD二极管用双向 ESD单元代替,输入电压范围不再受连接至供电轨的ESD二 极管限制。因此,输入端的电压可能达到工艺限值(ADI提 供的新型故障保护开关的限值为±55 V)。


    5 P4 W: e; j7 X! q0 S

    大多数情况下,ESD二极管仍然存在于输出端,因为输出端 通常不需要过电压保护。


    , T# o1 [" C! V; }$ g/ {+ X

    输入端的ESD单元仍然能够提供出色的ESD保护。使用此类 ESD单元的ADG5412F过电压故障保护四通道SPST开关的 HBM ESD额定值可达到5.5 kV。


    # J) F) a* D; ?) d6 C6 J* }1 O

    对于IEC ESD (IEC 61000-4-2)、EFT或浪涌保护等更严格的情 况,可能仍然需要一个外部TVS或一个小型限流电阻。

    ' I( ?$ M3 ~6 P+ h2 ?
    " i  _* s; y8 ]# g5 |

    ! z* F8 R! Z, b. h. p) R
    : R3 F0 ~' J5 `& w- w1 w" \& B. `4 A6 T7 r2 w
    图5.故障保护开关架构。
      U" \+ Q$ `; Q) m: N4 D; u3 C" ~

    7 H4 ]- N  j8 ~" J- P$ S0 \$ _

    开关的一个输入端发生过电压状况时,受影响的通道将关 闭,输入将变为高阻态。其他通道上的漏电流仍然很小,因 而其余通道能够继续正常工作,而且对性能的影响极小。几 乎不用在系统速度/性能和过电压保护之间进行妥协。

    # b& L- S  d4 _: B8 V' I

    因此,故障保护开关能够大幅简化信号链解决方案。很多情 况下都需要使用限流电阻和肖特基二极管,而开关过电压保 护消除了这种需要。整体系统性能也不再受通常会引起信号 链漏电和失真的外部分立器件限制。

    + Y/ y: X, b$ z" i  i% s6 M9 `
    ADI 故障保护开关的特性% @. i- K1 _; X5 x; Q& a
    ' [  A/ Z1 o7 v1 y) f

    ADI的故障保护开关新型产品系列采用专有高电压工艺打造 而成,能够在上电和未上电状态下提供高达±55 V的过电压 保护。这些器件能够为精密信号链使用的故障保护开关提供 业界领先的性能。


    , O% p/ S- }* R9 I7 F* {2 g/ F3 f0 l+ S+ `/ r* Q( P
    8 R: |+ ~/ M8 [; J" G5 W5 k. E

    6 t3 ]$ X! D1 R2 `" W  {! }: V5 V. R7 C
    图6.沟槽隔离工艺。防闩锁性

    ; @" C, X9 X2 S. k" o" ]- m, e( P% n9 n8 [, a$ \

    专有高电压工艺也采用了沟槽隔离技术。各开关的NDMOS与 PDMOS晶体管之间有一个绝缘氧化物层。因此,它与结隔离式 开关不同,晶体管之间不存在寄生结,从而抑制了所有情况下 的闩锁现象。例如,ADG5412F通过了1秒脉宽±500 mA的 JESD78D闩锁测试,这是规范中最严格的测试。

      d6 |% P& d& J& `0 T; B' l% N. o; ?
    模拟性能
    4 v" q5 `" r$ }: Z- `7 E
    ) ?9 }) I, m7 `. Y1 o

    新型ADI故障保护开关不仅能够实现业界领先的鲁棒性(过 电压保护、高ESD额定值、上电时无数字输入控制时处于已 知状态),而且还具有业界领先的模拟性能。模拟开关的性 能总是要在低导通电阻和低电容/电荷注入之间进行权衡。模 拟开关的选择通常取决于负载是高阻抗还是低阻抗。

    ' F' i  z: v* E9 }
    低阻抗系统- {, Z8 v, E0 M% U9 s6 d/ |9 `6 Z
    $ f5 \5 J* c3 q! P% L/ Q

    低阻抗系统通常采用低导通电阻器件,其中模拟开关的导通 电阻需要保持在最小值。在电等低阻抗系统中—例如源或增 益级—导通电阻和源阻抗与负载处于并联状态会引起增益 误差。虽然许多情况下能够对增益误差进行校准,但是信号 范围内或通道之间的导通电阻 (RON) 变化所引起的失真就 无法通过校准进行消除。因此,低阻电路更受制于因RON平 坦度和通道间的RON变化所导致的失真误差。


    / o9 s, x# t8 C

    图7显示了一个新型故障保护开关在信号输入范围内的导通 电阻特性。除了能够实现极低的导通电阻外,RON平坦度和 通道之间的一致性也非常出色。这些器件采用具有专利技术 的开关驱动器设计,能够确保在信号输入电压范围内VGS电 压保持恒定从而导致平坦的RON性能。权衡就是信号输入范 围略有缩小,开关导通性能实现优化,这可从RON图的形状 看出。在对RON变化或THD敏感的应用中,这种RON性能可使 系统具有明显的优势。


    7 h& ?" k' `, E5 {% G' K8 ]" h; H3 w+ O
    ! ?0 ^% C+ g$ F% w
    ( G6 @5 g' T4 w. y" F
    图7.故障保护开关导通电阻。
    % K& y+ }- m0 L
    6 d$ |/ ?5 y. [: R

    ADG5404F是一款新型的具有防闩锁、过压故障保护功能的 多路复用器。与标准器件相比,具有防闩锁功能和过电压保 护功能的器件通常具有更高的导通电阻和更差的导通电阻 平坦度。但是,由于ADG5404F设计中采用了恒定VGS方案, RON平坦度实际上优于ADG1404(业界领先的低导通电阻) 和ADG5404(防闩锁,但没有过电压保护功能)。在很多应 用中,例如RTD温度测量,RON平坦度实际上比导通电阻的 绝对值更重要,因此具有故障保护功能的模拟开关在此类系 统中具有提高其产品性能的潜力。

    % b/ o7 D' i9 g) J

    低阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时漏极输出变成 开路。

    ) i8 m5 f% W. N& X# T" N7 f
    高阻抗系统2 D+ e1 k3 s. K' u# f/ y8 N

    6 p8 C2 }1 {: _4 K/ E0 Z

    在高阻抗系统通常采用低漏电流、低电容和低电荷注入开 关。由于多路复用器输出上的放大器负载,数据采集系统通 常具有高阻抗。

    " A' Y1 p  I* V8 ^2 ~
    • 漏电流是高阻抗电路的主要误差来源。任意漏电流都可能 产生显著的测量误差。
    • 低电容和低电荷注入也对快速建立至关重要。这可使数据 采集系统实现最大的数据吞吐量。

    • % K+ K0 C6 n. R+ Q4 T. y

    新型ADI故障保护开关的漏电性能非常出色。正常工作时, 漏电流处于低nA范围内,这对在许多应用中进行精确测量至 关重要。

    3 L* }$ D8 u4 C% G* f) i

    最重要的是,即使其中一条输入通道处于故障状态,防漏性 能依然十分出色。这意味着,在修复故障前,可继续对其他 通道进行测量,因而系统停机时间得以缩短。ADG5248F 8:1 多路复用器的过电压漏电流如图8所示。


    . U. x$ }3 q+ c$ p1 c: I

    高阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时使漏极输出拉 至供电轨。


    5 |6 T: K) i$ t
    % S0 |0 [, u3 x2 ?# M" M2 E

    2 N. V+ ~' R' I& J7 J
      R) V. N5 C# t+ D% v. [5 `
    / z4 g% J. J* n# e8 f/ O5 Q; [
    图8.ADG5248F 过电压漏电流的温度特性。故障诊断

    5 g$ ]3 g! o, H1 ]+ s9 e5 @3 j9 `; X1 O- W

    大部分新型ADI故障保护开关还采用了数字故障引脚。FF引 脚是通用故障标志,表示其中一条输入通道处于故障状态。 特殊故障引脚(或SF引脚)可用于诊断哪一路特定输入处于 故障状态。

    * S2 C9 w/ [( {" V  |

    这些引脚对在系统中进行故障诊断非常有用。FF 引脚首先向 用户发出故障警告。随后,用户可轮询数字输入,然后SF 引脚将报出哪些特定开关或通道处于故障状态。

    % ?: B- m  z/ d9 h: w2 Z& y" A3 ]0 \
    系统优势
    3 w3 T/ `6 }. z: S$ B. P
    ( W% B* X  M: W: c( ^9 ?: N

    故障保护开关新型产品系列的系统优势如图9所示。无论是 在确保精密信号链的出色模拟性能方面,还是在系统鲁棒性 方面,该产品系列为系统设计人员带来的优势都非常巨大。

    ( L  x& g) ~* \; `. Y$ z% q

    6 Q6 ~+ V8 S+ r9 L2 V: d
    9 G8 I; e! a9 B4 X

    " w9 F) P7 b  q& ^5 i( m2 y) C7 L: \# ^0 V% {" n
    图9.ADI 故障保护开关—特性和系统优势。

    2 _* Z- s4 V3 ~, O8 ^% k& j  ~# v/ ^5 u) x, w6 ~. `3 L$ I$ |

    与分立保护器件相比,其优势非常明显,这些优势已在前文 详细说明。专有高电压工艺和新型开关架构还赋予了ADI故 障保护开关新产品系列多项优于同类解决方案的优势。

    : m+ r/ K$ u' ]: j
    • 业界领先的RON平坦度,非常适合精密测量
    • 业界领先的故障漏电流,能够在未受故障影响的其他通道 上继续工作(比同类解决方案性能好10倍)
    • 器件配备副故障电源,可实现精密故障阈值设定,同时还 能维持出色的模拟开关性能
    • 适合系统故障诊断的智能故障标志, Y! Y/ q+ g& d- _  P4 B
    应用范例' B3 D% X; V) `: n: X3 r; Q( V

    + ^" Q9 p1 Z9 m9 q7 [# K( h

    图10所示的第一个应用范例是过程控制信号链,其中,微控制 器可监控多个传感器,例如RTD或热电偶温度传感器、压力传 感器和湿度传感器。在过程控制应用中,传感器可能连接在工 厂中一条非常长的电缆上,整条电缆都有可能出现故障。

    ) R0 u5 g$ X1 a$ B0 P; b

    此范例采用的多路复用器是ADG5249F,该器件已针对低电 容和低漏电流进行优化。对于此类小型信号传感器测量应 用,低漏电流非常重要。


    ) [0 E8 S$ m9 I% r

    模拟开关采用±15 V电源,同时副故障电源设置为5 V和 GND,能够保护下游PGA和ADC。

    ; d+ o6 f1 {+ y: C

    主传感器信号通过多路复用器传至PGA和ADC,而故障诊断 信息则直接发送至微控制器,用于在发生故障时提供中断功 能。因此,用户可收到故障状况的警告,并确定哪些传感器 发生故障。然后便可派出技术人员对故障进行调试,必要时 可更换发生故障的传感器或电缆。


    2 B( G  V: F& _/ m- A+ U! S2 W/ J

    得益于业界领先的低故障漏电流规格,当其中一个传感器故 障、正在等待更换时,其他传感器可以继续执行监控功能。 如果没有这种低故障漏电流,一条通道发生故障可能导致所 有其他通道无法使用,故障被修复后才可重新使用。

    % n0 d% K! ]5 F$ _. ?' n
    $ Z* g/ u# z4 A9 \
    9 ~, D% F' N# K$ U3 J
    , [7 l) L9 p+ N/ P/ _, @5 x
      _& E0 e( h5 q$ k! P
    图10.过程控制应用范例。

    # @7 ^6 y9 y6 V3 H5 v( ^
    ! `0 c! g! A/ E0 [+ F# J

    图11中的第二个应用范例是数据采集信号链的一部分,其 中,ADG5462F通道保护器可增添额外的价值。在此范例中, PGA采用±15 V供电,而下游ADC则具有0 V至5 V的输入信 号范围。

    4 W4 N0 f+ Z: D4 B) J

    通道保护器位于PGA 和ADC 之间。采用±15 V 作为主电源, 以获得出色的导通电阻性能,而其副供电轨则采用0 V 和5 V 电压。正常工作时,ADG5462F 允许信号通过,但会将PGA 的所有过电压输出箝位至0 V 和5 V 之间,以保护ADC。因 此,与前面的应用范例一样,目标信号输入范围会在平坦的 RON 工作区域中。

    % Z, P/ i; k4 ]0 z7 o
      {4 R1 i: w1 L7 m; S9 C% F
    ) O8 c/ m9 h" J) R3 J
    4 V+ [: b8 h( X

    7 ]9 |2 j( t  P9 [
    图11.数据采集应用范例。总结
    1 O; Q$ ?( q8 x  s) i6 B
    . k2 R  X( b- P/ W+ S

    用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替传统 分立保护器件可在精密信号链中提供多项系统优势。除了节 省电路板空间外,代替分立器件的性能优势也非常明显。

    ADI公司提供多种具有过电压保护功能的模拟开关和多路复 用器。表1和表2列出了最新的故障保护器件产品系列。这些 产品系列采用专有的高电压和防闩锁工艺打造而成,能够为 精密信号链提供业界领先的性能和特性。


    7 J$ S. c5 ?: y产品系列汇总( Y: w3 {0 \" y1 S' \7 K, J

    4 V8 w  `; n6 P& F2 o" I

    表1.低导通电阻型故障保护开关 产品 配置

    产品
    配置
    故障触发阈值
    输出故障模式
    故障标志
    ADG5412F, ^) ]3 o- ^+ {9 S$ f
    ADG5413F
    四通道SPST
    主电源
    开路
    普通标志
    ADG5412BF
    4 [0 g. g4 a* f5 ?/ J" pADG5413BF
    四通道SPST和双向OVP
    主电源
    开路
    普通标志
    ADG5462F
    四通道保护器
    副电源
    拉至副电源或开路(默认)
    普通标志
    ADG5404F
    4:1多路复用
    主电源
    拉至副电源或开路(默认)
    普通标志和特殊标志
    ADG5436F
    双通道SPDT
    主电源
    拉至副电源或开路(默认)
    普通标志和特殊标志

    表2.低电容/低电荷注入型故障保护开关

    产品
    配置
    故障触发阈值
    输出故障模式
    故障标志
    ADG5208F
    8:1多路复用器
    主电源
    拉至供电轨
    ADG5209F
    差分4:1多路复用器
    主电源
    拉至供电轨
    ADG5248F
    8:1多路复用器
    副电源
    拉至副电源
    普通标志和特殊标志
    ADG5249F
    差分4:1多路复用器
    副电源
    拉至副电源
    普通标志和特殊标志
    ADG5243F
    三通道SPDT
    副电源
    拉至副电源
    普通标志和特殊标志

    " ~- ?+ O2 v9 }2 y" z2 ]
    3 v5 O8 }+ \5 N( {! u. B$ e+ s0 X; G2 F! Q
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