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一文教你如何用过压故障保护模拟开关代替分立保护器件
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/ V6 U3 ]) ]+ s4 f5 B: Y/ B1 b0 ^- g摘要; C+ G8 N% D! [; q6 V
设计具有鲁棒性的电子电路较为困难,通常会导致具有大量 分立保护器件的设计的相关成本增加、时间延长、空间扩大。 本文将讨论故障保护开关架构,及其与传统分立保护解决方 案相比的性能优势和其他优点。下文讨论了一种新型开关架 构,以及提供业界领先的故障保护性能以及精密信号链所需 性能的专有高电压工艺。ADI的故障保护开关和多路复用器 新型产品系列(ADG52xxF和ADG54xxF)就是采用这种技术。
; _; a1 x5 L/ Y& _: R高性能信号链的模拟输入保护往往令系统设计人员很头痛。 通常,需要在模拟性能(例如漏电阻和导通电阻)和保护水 平(可由分立器件提供)之间进行权衡。
5 _$ l \$ R+ h* u# M用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替分立 保护器件能够在模拟性能、鲁棒性和解决方案尺寸方面提供 显著的优势。过电压保护器件位于敏感下游电路和受到外部 应力的输入端之间。一个例子是过程控制信号链中的传感器 输入端。 * e9 C* G. ?% B* f0 F) B% ]4 F/ e( ~) \
本文详细说明了由过电压事件引起的问题,讨论了传统分立 保护解决方案及其相关缺点,还介绍了过电压保护模拟开关 解决方案的特性和系统优势,最后介绍了ADI业界领先的故 障保护模拟开关产品系列。
Y2 y1 z' M7 X- A9 E" A过电压问题—回顾基础
; F7 t0 h V% s2 U3 d如果施加在开关上的输入信号超过电源电压(VDD或VSS)一 个以上二极管压降,则IC内的ESD保护二极管将变成正向偏 置,而且电流将从输入信号端流至电源,如图1所示。这种 电流会损坏元件,如果不加以限制,还可能触发闩锁事件。 9 ]& I1 e0 Y: @5 H' \6 X% i# ^" z
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* F. ]1 ]# u1 j图1.过压电流路径。
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如果开关未上电,则可能出现以下几种情形: : [# R9 H1 }5 Y! n4 C
- 如果电源浮动,输入信号可能通过ESD二极管向上对VDD供电轨供电。这种情况下,VDD电平会处于输入信号电压减去一个正向二极管压降的范围内。
- I如果电源接地,PMOS器件将在负VGS下接通,开关将把 削减的信号传至输出端,这可能会损坏同样未上电的下 游器件(参见图2)。注:如果有二极管连接至电源,它 们将发生正向偏置,把信号削减为+0.7 V。
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图2.电源接地时的过电压信号。分立保护解决方案
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& o2 `% q% T9 k7 n7 A( Y设计人员通常采用分立保护器件解决输入保护问题。
4 ]) u& k4 ]) K7 i5 I3 q# g. |通常会利用大的串联电阻限制故障期间的电流,而连接至供 电轨的肖特基或齐纳二极管将箝位任意过电压信号。图3所 示为多路复用信号链中这种保护方案的一个示例。 但是,使用此类分立保护器件存在许多缺点。
! i1 c( s8 I( p- y4 U$ F- 串联电阻会延长多路复用器的建立时间并缩短整体建立 时间。
- 保护二极管会产生额外的漏电流和不断变化的电容,从 而影响测量结果的精度和线性度。
- 在电源浮动情况时时没有任何保护,因为连接至电源的 ESD二极管不会提供任何箝位保护。
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5 S: J1 q. R8 B M图3.分立保护解决方案。传统开关架构 # h' t! T3 V/ D3 T. R
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图4为一种传统开关架构的概览。在开关器件(在图4的右侧) 中,ESD二极管连接至开关元件输入和输出端的供电轨。图 中还显示了外部分立保护器件—用于限制电流的串联电阻 和用于实现过电压箝位的肖特基二极管(连接至电源)。在 苛刻环境下,通常还需要利用双向TVS提供额外的保护。
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图4.采用外部分立保护器件的传统开关架构。故障保护开关架构 4 G6 b6 A0 ~% O, l
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故障保护开关架构如图5所示。输入端的ESD二极管用双向 ESD单元代替,输入电压范围不再受连接至供电轨的ESD二 极管限制。因此,输入端的电压可能达到工艺限值(ADI提 供的新型故障保护开关的限值为±55 V)。
5 P4 W: e; j7 X! q0 S大多数情况下,ESD二极管仍然存在于输出端,因为输出端 通常不需要过电压保护。
, T# o1 [" C! V; }$ g/ {+ X输入端的ESD单元仍然能够提供出色的ESD保护。使用此类 ESD单元的ADG5412F过电压故障保护四通道SPST开关的 HBM ESD额定值可达到5.5 kV。
# J) F) a* D; ?) d6 C6 J* }1 O对于IEC ESD (IEC 61000-4-2)、EFT或浪涌保护等更严格的情 况,可能仍然需要一个外部TVS或一个小型限流电阻。 ' I( ?$ M3 ~6 P+ h2 ?
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图5.故障保护开关架构。 U" \+ Q$ `; Q) m: N4 D; u3 C" ~
7 H4 ]- N j8 ~" J- P$ S0 \$ _开关的一个输入端发生过电压状况时,受影响的通道将关 闭,输入将变为高阻态。其他通道上的漏电流仍然很小,因 而其余通道能够继续正常工作,而且对性能的影响极小。几 乎不用在系统速度/性能和过电压保护之间进行妥协。 # b& L- S d4 _: B8 V' I
因此,故障保护开关能够大幅简化信号链解决方案。很多情 况下都需要使用限流电阻和肖特基二极管,而开关过电压保 护消除了这种需要。整体系统性能也不再受通常会引起信号 链漏电和失真的外部分立器件限制。 + Y/ y: X, b$ z" i i% s6 M9 `
ADI 故障保护开关的特性% @. i- K1 _; X5 x; Q& a
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ADI的故障保护开关新型产品系列采用专有高电压工艺打造 而成,能够在上电和未上电状态下提供高达±55 V的过电压 保护。这些器件能够为精密信号链使用的故障保护开关提供 业界领先的性能。
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图6.沟槽隔离工艺。防闩锁性
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专有高电压工艺也采用了沟槽隔离技术。各开关的NDMOS与 PDMOS晶体管之间有一个绝缘氧化物层。因此,它与结隔离式 开关不同,晶体管之间不存在寄生结,从而抑制了所有情况下 的闩锁现象。例如,ADG5412F通过了1秒脉宽±500 mA的 JESD78D闩锁测试,这是规范中最严格的测试。 d6 |% P& d& J& `0 T; B' l% N. o; ?
模拟性能
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) ?9 }) I, m7 `. Y1 o新型ADI故障保护开关不仅能够实现业界领先的鲁棒性(过 电压保护、高ESD额定值、上电时无数字输入控制时处于已 知状态),而且还具有业界领先的模拟性能。模拟开关的性 能总是要在低导通电阻和低电容/电荷注入之间进行权衡。模 拟开关的选择通常取决于负载是高阻抗还是低阻抗。 ' F' i z: v* E9 }
低阻抗系统- {, Z8 v, E0 M% U9 s6 d/ |9 `6 Z
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低阻抗系统通常采用低导通电阻器件,其中模拟开关的导通 电阻需要保持在最小值。在电等低阻抗系统中—例如源或增 益级—导通电阻和源阻抗与负载处于并联状态会引起增益 误差。虽然许多情况下能够对增益误差进行校准,但是信号 范围内或通道之间的导通电阻 (RON) 变化所引起的失真就 无法通过校准进行消除。因此,低阻电路更受制于因RON平 坦度和通道间的RON变化所导致的失真误差。
/ o9 s, x# t8 C图7显示了一个新型故障保护开关在信号输入范围内的导通 电阻特性。除了能够实现极低的导通电阻外,RON平坦度和 通道之间的一致性也非常出色。这些器件采用具有专利技术 的开关驱动器设计,能够确保在信号输入电压范围内VGS电 压保持恒定从而导致平坦的RON性能。权衡就是信号输入范 围略有缩小,开关导通性能实现优化,这可从RON图的形状 看出。在对RON变化或THD敏感的应用中,这种RON性能可使 系统具有明显的优势。
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图7.故障保护开关导通电阻。 % K& y+ }- m0 L
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ADG5404F是一款新型的具有防闩锁、过压故障保护功能的 多路复用器。与标准器件相比,具有防闩锁功能和过电压保 护功能的器件通常具有更高的导通电阻和更差的导通电阻 平坦度。但是,由于ADG5404F设计中采用了恒定VGS方案, RON平坦度实际上优于ADG1404(业界领先的低导通电阻) 和ADG5404(防闩锁,但没有过电压保护功能)。在很多应 用中,例如RTD温度测量,RON平坦度实际上比导通电阻的 绝对值更重要,因此具有故障保护功能的模拟开关在此类系 统中具有提高其产品性能的潜力。 % b/ o7 D' i9 g) J
低阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时漏极输出变成 开路。 ) i8 m5 f% W. N& X# T" N7 f
高阻抗系统2 D+ e1 k3 s. K' u# f/ y8 N
6 p8 C2 }1 {: _4 K/ E0 Z在高阻抗系统通常采用低漏电流、低电容和低电荷注入开 关。由于多路复用器输出上的放大器负载,数据采集系统通 常具有高阻抗。 " A' Y1 p I* V8 ^2 ~
- 漏电流是高阻抗电路的主要误差来源。任意漏电流都可能 产生显著的测量误差。
- 低电容和低电荷注入也对快速建立至关重要。这可使数据 采集系统实现最大的数据吞吐量。
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新型ADI故障保护开关的漏电性能非常出色。正常工作时, 漏电流处于低nA范围内,这对在许多应用中进行精确测量至 关重要。 3 L* }$ D8 u4 C% G* f) i
最重要的是,即使其中一条输入通道处于故障状态,防漏性 能依然十分出色。这意味着,在修复故障前,可继续对其他 通道进行测量,因而系统停机时间得以缩短。ADG5248F 8:1 多路复用器的过电压漏电流如图8所示。
. U. x$ }3 q+ c$ p1 c: I高阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时使漏极输出拉 至供电轨。
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/ z4 g% J. J* n# e8 f/ O5 Q; [图8.ADG5248F 过电压漏电流的温度特性。故障诊断
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大部分新型ADI故障保护开关还采用了数字故障引脚。FF引 脚是通用故障标志,表示其中一条输入通道处于故障状态。 特殊故障引脚(或SF引脚)可用于诊断哪一路特定输入处于 故障状态。 * S2 C9 w/ [( {" V |
这些引脚对在系统中进行故障诊断非常有用。FF 引脚首先向 用户发出故障警告。随后,用户可轮询数字输入,然后SF 引脚将报出哪些特定开关或通道处于故障状态。 % ?: B- m z/ d9 h: w2 Z& y" A3 ]0 \
系统优势
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( W% B* X M: W: c( ^9 ?: N故障保护开关新型产品系列的系统优势如图9所示。无论是 在确保精密信号链的出色模拟性能方面,还是在系统鲁棒性 方面,该产品系列为系统设计人员带来的优势都非常巨大。 ( L x& g) ~* \; `. Y$ z% q
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图9.ADI 故障保护开关—特性和系统优势。
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与分立保护器件相比,其优势非常明显,这些优势已在前文 详细说明。专有高电压工艺和新型开关架构还赋予了ADI故 障保护开关新产品系列多项优于同类解决方案的优势。 : m+ r/ K$ u' ]: j
- 业界领先的RON平坦度,非常适合精密测量
- 业界领先的故障漏电流,能够在未受故障影响的其他通道 上继续工作(比同类解决方案性能好10倍)
- 器件配备副故障电源,可实现精密故障阈值设定,同时还 能维持出色的模拟开关性能
- 适合系统故障诊断的智能故障标志, Y! Y/ q+ g& d- _ P4 B
应用范例' B3 D% X; V) `: n: X3 r; Q( V
+ ^" Q9 p1 Z9 m9 q7 [# K( h图10所示的第一个应用范例是过程控制信号链,其中,微控制 器可监控多个传感器,例如RTD或热电偶温度传感器、压力传 感器和湿度传感器。在过程控制应用中,传感器可能连接在工 厂中一条非常长的电缆上,整条电缆都有可能出现故障。 ) R0 u5 g$ X1 a$ B0 P; b
此范例采用的多路复用器是ADG5249F,该器件已针对低电 容和低漏电流进行优化。对于此类小型信号传感器测量应 用,低漏电流非常重要。
) [0 E8 S$ m9 I% r模拟开关采用±15 V电源,同时副故障电源设置为5 V和 GND,能够保护下游PGA和ADC。 ; d+ o6 f1 {+ y: C
主传感器信号通过多路复用器传至PGA和ADC,而故障诊断 信息则直接发送至微控制器,用于在发生故障时提供中断功 能。因此,用户可收到故障状况的警告,并确定哪些传感器 发生故障。然后便可派出技术人员对故障进行调试,必要时 可更换发生故障的传感器或电缆。
2 B( G V: F& _/ m- A+ U! S2 W/ J得益于业界领先的低故障漏电流规格,当其中一个传感器故 障、正在等待更换时,其他传感器可以继续执行监控功能。 如果没有这种低故障漏电流,一条通道发生故障可能导致所 有其他通道无法使用,故障被修复后才可重新使用。 % n0 d% K! ]5 F$ _. ?' n
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图10.过程控制应用范例。
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! `0 c! g! A/ E0 [+ F# J图11中的第二个应用范例是数据采集信号链的一部分,其 中,ADG5462F通道保护器可增添额外的价值。在此范例中, PGA采用±15 V供电,而下游ADC则具有0 V至5 V的输入信 号范围。 4 W4 N0 f+ Z: D4 B) J
通道保护器位于PGA 和ADC 之间。采用±15 V 作为主电源, 以获得出色的导通电阻性能,而其副供电轨则采用0 V 和5 V 电压。正常工作时,ADG5462F 允许信号通过,但会将PGA 的所有过电压输出箝位至0 V 和5 V 之间,以保护ADC。因 此,与前面的应用范例一样,目标信号输入范围会在平坦的 RON 工作区域中。 % Z, P/ i; k4 ]0 z7 o
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7 ]9 |2 j( t P9 [图11.数据采集应用范例。总结 1 O; Q$ ?( q8 x s) i6 B
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用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替传统 分立保护器件可在精密信号链中提供多项系统优势。除了节 省电路板空间外,代替分立器件的性能优势也非常明显。 ADI公司提供多种具有过电压保护功能的模拟开关和多路复 用器。表1和表2列出了最新的故障保护器件产品系列。这些 产品系列采用专有的高电压和防闩锁工艺打造而成,能够为 精密信号链提供业界领先的性能和特性。
7 J$ S. c5 ?: y产品系列汇总( Y: w3 {0 \" y1 S' \7 K, J
4 V8 w `; n6 P& F2 o" I表1.低导通电阻型故障保护开关 产品 配置 产品 | 配置 | 故障触发阈值 | 输出故障模式 | 故障标志 | ADG5412F, ^) ]3 o- ^+ {9 S$ f
ADG5413F | 四通道SPST | 主电源 | 开路 | 普通标志 | ADG5412BF
4 [0 g. g4 a* f5 ?/ J" pADG5413BF | 四通道SPST和双向OVP | 主电源 | 开路 | 普通标志 | ADG5462F | 四通道保护器 | 副电源 | 拉至副电源或开路(默认) | 普通标志 | ADG5404F | 4:1多路复用 | 主电源 | 拉至副电源或开路(默认) | 普通标志和特殊标志 | ADG5436F | 双通道SPDT | 主电源 | 拉至副电源或开路(默认) | 普通标志和特殊标志 |
表2.低电容/低电荷注入型故障保护开关 产品 | 配置 | 故障触发阈值 | 输出故障模式 | 故障标志 | ADG5208F | 8:1多路复用器 | 主电源 | 拉至供电轨 | 无 | ADG5209F | 差分4:1多路复用器 | 主电源 | 拉至供电轨 | 无 | ADG5248F | 8:1多路复用器 | 副电源 | 拉至副电源 | 普通标志和特殊标志 | ADG5249F | 差分4:1多路复用器 | 副电源 | 拉至副电源 | 普通标志和特殊标志 | ADG5243F | 三通道SPDT | 副电源 | 拉至副电源 | 普通标志和特殊标志 |
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