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关于传导抗干扰测试失败问题请教大神。

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发表于 2019-9-26 17:14 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1 f4 D) w( |4 l3 E+ h这个产品是用阻容降压后经过串联稳压给芯片供电,现在做传导抗干扰的时候,芯片会有误动作,发生在30M~60M之间。有没有什么好的改善方法。L4,L5用的是2K欧的磁珠。共模电感,安规电容这两个是用不了了,太占地方,已经放不下了。请教大神,非常感谢!
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-9-26 18:18 | 只看该作者
    先测试下给芯片供电的电压波形。
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-9-26 18:19 | 只看该作者
    好像没有太大的功能。
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