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如何建立IBIS模型和使用IBIS模型

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发表于 2019-9-18 15:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    如何建立IBIS模型+ o; m. v0 Q# j+ e# y
% E- O4 q4 n: `: ]
    IBIS模型可以通过仿真器件的SPICE模型来获得,也可以用直接测量的方法来获得。作为最终用户,最常见的方法是到半导体制造厂商的网站上去下载各种元器件的IBIS模型,在使用前要对得到的IBIS模型进行语法检查。
' ^. F9 R/ L* E+ f  {7 M. _4 h+ E/ e- e8 A1 _! ]) W
    建立一个元器件的IBIS模型需要以下5个步骤。1 B" Q0 r0 a) Y- j: @

" c2 y2 {3 [0 ]7 Y2 q    (1)进行建立模型前的准备工作,包括决定模型的复杂程度;) U  c' ~& D0 U! ?
, i3 r, ?$ c# D. F- J% `" [+ _/ i6 U
    根据模型所要表现的内容和元器件工作的环境,来确定电压和温度范围,以及制程限制等因素;获取元器件相关信息,如电气特性及引脚分布;元器件的应用信息。
! `0 |+ u2 ~3 h- O0 M  C/ [: E. T/ Z! k' i7 o: R( o
    (2)获得U-I曲线或上升/T降曲线的数据,可以通过直接测量或仿真得到。$ A" v, o2 D' ]! g; F. S

  k+ N- j2 Y, [( p2 c2 g    (3)将得到的数据写入IBIS模型。不同的数据在各自相应的关键字后列出,要注意满足IBIS的语法要求。6 B2 D5 L# L* L0 R7 g* h, b9 M
" M8 x+ K5 T6 j! C! U# o
    (4)初步建立了模型后,应当用s2iplt等工具来查看以图形方式表现的U-I曲线,并检查模型的语法是否正确。如果模型是通过仿真得到的,应当分别用IBIS模型和最初的晶体管级模型进行仿真,比较其结果,以检验模型的正确性。) s- W  F5 d7 \

$ @4 ^  F2 D$ E' x6 P    (5)得到了实际的元器件后,或者模型是由测量得到的,要对模型的输出波形和测量的波形进行比较。
1 u; p( `, s6 d) Z& G8 l% p- Q$ T
    如何使用使用IBIS模型
: S7 J: I" {( n  [. |+ X
5 v5 N( }7 n& G    IBIS模型主要用于板级系统或多板信号的信号完整性分析。可以用IBIS模型分析的信号完整性问题包括:串扰、反射、振铃、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析等。IBIS模型尤其能够对高速信号的振铃和串扰进行准确、精细的仿真,它可用于检测最坏情况的上升时间条件下的信号行为,以及一些用物理测试无法解决的问题。在使用时,用户用PCB的数据库来生成PCB上的连线的传输线模型,然后将IBIS模型赋给PCB上相应的驱动端或接收端,就" B& d5 ?* W$ a. N/ x
( e* |; `9 H! G, l& N, r
    可以进行仿真了。* c0 u. D- J( J
8 ~- S9 Z8 ~0 `
    虽然IBIS模型有很多的优点,但也存在一些不足。目前,仍有许多厂商缺乏对IBIS模型的支持。而缺乏IBIS模型,IBIS仿真工具就无法工作。虽然IBIS文件可以手工创建或通过SPICE模型来转换,但若无法从厂家得到最小上升时间参数,则任何转换工具都无能为力。
' z5 b: @+ E; |3 _' X+ f+ m+ v
. F% \- o+ S4 y# ]0 t    另外,IBIS还缺乏对地弹噪声的建模能力。+ ~' m( I4 d4 ~: E5 W
1 q/ l) N6 B) }
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