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反激电源初级和次级地之间Y电容的作用。

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发表于 2019-9-17 17:16 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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向大家请教一下,反激电源初级和次级地之间一般加一个Y电容,然后我们讨论有同事却说,在BUS+和次级的GND之间加Y电容比前一种好。所以想请教大神是不是这样的呢?非常感谢!. L/ u9 A8 M) i6 E5 k

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  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:05
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-9-17 18:05 | 只看该作者
    Y电容必须直接并用尽量短的直线连接到初级和次级的冷点,如果导通时MOSFET的dV/dt大于关断时的值,Y电容则连接到初级的地,反之连接到VBUS+。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
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    [LV.2]偶尔看看I

    3#
    发表于 2019-9-18 14:44 | 只看该作者
    EMI_产生分析及无Y_电容充电器设计_EN.pdf (489.76 KB, 下载次数: 0) EMI_及无Y_电容手机充电器的设计.pdf (874.07 KB, 下载次数: 0) # y: n3 X3 V9 r
    这里给出楼上说法的具体出处(一个是英文原版,一个是中文翻译,另一份示意图是其他论坛偷来的),以便大家研究讨论。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    4#
    发表于 2019-9-18 14:47 | 只看该作者
    Y电容的安装位置,我们以前只是通过对比测试来确定的,倒是没有像上面介绍得这么专业或有理论支持,希望大家也能验证一下。
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