稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性

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稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性

摘要
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
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/ ?' u6 |" R3 q7 [1. 前言
# W' N# ?9 F' A6 XEPS和EPB系统均由两个主要部件组成：电动伺服单元和机械齿轮单元。电动伺服单元将电机的旋转运动传给机械齿轮单元，进行扭矩放大，执行机械动作。电动伺服单元是用功率MOSFET实现的两相或三相逆变器，如图1所示。

图1. EPS和EPB系统的伺服单元拓扑

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; `# N9 m) e# ~0 Y9 u0 \图中负载是一台电机，通常是永磁无刷直流电机(BLDC)，由一个12V电池进行供电。

2. 汽车对功率MOSFET的要求
EPS和EPB逆变器所用的40V功率MOSFET，要想符合AEC Q101汽车认证标准，必须满足以下所有要求：
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  v7 W5 R0 ?6 J) ^. E1.开关损耗和导通损耗非常低

" p, A' b" x& _! R- v+ c2.输出电流大
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3. Ciss/Crss比值小，EMI抗扰性强
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/ `4 f6 o9 Z5 A, q: A: e0 H4.优异的耐雪崩性能

5.出色的过流和短路保护

3 x4 }. E# x. e6.热管理和散热效率高

7.采用稳定的SMD封装

4 ~$ q& l+ e- l. k- L0 D8.抗负载突降和ESD能力优异

+ C/ f) W$ T2 {7 [4 R  y/ f" X2.1. AEC Q101功率MOSFET的参数测量值
我们选择一些符合EPS和EPB系统要求的竞品，与意法半导体的40V汽车功率MOSFET进行对比实验。表1列出了意法半导体的STL285N4F7AG汽车40V功率MOSFET和同级竞品的主要参数测量值。

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表1. STL285N4F7AG与竞品参数测量值比较表

3 I9 K5 f7 }3 B1 G7 k/ M: T4 p+ I由于两个安全系统的工作电压都是在12V-13.5V区间，功率MOSFET的标称电压是40V，因此，只要确保击穿电压(BVdss)接近46V，就能正确地抑制在开关操作过程中因寄生电感而产生的过压。为抑制导通期间的压差，静态导通电阻(RDSon)最好低于1mΩ。只有本征电容和Rg都很小，开关损耗才能降至最低，从而实现快速的开关操作。Crss/Ciss比率是一个非常敏感的参数，有助于防止米勒效应导致的任何异常导通，并可以更好地控制di/dt和dV/dt速率，配合体-漏二极管Qrr反向恢复电荷和反向恢复软度，可显着降低器件对EMI的敏感度。
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为满足低耗散功率和电磁干扰的要求，STL285N4F7AG优化了电容比值(Crss/Ciss)。图2是STL285N4F7AG与竞品的电容比值比较图。

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图2. STL285N4F7AG与竞品的Crss/Ciss电容比测量值比较

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此外，图3所示是意法半导体的STL285N4F7AG的体-漏二极管与竞品的性能测量值比较图。
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图3：STL285N4F7AG与竞品的体-漏二极管性能测量值比较

测量参数表明，对于一个固定的di/dt值，STL285N4F7AG的反向恢复电荷(Qrr)和恢复时间(Trr)都小于竞品，这个特性的好处归纳如下：

5 f- m3 r) ?0 C( \) a6 W" l-低Qrr可降低逆变器在开启时的动态损耗，并优化功率级的EMI特性;

-更好的Trr可改善二极管恢复电压上升速率(dv/dt)的动态峰值。在续流期间电流流过体 漏二极管时，Trr是导致电桥故障的常见主要原因。

因此，dv/dt是保证闩锁效应耐受能力的重要参数，测量结果显示，意法半导体产品的dv/dt性能(图4)优于竞品(图5)。
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图4. STL285N4F7AG的dv/dt t测量值

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图5. 竞品的dv/dt测量值

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) c0 W) X+ @. x6 A2.2. 短路实验性能测试
我们通过一个短路实验来测量、验证意法半导体40V汽车功率MOSFET在汽车安全应用中的稳定性。电子系统可能因各种原因而发生短路，例如，存在湿气、缺乏绝缘保护、电气部件意外接触和电压过高。因为短路通常是意外造成的，所以短路很少是永久的，一般持续几微秒。在短路期间，整个系统，特别是功率级必须承受多个高电流事件。我们用STL285N4F7AG和测试板做了一个短路实验，测量结果如图6所示：

图6：测试板

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按照以下步骤完成实验：
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% Q: D6 v; \- w7 U1 X8 \: u& P1 M1）用曲线测量仪预先测试主要电气参数;
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2）测试板加热至135°C，并施加两次10μs的短路脉冲，间隔小于1s。限流器保护功能激活做一次实验，不激活做一次实验。
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3）对器件进行去焊处理，并再次测量主要电气参数，检查功率MOSFET的完整性或性能衰减。
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$ d7 D/ Z4 I' t& `% Q, E* ]0 o+ a( V测量结果如图7所示。

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图7：STL285N4F7AG短路测试

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在短路事件过程中测量到的实际电流值是在2000A范围内，脉冲持续时间为10μs。我们进行了十次测试，Tperiod = 5s。STL285N4F7AG成功地承受住短路冲击，未发生任何故障；但当电流值大于2400A时，出现故障（图8）。
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图8. STL285N4F7AG失效时的电流测量值(Id > 2400A)

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( L" w3 y0 Z$ p& V- @' g. _& Q6 ], B3. 结论
; C+ W( q& C) C1 w实验数据表明，意法半导体最先进的AEC-Q101 40V功率MOSFET可轻松符合汽车安全系统的严格要求。因此，意法半导体的新沟槽N沟道器件是汽车EPS和EPB系统的最佳选择。

4. 参考文献
3 L  v0 _6 R* i  C) b[1] F. Frisina " Dispositivi di Potenza a semiconduttore". Edizione DEL FARO Prima Edizione Giugno 2013
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6 h4 b" I2 q1 o[4] B. Murari, F. Berrotti, G.A. Vignola " Smart Power ICs: Technologies and Applications" 2nd Edition

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学习了