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晶振这样走线有没问题啊?

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1#
发表于 2019-8-21 17:08 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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% x  Q& k3 q/ a; n7 Z0 W: r红色楼主,蓝色群友)) e, t1 c' I& L' U; j4 Z) |
5 P& V4 I1 {  Y7 I
蹦蹦:2 y" P" V) P. t3 n% s% P
7 i3 m# [+ X( ]
/ [# Z1 g6 k9 i5 A" `+ x) h
蹦蹦:
5 ~2 x* U( o. t' i+ O" t1 C4 d4 l晶振我这样走线有没问题啊, a6 o, s- X0 i

- W* @1 A, L4 }6 v- Z/ \# A孙宁:6 [- J1 C# J- z. ~! u" \0 ]3 }! B
先到电容,再到晶振会不会好点?+ G6 `+ j# [% F$ e6 C! Q

  s7 B/ ~- M/ sRay:1 e, Z. L/ h5 X) Z+ x
π型滤波,先过电容再过晶振,最好内差分走线& _7 D* N) B- y2 t) l
0 a* [4 n% U/ I) |! K! t  \
蹦蹦:8 O  V: d* x: _8 K8 A' ?% r* d
6 Q3 J# A6 U' ~, E- f* n
- R  f, s- S6 Z/ y) a( E3 r' }
Lucifer:
& H. r3 O. H* x3 S& Z( X& Q看下你的频率咯如果32.768k的话无所谓了哈哈哈
# B. \, s) k0 D. q& j/ V) ]% W+ j0 Y) z4 }
蹦蹦:+ i5 D  [7 K# \+ y1 I1 G" e
我看的一个参考
! S! A/ ?) U( g1 M  T! ?% Y% u9 k* P: w+ x. U
Lucifer:
) h0 a. _1 L) N这个做了包地和外壳接地处理,教科书的情况
8 q5 m( a7 N1 K: y$ U" B' F& G1 l
: |" f- {% ~' H4 |3 A蹦蹦:
, n* n6 ?& s3 H1 _: k) X2 u! b那我这个先过电容,然后晶振需要倾斜吗
4 u- S+ H2 T- e# X
" s/ V8 A( z& h; q1 m* L; V/ fRogers:
, t4 u: o6 w) V  ?你这么走问题也不大,但是最好是先过电容再到晶体@蹦蹦 & g9 ?3 c+ ?; f

$ i3 e" w1 B, a: V0 \9 _& DRogers:$ w: H0 ?: T  U7 H. X
这里不是滤波,属于振荡器的匹配电容
) x! F# p0 p' m6 j5 x3 {
2 B, Y5 F3 _: R7 QRogers:
( z' w9 C# a" E- C3 D: A8 |5 m6 f晶体下方铜挖空,然后做个孤岛会比较好
5 G( r' Q4 l( z" C' q
3 d2 {. Q" F1 h: g' t( P6 {# Q2 h蹦蹦:
( z- o, C0 [! W' C, i晶振32M
+ ^) V6 m- V( s- {' s  x+ Z# l4 E- i/ u$ o) T: Z  k
蹦蹦:7 g4 D) T0 N3 W; \

8 Q) u: O; f9 {* U, f
. v  M- X$ S; s9 @蹦蹦:
4 G7 g/ ~6 E. ]4 p' P( p0 x/ f4层板
9 E  q$ z8 O' V  J! D$ Q! q& I
3 `2 w! P/ u4 f5 Y* RRogers:
6 p; m' G% U4 K) v" l" X
3 h, @9 @5 z4 @4 j% x9 d. E3 d$ Z* K; E& U% `4 p7 w
Rogers:
/ [2 Z* J- S& X' ]& J9 \; |  \, p一般是这么玩$ @3 R& e0 ?, E0 G! _% w2 L* v

0 t3 h! u3 v8 `+ t2 K9 ^2 M/ M' JRogers:
# j/ U" Z: c- e. B7 M% f如果有高温要求,再让厂家给你调一下负阻抗匹配,就ok了
; k) j: u9 p9 ?
9 _1 r9 W- Q- o+ t3 P蹦蹦:
# a4 l# G) g# ?9 |5 d; ?/ B晶振下放所有层都不覆铜吗
2 M2 q" l. p' h0 ~+ z) t; f, J' e0 |; m( @* C% }& L
Lucifer:/ X3 t6 f8 r3 N% C0 G1 ?$ V
看下你的走线。。。为什么歪歪扭扭的。。。  r; Y% {3 J* r- s, N

9 P1 [# m# C/ O/ \  K4 A1 u) yLucifer:7 _7 K$ T" Q7 r0 p) A/ p  u. A. j
蹦,晶振下面不要走线- a  K3 l! C& E" s) F( M
/ ]8 l$ D, u* B: \& p
蹦蹦:0 o" l5 v7 R! C$ {& R5 t! N! Q0 `
我说覆铜
) `6 A: t+ V/ x3 M5 f0 r
5 B& q3 S% D5 e蹦蹦:
, p+ _6 k; m7 n# k3 i我这板子四层都会覆铜) U# g% U1 J: g: {

1 \6 [! S3 ~. j蹦蹦:4 |8 y/ v' J2 P5 o0 ?* o1 w
我看有的说法是走线不要从晶振内部过
$ X: t/ V3 t, t/ i) Z2 J! e
! I, c1 I/ e/ f* a) n9 y) f3 N蹦蹦:. M8 w" |* o* l: t$ j7 j! Z+ ~/ n

9 P6 ^' X! k; |, L; s  P5 C0 l0 V: L" I
Rogers:- _; {+ t" f/ G$ M
问题不大8 e1 f. X  n+ [4 R

' y2 u( t" Z# `Rogers:2 v4 {2 F& r0 d0 E( Q: U
走的是它本身的时钟引线2 m" H( }6 @1 t) k- g" S
# n6 [" q5 }6 K/ g2 y
蹦蹦:
% o) D5 c8 P& K% d需要等长不8 L. j0 q5 j+ _! V' D: w/ L

9 T6 `5 i! k+ sRogers:
' y& B9 |+ ]8 a; ?& N- X1 n. d挖第一层就行,目的是为了匹配电容的准确度9 C% j* {7 `; q+ s$ A
0 A% Q# [/ V% Z) T
Rogers:2 t# u- m* d) p2 W9 A& X
等长差分都不需要,当然你别拉太长就好
. x! c8 w9 C( g! i6 W4 d+ d7 U, t7 E
Rogers:, z( h/ Y! v( t0 O- F
有高温要求需要做负阻抗匹配,这个很重要3 b; S, K0 w1 u- D

: U! |' }0 ^- q蹦蹦:( C6 \9 I$ \9 b2 P6 r
包地是要的吧
( l" a7 r% l' {8 ^/ D9 x/ ?
$ V4 F+ g$ P, `; bRogers:: d7 o2 r9 f# {- |2 M- X. y  g
包,但是我们的一般做法是直接过孔到内层地,不连接表层的覆铜, y  s+ }0 v" v) a6 u

  B: d! x+ @9 y" p" b% l5 H8 ]( H4 WRogers:9 x) t" P. C4 P/ [' l) V
这样可以减少时钟的干扰对表层器件和走线的耦合9 ?; K$ i  A& L$ }6 @, ]

2 n3 K% y  T$ z; B6 x! p) q蹦蹦:
9 _0 B+ Y% L' n( t: N可以8 G0 o) j- Z. Y4 O. R

; V! Z$ d5 [- V6 B$ n3 D/ v: T
) r+ S) Z6 w% Q8 W- q5 v0 r+ P

该用户从未签到

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发表于 2019-8-22 14:13 | 只看该作者
不管是挖空地平面,还是先过电容等等,都得弄清楚其中的原理:
2 C0 J% p7 x' j% }3 j1.晶振需要容值准确且Q值高的电容,PCB走线或者pad电容都会增加电容且减小Q值还会增加电容温度系数,所以尽量减小走线电容。
( r* [6 k" a4 K- v2.晶振需要恒定温度减小温漂,所以晶振必须离发热量高的IC远,很不幸很多时候就是这个IC接晶振,所以走线长度得妥协处理。) {  `: m4 J8 Y6 @5 Y
3.晶振怕干扰,可能会导致相噪增加,所以得包地处理,走线下面最好有完整地,且要和表面的其它地隔开(如果表面地不干净的话)。而且挖空地层的做法也对抗干扰不利,所以挖多少层地,都得妥协处理。
" n' v' @% {4 j6 K! K& ~

点评

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赞一个  发表于 2019-8-26 17:34

该用户从未签到

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发表于 2019-8-22 09:32 | 只看该作者
之前也这么布线过,晶振频率≤50Mhz,没有问题。查看过老产品其他板子的布局布线,也有 先经过低频率晶振(≤20MHz)在过电容的,连线特别短。在实测的时候也没有发现问题。还是应该详细看看晶振和主控芯片端口的设计要求。
  • TA的每日心情

    2020-6-21 15:40
  • 签到天数: 44 天

    [LV.5]常住居民I

    4#
    发表于 2019-8-22 09:03 | 只看该作者
    学习学习,学到了

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    6#
    发表于 2019-8-22 11:34 | 只看该作者
    頻率低,應該是沒有問題才對

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    7#
    发表于 2019-8-22 11:41 | 只看该作者
    线要宽   线长要短、。包地,单点接地。

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    8#
    发表于 2019-8-22 13:16 | 只看该作者
    线要加宽一般大于>8mil   线要短,j尽可能的靠近芯片、立体包地,周围加地过孔。

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-8-22 21:21 | 只看该作者
    要先经过电容,外部电容可以调整晶振的频偏

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-8-23 08:42 | 只看该作者
    没有问题,实际验证电容在前还是在后都是没有问题

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2019-9-11 11:34 | 只看该作者
    要求不高问题不大:常规不同的芯片要求不同,晶振线路不需要走直角和靠近音频等波动大的线路!

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2019-9-11 11:57 | 只看该作者
    我来贴张高通的晶振要求图片L5层8 s3 z4 ^' K) k3 g% W6 U

    # @! {% K4 a( @- O1 Y- v: Z# }& pL4层 + B0 e3 [3 J7 `) m: S. G2 L
    三层单独跟外界有个隔离,周围打孔
    + T$ l* S' \6 w, C4 [- U6 ^4 q
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-3 15:14
  • 签到天数: 16 天

    [LV.4]偶尔看看III

    15#
    发表于 2019-9-11 15:15 | 只看该作者
    先过电容,再接晶振,晶振包地不和其电容地或其他信号地相连,且晶振下方所有层铺地
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