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大神带你实战运算放大器设计

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-8-19 10:06 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    大神带你实战运算放大器设计

    ) ~' c1 N! z8 g# z$ r% _
    , g: @1 y  D. }, f% ]) X, ~! }0 p2 ~& J; D+ T- c

      本文主要讲了一下关于运算放大器设计的一些知识,希望对你的学习有所帮助。
    8 v' U7 u: g& u3 F5 j& J  T3 z' V  Q1:OPA内部是怎样构成的?
    7 }+ q3 O$ K+ I5 \, M7 g( r  “就是一堆晶体管”


    . Y' y2 k  }' \0 D8 v3 D  - 包含输入级,中间放大级和输出级。基于应用的话,不用特别关注内部的结构。
    & ]2 T4 z0 r4 m* K  - 同相端和反相端输入地方有等效二极管,就是所谓的ESD保护。一般运放内部都会做。输出端也有。但是因为做在芯片内部,所以能力有限,即最大通过瞬间电流有限。
    , Y$ z7 q, o' G7 h5 M3 B% H/ J# d8 M  提示:芯片级的ESD等级和产品级的ESD等级完全是两码事,遵循的不是一个规范。; r  W# `2 \" X! i
      芯片规格书上,ESD指标虽然写着2kV ,应用到实际产品上,如果打2kV静电上去,是无法承受的。产品ESD遵循的是IEC61340的标准。所以,设计过程中,想要通过选择自身ESD高的芯片去防止浪涌,是不可取的。0 g$ k% b3 m6 U8 ^
      所以一般芯片,用静电枪直接打管脚,能承受400v静电的已经算顶尖芯片了。有的芯片会直接标机器模式,通常就是400v和200v这样的值了。6 s0 P" g0 t6 S$ J" G
      Q2:OPA常用封装有哪些?6 J) E8 E2 F, J  T3 [
      常见1/2/4路,常用封装基本都兼容。3 S8 y# I- w2 \. K( S8 y" ^& ?
      小提示:设计时候尽量选通用封装,否则很容易是Single Source(独一物料,市面上没有兼容的),结果就是被供应商绑架。
    9 @; q6 T% C  Z  J8 C2 C  日系的很多封装尺寸很怪异。跟欧美系的很多封装不一样。所以选日系芯片的时候,留个心眼,一不小心,就是single source了。
    1 W2 t' W, X/ ?5 d) ^  Q3:OPA都有哪些作用?. _- C1 |5 `9 }0 d' g' s
      放大小信号(或缩小大信号)
    ) v5 m1 }4 P! D+ C* s: _! E; ?  阻抗匹配" g* y3 x9 m$ ?% {, x" V; c. Q" {* e
      信号隔离:例如跟随放大器7 S2 X) O/ N8 p% {: U
      滤波(低通,高通,带通滤波等):一阶滤波用的比较多,提示,网上小工具可以用来计算参数。
    3 `7 S- I+ P5 [/ ~' d9 f" ?8 W  驱动:可以驱动音响,驱动视频设备伽马线,这些应用都要求瞬间输出电流很大。$ Z6 n4 H: W+ H# U  @: x# ~: c$ M
      -运放驱动长线:线约长,分布电容越大,运放驱动容性负载,会产生震荡% w+ T0 S7 `1 `) M! k. _
      做小功率电源, [* O7 o1 K6 F- n  S- c
      -一般运放输出20-30mA,跟I/O口差不多。
    ! t. u. }! ~" ?: D  -有些特殊运放能够输出1-2A比较大电流的,可以当做小功率电源用,很干净。但是不能做基准源,因为精度不够。
    5 i5 @. L% J: O- `( h  Q4:OPA怎样供电?
      ^2 J2 j( X. j4 C, t2 E  - 引用业内资深专家:如果一个运放都不舍得用LDO供电,还指望谈稳定性?+ i2 e- j1 ]5 R' V+ }
      - DCDC都不可以,最好尽量是LDO,最次也得7805。( W$ c8 u+ c6 e5 \" C
      Q5:OPA都有哪些类型?) E( |+ d6 B1 V; H
      超低功耗运放(Nano Power OPA):几百nA) Z0 F. ?( F' [
      低功耗运放(Micro Power OPA):
    - _- A5 [& n9 [9 K  高速运放(High Speed OPA):重点两个参数:增益带宽积(GBP)和压摆率(SR)9 z: G8 T% Q5 Z9 Y; L/ r
      高精度运放(High Precision OPA):重点两个参数:Vos失调电压(低于采样电压的一半),温漂" ^& x" f" V. ~# u
      低噪声运放(Low Noise OPA):常用于脑电波,心率,脉搏等小信号采集
    : h" q' I2 k3 i9 Q, e: z  D1 q* W  差分放大器(Fully Differential OPA):输入共模抑制比足够大(有人拿高精度运放当做差分放大器,为了节省成本,但是效果不行。)- H/ }* y( U1 a. e; n0 e( i! F' m
      功率放大器(Power OPA):功放驱动3 n. e, ^( V! a! G9 D* F* S
      音频放大器(Audio OPA):
    2 A/ m; q3 ?2 f* B1 I$ X  仪表放大器(Instrumentation OPA):共模抑制比很高。配合专门电路,能够有效去除共模干扰。7 V2 ?+ m. C5 ]" i0 `0 `
      其他专用型放大器3 g8 S: t, v" U
      Q6:OPA常用的参数有哪些?( u3 s; s- y1 J  }$ U1 Y1 k# F
      输入失调电压(Input Offset Voltage) Vos
    2 J" Y0 h/ }: p) Z1 p; P  输入失调电压的温漂(Offset Voltage Drift):对Vos的补充
    $ {  @2 H. m5 D" l  输入偏执电流(Input Bias Current)IB:9 O$ q* x6 E; M
      输入失调电流(Input Offset Current)Ios:是IB的补充. y+ u7 u& x: l# N' Q' V
      共模电压输入范围(Input Common-Mode Voltage Range)Vcm:运放在某个供电下,同相端和反相端给到的最大信号范围。) D  D$ i6 f0 A/ D8 U' ~
      输出特性(Output Characteristic)
    ( q! e/ E4 S" [- k6 `% ]  O  输出电流限制(Output Current Limit):关注这个参数,主要因为,有些应用要求输出电流尽量大,比如输出线很长(跳线连接两个系统)或者 负载输入阻抗很小。. N2 f3 b( O. J' W( {
      小提示:如果用长线链接两个系统,输出要串个电阻:1)来限流。2)防止热插拔瞬间的浪涌。! M. o+ ]8 W  F. r- u# O
      ESD和浪涌的区别。/ H! u+ F" K2 j% W
      1) 浪涌持续的是毫秒级,ESD静电只持续微秒或者纳秒级别。
    ! B. q' N( E& x: \' t  2) 浪涌一般示波器可以抓下来。ESD静电一般示波器是看不到的。: P+ L5 K% M/ S+ D) ?
      工作电压范围 VDD) t/ \9 q9 C+ s- ~8 v( [
      静态工作电流(Quiescent Current)Iq
    8 a. O6 n$ ?; m; s  增益带宽积(Gain Bandwidth Product)GBP:对交流信号非常重要 ,直流信号可以不用关注太多。
    # a+ w' ?. ^2 u! I+ A  压摆率(Slew Rate)SR:GBP大,意味着SR大;SR值用来反映跳变沿快慢的。
    : b6 R8 Y# b0 `- C5 I  开环增益(Open-Loop Voltage Gain)Aol:常见120db;这个值越大,留给设计放大倍数的余量越大。也是交流特性,跟频率密切相关。
    * J6 J3 \7 U1 O5 r/ G1 c  电压噪声密度(Voltage Noise Density)en:$ i. b5 s4 k8 W
      相位裕度(Phase Margin):越大越好,越稳定9 r5 u3 z$ T: s# ?
      共模信号抑制比(Common Mode Rejection):反映了对共模干扰信号的抑制能力,值越大越好。" ?, Q: w% g3 Q4 z% Q3 y" `
      电源纹波抑制比(Supply Voltage Rejection):反映了对供电端噪声的抑制能力,值越大越好。/ {0 q$ J' X) m" Q0 I' f' x
      Q7:三极管放大能代替运放放大吗?4 z/ k7 D9 `3 h
      Yes:运放内部本身就是一堆晶体管的集成,音乐发烧友所推崇的所谓“胆机”,很多就是用分立的晶体管、电子管所设计。
    ; d% ]6 Z# R* @' x/ v0 ~* k# U! l  No:但是三极管参数一致性差,放大电路批量生产良率低,需要微调参数,生产工艺麻烦。, W: e3 u% f+ D' X- b
      Q8:什么是轨至轨运放?
    ) U% N$ y% h5 i4 {' o5 }9 z  轨(Rail)指的是供电电压
    $ i7 }+ p: C% R/ V7 f  共模输入电压(Common Mode Input Voltage)范围“包含(超过一点)”供电电压,即所谓轨至轨输入。4 ?  A& F2 `4 l% R' ^0 c+ S
      输出电压范围“包含(几乎达到)”供电电压,即所谓轨至轨输出。8 H+ Z' ~/ @* H3 W- F9 U9 q
      Q9:运放可以用作比较器么?
    $ h9 s3 T3 z; y  n  Yes:
    9 n5 L. r6 g% s6 u$ }  大部分运放是可以再开环下工作的8 ^8 C9 y1 j8 j! a" y7 `
      No:4 [0 w0 t3 y: ~! r, p
      -有一些运放的同相输入与反相输入之间有嵌位二极管(差分二极管保护),用作比较器时(压差超过0.7v)会导致其中一个嵌位二极管导通,(如果源输入阻抗很低,可以供的电流很大)从而有大电流流过,甚至烧坏芯片。( b- o! B% d6 h1 g+ A5 j9 j$ \/ f
      (看差模输入电压范围,这个参数大,说明没有嵌位二极管。可以用。)9 i9 K( t. S8 V0 l4 T! G. _+ H
      -反应速度慢,即使高速运放,也不够快。" r5 u+ D1 H, P% F. e
      -稳定性不佳,过载饱和时恢复时间长。

    " e  a7 Q, ^+ K0 ?; s7 W
      - 输出无法真正到轨0 v- n% f0 p% ]: Q' A* \/ O. u- U
      输入级由于补偿电路作用,可以超过供电轨,但是输出级由于晶体管的导通内阻,无法真正到轨,会有几mV~几十mV的差距。
    : H8 Z4 `" y$ i; C0 `! e  - 输出误差和带负载阻抗相关:负载大,输出小,负载很重,输出到电源轨的差距就很大
    0 b' p0 E, l# h7 P" M9 S& r1 O4 E9 I  Q10:怎样选择合适的运放?9 g5 j1 P4 L) c5 @
      直流信号:0 [& J: J4 `3 h% j5 n
      - 确定信号具体特性:信号范围,精度。确定好这些参数,甚至就可以直接联系FAE来帮助选型。- k# ^5 T9 U  ^& \4 J0 S
      - 输入失调电压(Vos):根据信号最小值,来决定,通常取最小信号值的二分之一以内。例如,最小信号值是1mV,那就需要尽量选择Vos在0.5mV以内的。所有的运放都会给出该参数。着重看最大值,而不是典型值。2 N  j) i5 ^* b9 b/ ]" {' j6 {. U
      - 温漂:看产品输出地点,环境温度可能不同。: u* t- z6 F9 C2 i6 W) ?5 J4 Z/ W
      - 输入失调电流:如果传感器带载能力很差,即输出阻抗很高,输出电流小。对运放的输出失调电流就有要求了,要求输入运放的电流小,这样对原信号的分压就小。
    5 I$ q  D8 L. I% @& `" V( z  - 耗电要求9 z. @9 n3 W. X' c
      - 工作电压范围
    * u5 ~( D: g: N+ B  - 输入输出特性: 是否轨对轨的?还是非轨对轨。
    2 [. K2 H! ^  k  交流信号
    4 K4 P; O0 a9 M) d% w+ y+ P  -交流信号的具体特性# h$ G2 O6 N% t% v) p, a8 @7 s: \% M% w9 ~
      -增益带宽:待处理信号频率X放大倍数 X系数(一般取5-10)<=运放带宽
    8 M" h& _: \1 S( R7 v  -开关增益
    ) T3 Y) u$ G" I  -电压噪声密度+ c2 p: c9 W0 `- S" ~) x
      -耗电要求
    5 }% a  s' m9 z& D7 [6 o  -工作电压
    / u) k4 L! B6 ?  -输入输出特性

    6 a( {8 n1 ]: m, y, s! p* Z
    9 s. @4 C4 |; @8 l. x, @
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