本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑 ! r$ ?& s/ e4 O0 j8 e! X* ?4 |' B8 a
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RX线下方挖一层是为了降低寄生电容& F5 f9 b J9 ^! H/ M( b
=> 未必!!3 ^& p5 ^, g' E6 a
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! y% j# a- m' e' S; Z6 [在同样50奥姆阻抗下 走线挖空 反而有可能 让寄生电容变大 ' F+ S0 U- i( P5 z5 |. o' u2 K. Q
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我们拿实际迭构来做计算 6 O Z# z7 \. G( K# O" o! H
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因为原本单位是um 转换成mil (1um = 0.03937mil) 所以才小数点后面一堆数字 & v% W/ ?" }8 b
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如果以L2为参考地 不挖空 50奥姆的线宽是3mil ( N+ v1 ^: R0 |/ R4 z' B
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如果以L3为参考地 挖空 50奥姆的线宽是9mil
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如果要比谁的寄生电容大 介电常数就不用算了 因为两者的介电常数都一样 那就看谁的A/d比较大 对吧?
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A是面积 等于W x L 两者的线长都一样 所以若要比谁的寄生电容大 那就看谁的W/d比较大 对吧? 2 E- N9 y* ?& ^! Z
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9 S* s, l( k$ h% a! O6 {4 X! }' v4 s+ ?4 `0 `# N
不挖空: w/d = 3/1.83 = 1.64 挖空: w/d =9/4.8 = 1.875 1.875 > 1.64 所以 挖空的寄生效应 反而比较大 故得证 5 H- y/ e# Z1 t5 F/ X
. R+ m7 n& r Y
" V7 w3 b1 i( p7 C+ Z. K' @! m( z& F3 }
挖空是走线跟GND距离拉大没错 但你线宽也会拓宽啊 所以寄生效应 是变大还变小 要透过计算才知道
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