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请教大神一个铺铜皮的问题。

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1#
发表于 2019-8-16 13:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教大神一个铺铜皮的问题,非常感谢!3 e* P1 |& N# v
之前看过一个帖子,RX线下方挖一层是为了降低寄生电容,可以在同等阻抗的情况下拓展线宽,降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN,走线却不挖,走线也就是到BGA的线为什么不挖呢?9 f- p6 q- A9 G* y! _; ]
. h" S7 P2 x& V0 A
    & X9 i  F4 C2 d8 e& c! A

5 h) S7 a. \+ |# R) R/ M' O5 j6 r
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-8-16 15:55 | 只看该作者
    因为器件在高频电路中还有一个等效电路,而且这器件的面积相对PCB的走线要大。6 R& L, v! y: w& B$ y& t/ {
    寄生电容就是两个极板的面积成成比,两个极板的间距成反比,: X' D6 l; \0 X, q3 Z. d
    这样在增加了面积后,而为了保证寄生电容不怎么变化,只有增大两个极板间的间距。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:19
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-8-16 15:56 | 只看该作者
    我觉得是0402焊盘宽度比较宽,如果要做阻抗,就必须挖层才能满足阻抗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-8-16 15:57 | 只看该作者
    线宽小的走线不要挖,这需要根据计算的,是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-8-16 15:58 | 只看该作者
    到芯片处走线下面挖了就要加宽走线来保证阻抗,你去BGA下面走那么宽试试?

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-9-2 17:50 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑 ! r$ ?& s/ e4 O0 j8 e! X* ?4 |' B8 a
    / K8 q' z, v7 T! H
    RX线下方挖一层是为了降低寄生电容& F5 f9 b  J9 ^! H/ M( b
    =>  未必!!3 ^& p5 ^, g' E6 a

    + E6 w) q0 Q6 I+ @" s3 d* h, r3 \- w" v! N/ Q

    ) [' f0 e5 f% J
    7 k  I6 J: o! t% O% \5 ~
    ! y% j# a- m' e' S; Z6 [
    在同样50奥姆阻抗下
    走线挖空    反而有可能   让寄生电容变大
    ' F+ S0 U- i( P5 z5 |. o' u2 K. Q
    1 [( S/ {7 O& K8 ^9 M
    我们拿实际迭构来做计算
    6 O  Z# z7 \. G( K# O" o! H

    7 j1 ?' F0 a& t3 h8 a. X' m4 j

    8 p4 o& I" w9 u& k5 E) h
    # D& R+ A7 M& G6 @: j
    因为原本单位是um   转换成mil (1um = 0.03937mil)
    所以才小数点后面一堆数字
    & v% W/ ?" }8 b
    # N1 ]7 s6 l' u/ h+ l/ Q$ {

    6 ]% K2 v' J* [% r; s& R

    4 A: s5 }- i( q& M" |9 d
    - y) a( J+ `" o: u6 \  u3 m/ z: ^7 A0 e% ^. R' Q6 ^- ?$ E
    2 ~& R9 P( b3 j
    6 @. C, z: U! z9 k$ B

    : @# s5 ^- u/ ~% {1 ^" v5 \) S6 W4 [, K. M% b) L0 g. `* c
    如果以L2为参考地   不挖空   50奥姆的线宽是3mil
    ( N+ v1 ^: R0 |/ R4 z' B
    ! o) U& J- R: C( m3 J, `
    2 r+ q# q) C, p) ~
    1 b6 j# Q7 Z! n& A- C* \& P
    - L7 g9 c" o* k# h
      V% w( P+ g2 B7 [) B! U" b* B
    " y1 w+ c$ M; d% e
    # j3 f; h' Z, s& e4 D
    ! ^! ^6 w! O* f

    & a6 w8 c: P6 ^+ V
    # r9 f1 }9 N+ C# G% W& C. \
    . |6 ^, o7 p6 N% F# [6 d
    : L& T$ p4 s& O. d0 t' r! {( n( I- r
    ' x1 o% g9 |4 `( s7 V8 e
    如果以L3为参考地   挖空   50奥姆的线宽是9mil

    4 W( {+ k& Y- S- L, F* L

    8 p& e1 ~) v, e1 o2 i/ A
    / V$ y" ^5 ~/ c) X

    + x! z7 _% \0 T1 r' \$ O9 x1 C! m5 @7 R' |. B; `1 ]
    ) E0 `) b. K" B
    , @& c( Q# A& H) I2 ?3 U4 G
    7 c! F, Z$ Y+ [. p$ Q
    9 p) h% x* Q1 r4 ]- V

    0 T* ]: L4 }% T: [. v, r& p
    根据电容公式:
    " \6 V) ?8 W3 N& b: I: ]/ Z: B

    , B2 S3 n9 l* q
    ( E" |- r- N7 B+ V" E

    5 z2 l2 d$ Q" B# ]; N! L
    1 I( D& T. n, U

    ) _6 c- R. g/ M4 i  d
    如果要比谁的寄生电容大    介电常数就不用算了   因为两者的介电常数都一样
    那就看谁的A/d比较大    对吧?

    3 q. D! \1 X/ k" \; a9 f; F; @
    & l0 k1 p) [0 w2 W& L% ?

    4 _7 v% l! U: T, Q9 G

    2 d+ `& m; d: ]
    : m1 z" I2 ^5 T6 g! V

    ! I& o" K4 A# N2 y
    6 ]1 p: S% l6 l2 a$ n! z2 ?7 D8 \3 z% D2 W% C

    4 ?! ?  d) j" W% `! \' x0 Y- }7 E# Z; k" x2 F; t
    " _( m4 `* j) [
    : Z9 w: K, L' s5 @( B

    2 y2 u$ M0 b0 q0 _$ f0 X! R% j! }" y' u8 g

    ' A9 F* n0 [* V' M. n

    6 i$ G: ]& r6 O& W* R5 |  u3 `
    & T8 y3 z- v3 c5 k
    A是面积     等于W x L
    两者的线长都一样     所以若要比谁的寄生电容大   
    那就看谁的W/d比较大    对吧?
    2 E- N9 y* ?& ^! Z
    0 O" p3 x3 B3 C. B

    : J6 v, h* e2 W: M- W" }2 h9 s4 S' Q* A- H+ J+ o

    9 S* s, l( k$ h% a! O6 {4 X! }' v4 s+ ?4 `0 `# N
    不挖空:  w/d = 3/1.83 = 1.64
    挖空: w/d =9/4.8 = 1.875
    1.875 > 1.64
    所以   挖空的寄生效应    反而比较大    故得证
    5 H- y/ e# Z1 t5 F/ X
    . R+ m7 n& r  Y

    " V7 w3 b1 i( p7 C+ Z. K' @! m( z& F3 }
    挖空是走线跟GND距离拉大没错    但你线宽也会拓宽啊
    所以寄生效应  是变大还变小  要透过计算才知道

    9 Y& w4 g2 Y9 r  ^! D
    ! C$ h1 s4 p' P4 w* F' y
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