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请教大神一个铺铜皮的问题。

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1#
发表于 2019-8-16 13:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教大神一个铺铜皮的问题,非常感谢!
% q+ s: v$ C. Z2 ^$ y1 p  k+ I之前看过一个帖子,RX线下方挖一层是为了降低寄生电容,可以在同等阻抗的情况下拓展线宽,降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN,走线却不挖,走线也就是到BGA的线为什么不挖呢?$ b" Z8 J( S3 M* Y4 A
7 }: L- \& r6 b9 _  K, K& I
    4 W/ S- I$ s, n/ M3 [& A
$ s0 F0 J1 ^  @
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-8-16 15:55 | 只看该作者
    因为器件在高频电路中还有一个等效电路,而且这器件的面积相对PCB的走线要大。$ R2 p* b& P; ]9 g8 [. U/ ?
    寄生电容就是两个极板的面积成成比,两个极板的间距成反比,  X8 b8 t8 I$ T) y- y7 d! X. w0 B
    这样在增加了面积后,而为了保证寄生电容不怎么变化,只有增大两个极板间的间距。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:19
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-8-16 15:56 | 只看该作者
    我觉得是0402焊盘宽度比较宽,如果要做阻抗,就必须挖层才能满足阻抗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-8-16 15:57 | 只看该作者
    线宽小的走线不要挖,这需要根据计算的,是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-8-16 15:58 | 只看该作者
    到芯片处走线下面挖了就要加宽走线来保证阻抗,你去BGA下面走那么宽试试?

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-9-2 17:50 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑
    ) a! K- _# A7 c+ T
    4 M. ^- S- J3 F3 }, d; [RX线下方挖一层是为了降低寄生电容
    4 o: `3 I. c% v& @7 H, x; z. S
    =>  未必!!
    ; c+ p$ b) [6 G6 j/ u+ N: _  Z$ [- ^8 q8 W+ X/ J

    % ]: q- H5 K* y" o. U9 v8 F6 g% o4 E; X( T! p3 A
    , j( o8 m7 t! l' c; C$ m+ M4 T7 t

    # ]" p( Z- Q$ D( Q0 N) D
    在同样50奥姆阻抗下
    走线挖空    反而有可能   让寄生电容变大

    . s" [+ Q* y, Z' ^' S9 O7 _' Q# M) R8 X: y/ ?# W$ _: ?/ a) h9 P
    我们拿实际迭构来做计算
    : c* x4 s1 V" \5 C

    9 c$ V) @/ ^0 v' |; @2 @

    : l( Y9 `* p' F3 [& c& K4 v2 ~- G

    7 e8 W5 E6 f7 b0 h5 u
    因为原本单位是um   转换成mil (1um = 0.03937mil)
    所以才小数点后面一堆数字

    5 K3 q3 F! b& @* E( [4 W! m

    0 y" T/ u! P- f) j; I3 F
    1 P, n" I8 b2 f6 ?

    * J; ^2 U5 h$ ]+ u- F" ?
    , g& G- t* ~9 G# t: _1 ~: L- M+ l' w
    ' z" w& ~5 v1 C% R
    9 j6 v8 U3 R) {- Y6 b% p9 ]
    + G& k5 E5 A9 f( O  `. s

    ' |! ]8 _/ q* P( d, g
    如果以L2为参考地   不挖空   50奥姆的线宽是3mil

    9 U: |5 `1 W0 I' n8 Y7 q

    " X8 d) T4 w6 I6 D3 Q  Y5 S

    % ]0 F6 ?4 x- c
    6 P9 D+ i+ {" R
    3 [, y$ j) L& h6 p
    . g% D* _- N( I+ Q) O3 Y
    + H; d* U* M& d$ w, I. [+ N/ E9 ~1 ]" H* A! E- w+ Q& s4 d* l, W

    . W' i& }* K3 J% ~* ^1 f# C) L& I  I# l8 q2 v3 Q# y& u
    + k/ S! h+ V1 o' T4 A7 I) Z

    / V7 P3 ?% h& A0 p# }( ~. G
    : D- d; i% M2 V1 ^& k" [  j3 L1 |6 u( K# g- J

    5 s. X2 c) n; i4 j% X+ _* V' T. V0 L
    如果以L3为参考地   挖空   50奥姆的线宽是9mil
    ' B& S+ N2 E# n9 c7 j

    3 S9 T' [5 W3 f
    ( a$ ^, T/ ]$ O- Z
    ; P; z3 `! x+ L) g& @0 y9 A8 d5 g: p
    ! h9 V5 H, K' P7 R- _

    " I0 e/ m% w9 D
    $ W5 p! D( Q, ^! @
    ; d" L( ]. r/ @; q+ o
    $ J# z! W5 T5 Z" M
    9 S$ F" }% e. ?( E% u; h
    根据电容公式:
    ) i: O, F9 _% b9 d" t

    $ \) o4 s( l5 b9 m( X
    0 F3 o0 ]4 R) K3 Q* r

    ' c" d0 i) B$ \' M2 q
    : I' l4 e: o; d
    ( Y4 P! Z0 ]: C7 _+ J
    如果要比谁的寄生电容大    介电常数就不用算了   因为两者的介电常数都一样
    那就看谁的A/d比较大    对吧?
    ; I! m0 Q8 d* R* G

    ) \) s1 {' d% i4 y8 h0 D/ m2 {

    , A0 n2 H% n- z) f0 T: K3 J2 e

    ) U" `) y" b+ I* K6 s
    9 q! C& Y& _& h/ ~8 J+ O: f

    # x& A0 D4 U3 ~) n0 A! M! l) X/ j* f$ x

    0 L/ z& v! ^  U! N3 m% n2 O1 e/ w/ ?8 d# p( V" D' B7 p9 b! V
    4 o' q; x$ L' b5 C  a4 ^/ `3 ?% H

      u) T# @$ y8 |6 ~7 `1 q( y! {; c9 f2 w- e) h7 `
    4 ^% I4 E2 q0 `4 U& K) p
    . i: p1 c5 Q7 w; F* Q

    3 o1 H- u* [) A- S: v- y

    * e+ S0 J$ t! M! G' q# l3 m$ t' o
    # [$ c% |; {5 e5 B
    A是面积     等于W x L
    两者的线长都一样     所以若要比谁的寄生电容大   
    那就看谁的W/d比较大    对吧?

    , U# H$ T2 I: A1 L! @; N' q$ @
    1 s& ?; f6 `: `: s  L& R0 j% h/ t( P1 W2 _5 K' P: y% W9 f

    1 a$ S4 Z6 E  Y1 ]' C! r! _& S1 X9 e: x% O" q" L8 W( a
    - S* B  Y3 G/ a; y) S9 d# q  `
    不挖空:  w/d = 3/1.83 = 1.64
    挖空: w/d =9/4.8 = 1.875
    1.875 > 1.64
    所以   挖空的寄生效应    反而比较大    故得证
    ' K% M$ G) [2 n& U( y" j

    / x# c; \% q0 u& O. ~' S
    - [# O# u9 I5 b- k" L
    . P/ _# J8 e& ]" k. `
    挖空是走线跟GND距离拉大没错    但你线宽也会拓宽啊
    所以寄生效应  是变大还变小  要透过计算才知道

    + c/ A4 G- A9 S  P2 V9 l
    * H4 H) P. v; P+ l" c
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