本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑 % d; E: }; l, p" w- [
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RX线下方挖一层是为了降低寄生电容9 Z) A* w2 I; X; ^1 V' j" V
=> 未必!!
4 o3 M! \/ A) q5 ]# v% n0 K! z L5 L" y0 ~1 M+ Y# C( R: F& Q2 F9 m0 G
5 R% ~4 C: ?# D+ c; m
; q8 \( d; x: J8 K9 X/ W w
& y0 `7 A, k T# y4 u- y" [
4 j" ?( ]2 {* N" M' {
在同样50奥姆阻抗下 走线挖空 反而有可能 让寄生电容变大
. L) j. c$ Y/ o% b" h3 o3 G. y' A2 ]8 O$ @6 V
我们拿实际迭构来做计算 * R7 H/ y1 p- k2 l' \4 L* i
$ l4 H' n* l9 S5 V$ Z
$ F' u F$ B4 }7 W# L
3 U& g. f' S! X$ f
因为原本单位是um 转换成mil (1um = 0.03937mil) 所以才小数点后面一堆数字 C, |7 Q5 Y9 V z
: e E9 ]0 y/ e
& N8 }& Q5 H: d" {* g 2 ^ k! l3 b% n' y5 F
% f. j# t0 Y& Z: O9 [, Y, H
$ v4 Z1 b) n$ M$ p2 [* V! t' i: ~, j
2 ?2 m; X/ \2 v- @$ W
9 I9 a9 ~* h$ a- i" M! v# t5 }9 v( G: N* E
5 R9 ^ f2 f8 V$ R; J* W
如果以L2为参考地 不挖空 50奥姆的线宽是3mil ( C: Y0 ^' z* M
% ~ F; |$ h+ v' H, F4 C. K
" E, g) S9 R2 s- B1 J( r+ h
) z, v. j2 r8 @: t4 c% R3 g' l; E6 b, M# y9 \: I
/ }8 _ q6 }8 d3 }' B9 I# V8 R
1 x7 u% ?3 }( _2 w. z' x' }. ]* h1 p; ]! c0 ^5 L
6 C1 c3 |7 q9 v& q! T6 O; _, j8 k4 G
8 @* v5 z' a$ [
- j1 e9 ?& i* @ P3 t) l |( H) n/ j/ }
2 N, g0 D+ B' I6 b" k6 Z4 c
9 \+ X0 q! y# C$ a3 z9 @- [& ]9 T* U0 B/ ^* c+ y
如果以L3为参考地 挖空 50奥姆的线宽是9mil - `: s+ E/ u' |) ^
( y& P6 P. P3 [2 J- H ( W6 W6 C: n; o9 d9 m2 M
$ k: A d& p) O; ~: G. L- k& g- y- U* m/ i' g: ^
( y. C4 H+ P1 [
7 T& B( ^1 `: w9 i% ]3 p; G7 A. b8 b- B" k
" t+ z E7 w$ \* t# ]' e6 h2 g* { q) i# \. M/ W& X
根据电容公式: 3 I. ^8 E, C+ g4 _" `# H
& z4 N U6 T' K( t, p8 ?1 f1 Y' J
& ]2 o/ r( t- J* h) l* I5 I0 x, w. L3 ]7 H3 }5 f! L8 A$ z* f
j# c6 v3 k$ H- ]! N I9 `2 m& |
3 U- c5 i& {: M/ ^8 l
如果要比谁的寄生电容大 介电常数就不用算了 因为两者的介电常数都一样 那就看谁的A/d比较大 对吧?
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* _* ?' k9 d' Q4 \' o
+ r7 Q, g6 d& X$ v r |, @
8 \; F5 K% i2 B' d+ M
5 T5 s. ^! y1 t: g4 l. k, G# M2 c
, f) }6 ]8 g- f2 G
8 d! a5 j, m( N) ?+ Y* L5 ^) j8 `, k J+ v j
2 N( H& _$ J- g! C3 i6 o3 }7 @+ C% w3 G& w! ]$ P! U! K0 A- E D
3 Q- e, _* h; V1 {
' ^2 G. l; Q9 ^4 z/ I
. S9 }8 z$ ~: ^# \) s$ [: b$ _* _& V( R7 F' H0 }/ u4 l. w
, ~7 I) \# B6 b% [) N3 \3 B$ P. H
& ]; n# `+ M& [8 o. y
: w! G7 i* Z3 }. {7 y8 V
A是面积 等于W x L 两者的线长都一样 所以若要比谁的寄生电容大 那就看谁的W/d比较大 对吧? ' H8 Q, q2 r- N) E
" S6 G9 M+ ^ M$ K+ e/ n _. F$ S3 x3 Z* A3 F
. n. f- a" a1 y* T9 e1 u) t [& l4 \8 t: g$ Y
. D$ r4 G$ V4 G1 H" O g4 j5 d7 A2 E不挖空: w/d = 3/1.83 = 1.64 挖空: w/d =9/4.8 = 1.875 1.875 > 1.64 所以 挖空的寄生效应 反而比较大 故得证 ' F7 P9 W3 u- ?6 |; [! w
) n9 |; G& D3 H9 l4 K6 t
9 z/ k% r& u. v- a0 E. {
$ M; n( ~0 X. t7 V, {9 M7 \" Z0 c8 I2 K挖空是走线跟GND距离拉大没错 但你线宽也会拓宽啊 所以寄生效应 是变大还变小 要透过计算才知道
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