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请教大神一个铺铜皮的问题。

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1#
发表于 2019-8-16 13:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
请教大神一个铺铜皮的问题,非常感谢!& q, K' A% P# C0 l( `  f  G2 M9 n
之前看过一个帖子,RX线下方挖一层是为了降低寄生电容,可以在同等阻抗的情况下拓展线宽,降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN,走线却不挖,走线也就是到BGA的线为什么不挖呢?
2 ]/ M2 H! D2 i1 p" u* V
! M# E2 l* b/ p  L3 Y! U4 z    
+ {5 A" R1 Z, Y. h7 z/ n: |( y: n9 F$ C
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-8-16 15:55 | 只看该作者
    因为器件在高频电路中还有一个等效电路,而且这器件的面积相对PCB的走线要大。
    - ?5 `  ~* o. I' }寄生电容就是两个极板的面积成成比,两个极板的间距成反比,' C! [- i3 ]4 I% ?7 `) m! f1 u
    这样在增加了面积后,而为了保证寄生电容不怎么变化,只有增大两个极板间的间距。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:19
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-8-16 15:56 | 只看该作者
    我觉得是0402焊盘宽度比较宽,如果要做阻抗,就必须挖层才能满足阻抗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-8-16 15:57 | 只看该作者
    线宽小的走线不要挖,这需要根据计算的,是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-8-16 15:58 | 只看该作者
    到芯片处走线下面挖了就要加宽走线来保证阻抗,你去BGA下面走那么宽试试?

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-9-2 17:50 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑 % d; E: }; l, p" w- [
    8 O3 D* T4 b! Z# `
    RX线下方挖一层是为了降低寄生电容9 Z) A* w2 I; X; ^1 V' j" V
    =>  未必!!
    4 o3 M! \/ A) q5 ]# v% n0 K! z  L5 L" y0 ~1 M+ Y# C( R: F& Q2 F9 m0 G
    5 R% ~4 C: ?# D+ c; m
    ; q8 \( d; x: J8 K9 X/ W  w
    & y0 `7 A, k  T# y4 u- y" [
    4 j" ?( ]2 {* N" M' {
    在同样50奥姆阻抗下
    走线挖空    反而有可能   让寄生电容变大

    . L) j. c$ Y/ o% b" h3 o3 G. y' A2 ]8 O$ @6 V
    我们拿实际迭构来做计算
    * R7 H/ y1 p- k2 l' \4 L* i
    $ l4 H' n* l9 S5 V$ Z

    $ F' u  F$ B4 }7 W# L

    3 U& g. f' S! X$ f
    因为原本单位是um   转换成mil (1um = 0.03937mil)
    所以才小数点后面一堆数字
      C, |7 Q5 Y9 V  z
    : e  E9 ]0 y/ e

    & N8 }& Q5 H: d" {* g
    2 ^  k! l3 b% n' y5 F

    % f. j# t0 Y& Z: O9 [, Y, H
    $ v4 Z1 b) n$ M$ p2 [* V! t' i: ~, j
    2 ?2 m; X/ \2 v- @$ W
    9 I9 a9 ~* h$ a- i" M! v# t5 }9 v( G: N* E
    5 R9 ^  f2 f8 V$ R; J* W
    如果以L2为参考地   不挖空   50奥姆的线宽是3mil
    ( C: Y0 ^' z* M

    % ~  F; |$ h+ v' H, F4 C. K
    " E, g) S9 R2 s- B1 J( r+ h

    ) z, v. j2 r8 @: t4 c% R3 g' l; E6 b, M# y9 \: I
    / }8 _  q6 }8 d3 }' B9 I# V8 R

    1 x7 u% ?3 }( _2 w. z' x' }. ]* h1 p; ]! c0 ^5 L
    6 C1 c3 |7 q9 v& q! T6 O; _, j8 k4 G
    8 @* v5 z' a$ [

    - j1 e9 ?& i* @  P3 t) l  |( H) n/ j/ }

    2 N, g0 D+ B' I6 b" k6 Z4 c
    9 \+ X0 q! y# C$ a3 z9 @- [& ]9 T* U0 B/ ^* c+ y
    如果以L3为参考地   挖空   50奥姆的线宽是9mil
    - `: s+ E/ u' |) ^

    ( y& P6 P. P3 [2 J- H
    ( W6 W6 C: n; o9 d9 m2 M

    $ k: A  d& p) O; ~: G. L- k& g- y- U* m/ i' g: ^
    ( y. C4 H+ P1 [

    7 T& B( ^1 `: w9 i% ]3 p; G7 A. b8 b- B" k

    " t+ z  E7 w$ \* t# ]' e6 h2 g* {  q) i# \. M/ W& X
    根据电容公式:
    3 I. ^8 E, C+ g4 _" `# H

    & z4 N  U6 T' K( t, p8 ?1 f1 Y' J

    & ]2 o/ r( t- J* h) l* I5 I0 x, w. L3 ]7 H3 }5 f! L8 A$ z* f
      j# c6 v3 k$ H- ]! N  I9 `2 m& |

    3 U- c5 i& {: M/ ^8 l
    如果要比谁的寄生电容大    介电常数就不用算了   因为两者的介电常数都一样
    那就看谁的A/d比较大    对吧?

    8 }6 v# v, K: J* Y4 a

    * _* ?' k9 d' Q4 \' o
    + r7 Q, g6 d& X$ v  r  |, @
    8 \; F5 K% i2 B' d+ M
    5 T5 s. ^! y1 t: g4 l. k, G# M2 c

    , f) }6 ]8 g- f2 G
    8 d! a5 j, m( N) ?+ Y* L5 ^) j8 `, k  J+ v  j

    2 N( H& _$ J- g! C3 i6 o3 }7 @+ C% w3 G& w! ]$ P! U! K0 A- E  D
    3 Q- e, _* h; V1 {
    ' ^2 G. l; Q9 ^4 z/ I

    . S9 }8 z$ ~: ^# \) s$ [: b$ _* _& V( R7 F' H0 }/ u4 l. w

    , ~7 I) \# B6 b% [) N3 \3 B$ P. H

    & ]; n# `+ M& [8 o. y

    : w! G7 i* Z3 }. {7 y8 V
    A是面积     等于W x L
    两者的线长都一样     所以若要比谁的寄生电容大   
    那就看谁的W/d比较大    对吧?
    ' H8 Q, q2 r- N) E

    " S6 G9 M+ ^  M$ K+ e/ n  _. F$ S3 x3 Z* A3 F

    . n. f- a" a1 y* T9 e1 u) t  [& l4 \8 t: g$ Y

    . D$ r4 G$ V4 G1 H" O  g4 j5 d7 A2 E
    不挖空:  w/d = 3/1.83 = 1.64
    挖空: w/d =9/4.8 = 1.875
    1.875 > 1.64
    所以   挖空的寄生效应    反而比较大    故得证
    ' F7 P9 W3 u- ?6 |; [! w
    ) n9 |; G& D3 H9 l4 K6 t

    9 z/ k% r& u. v- a0 E. {
    $ M; n( ~0 X. t7 V, {9 M7 \" Z0 c8 I2 K
    挖空是走线跟GND距离拉大没错    但你线宽也会拓宽啊
    所以寄生效应  是变大还变小  要透过计算才知道

    1 G: ~* x* O1 w0 ?- h+ v# X7 y0 \( y% y; G* D  ?# O
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