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NAND01GW3B2CN6E小知识 h* Q8 l: [& Y8 O
1 }: |% |5 V9 `
特征
1 ^7 s& N. m( Q( M, O- j6 V■高密度NAND闪存
& G, I& c* o& a4 ]3 {; o% d - 用于2 Gbit内存阵列
, D* G r6 J# _7 E( i. o - 为大容量存储应用提供有效的解决方案; W" Y- z( W' C4 q1 |& z
■DNAND接口
- v. I4 O1 w; a - x8或x16bus宽度2 @; s) @/ X& q4 {+ T$ i
- 多路复用的地址/数据) S' {9 U% |7 l* I5 e, P
- 适用于所有密度的兼容性
6 X# L/ @) _, a# x! J! x$ m■供电电压：1.8V / 3.0V
$ e0 L) X2 G5 p# x6 s■页面大小$ q) q/ p7 r& a3 h7 H
-x8设备：（2048 + 64备用）字节
- P( h; L* ^: l" c0 L-x16设备：（1024 + 32备用）字
9 L0 x1 q/ O6 G2 l3 S" F2 y■块大小9 X* [4 i7 E! q3 q
-x8设备：（128K + 4K备用）字节
# A& Z- T( d( A' p-x16设备：（64K + 2K备用）字6 E6 E$ s5 q/ F/ S- I9 u
■页面阅读/程序% F- O- g& G% x4 @. z* }
- 随机访问：25us（最大）
+ I! J" N0 i# _( G) g- x0 Y+ n! g. ^ - 顺序访问：30ns（分钟）: j. `6 ~3 M5 S: I h
- 页面编程时间：200us（典型值）
6 W+ }& x2 D' f s" I- ?■复制回程序模式& \3 v, K/ O9 @9 n- {/ d
■缓存程序和缓存读取模式
( j0 E) A' ?. h■快速块擦除：2ms（典型值）3 `, x$ r/ ^- R' Q# {
■状态寄存器
, o- D4 N7 j9 m' D9 M9 o■电子签名8 X3 ]0 p6 w6 @
■芯片启用'不关心': L/ v/ H3 M5 Q) P
■序列号选项
3 L$ B6 C& P3 Z9 E■数据保护
+ n3 a; K: w/ E7 ~6 `( ]$ x - 硬件锁定* c; v }2 u3 l. U% u w7 ~. L
- 电源转换期间锁定硬件程序/擦除. L# k: `0 S: j, n8 r% f" `
■数据完整性
% B& n4 f6 U( J: n" x-100,000个编程/擦除周期
7 o: @) K" v1 y$ \& n# s1 A& C - 10年数据保留5 f9 e( {+ r4 z2 b7 X
■ECOPACK封装@3 R& X( O# @$ Y5 {. i$ r
■开发pment工具5 e1 Q7 T. C! c& y6 H/ H
- 错误修正代码模型
" s, u9 D3 h9 P8 \+ M! a" j-Bad Blocks Management和Wear Leveling algo rithms/ \" M R3 ^( d( M
- 硬件仿真模型
6 |. K K+ M6 a K, Q9 C6 ]( \1 A6 C9 H
; f( h- o: L- V2 M- B" ]
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发表于 2019-8-6 16:16
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