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NAND01GW3B2CN6E小知识
4 c: f) R# a' @5 g1 n8 N) `; a( a# f
特征9 W3 i5 n4 g6 ]$ r* X, y8 t
■高密度NAND闪存
- r7 g2 M2 x* @- P1 K, K0 M6 q5 V - 用于2 Gbit内存阵列 C3 z6 O$ e( b$ h4 o0 ~$ [9 q
- 为大容量存储应用提供有效的解决方案
! @! v" c/ G2 v' F. m3 o! a1 K■DNAND接口6 l' ]' Q, x, z4 J/ V% s( Z
- x8或x16bus宽度5 o5 D, l" O( |0 e5 l1 j
- 多路复用的地址/数据 O& v7 D9 k" R0 t* z
- 适用于所有密度的兼容性
% ^& {1 _# d( o& j+ u0 r7 E■供电电压：1.8V / 3.0V6 z X3 e0 W5 B6 l2 v9 ]; r
■页面大小, y: p( l* P2 h, z$ o! ^! }
-x8设备：（2048 + 64备用）字节. Y2 X' d1 P4 X C
-x16设备：（1024 + 32备用）字3 S8 \; Q* C) Z4 g% p5 r
■块大小
- z: x0 v( ]: \0 {8 ^# Y' O-x8设备：（128K + 4K备用）字节/ d; ]& N+ ^: N- K9 | N/ }2 h
-x16设备：（64K + 2K备用）字( Q) ?; ?( O9 L' K3 W& T/ {
■页面阅读/程序# M% p0 W6 E' G% ?" J l: P
- 随机访问：25us（最大）( W2 s1 h; o1 q) i7 w) R; N5 @4 H
- 顺序访问：30ns（分钟）
F& t% I: H4 F! K9 W# i - 页面编程时间：200us（典型值）5 t% |4 m, I! K7 `2 Q+ }% o6 L4 J2 s
■复制回程序模式
; w5 A/ q1 n4 J2 i& X1 V7 C■缓存程序和缓存读取模式3 h+ ?+ N) W- R F u9 }- g! c
■快速块擦除：2ms（典型值）
5 e* s' r9 s, q( M. W3 y■状态寄存器
8 L( t' L0 [& v d& ]. C. x■电子签名
* T7 Q+ B W% U" t■芯片启用'不关心'
! d5 o/ y- [: t8 }■序列号选项
) r7 @6 _9 D j% ^6 p0 \% O+ s■数据保护
- h5 g/ v! [2 C3 L/ G7 _ - 硬件锁定0 k+ s0 N2 A( W# l
- 电源转换期间锁定硬件程序/擦除
6 p0 S8 H( U3 o2 M■数据完整性
1 R! q9 p( F! I9 e-100,000个编程/擦除周期4 B5 E( }2 C4 [+ Z! @, h
- 10年数据保留' R" x" }7 W% x0 p5 Q6 y7 }5 N' i+ j0 h
■ECOPACK封装@
( S" s3 f3 Q! D9 U. U7 o N2 X■开发pment工具$ D [8 O) M0 U# a/ L
- 错误修正代码模型
; y' b, V) L( R( r$ Y5 B. T-Bad Blocks Management和Wear Leveling algo rithms
# u; s: L( p G# S$ ~, s w$ L3 h- A6 G - 硬件仿真模型8 J/ ~! e2 v" S, [
; B- x( y, w' t( C1 l2 {! x3 P. S
& O1 g' q( C2 ~) Q
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发表于 2019-8-6 16:16
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