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CAT24C256WI-GT3详细介绍，就在这里
( s9 T: S( C8 m& o9 ]3 B {$ H. Q' C6 Z* Q
描述
& t z5 h% u! w0 h& _% b, A CAT24C256WI-GT3是一个256-Kb串行CMOS EEPROM，内部组织为512页，每页64字节，总共32,768字节，每个8位。0 I2 w! _$ o) M' f4 I4 B
它具有64字节页写缓冲区，支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）12C协议。将WP引脚置为高电平可以禁止写操作（这可以保护整个存储器）。外部地址引脚可以在同一总线上寻址多达8个CAT24C256器件。! a2 B; D, ^0 C: V: u. f7 s
! o0 F" k9 m2 S: F# H/ k C, C
特征
6 w; ^& U' C! x. E' I; ]n支持StaNdard和Fastcl协议+ n5 p- d5 k2 n% L6 @, u$ G
n1.8 V至5.5 V SUpplY VoltaGe RaNGe% R2 I) V5 \! ~6 p3 u( L4 M
n 64-bYte PaGe写入bUFFer
9 ]1 ]( v- [/ w3 w, O6 k6 \4 ]; [! Pn硬件写保护对于eNtire存储6 U3 a% F+ V# _
n Schmitt TriGGers和TC bUs INpUts（SCI和SDA）上的噪声抑制滤波器。; ~$ |: H0 j2 A: h- P+ \
n低功耗CMOS techNoloGY
. c9 @; [2 X9 O& z& p) x3 gn1,000,000 proGramlerase cYcles# |& j$ q2 v* v6 C4 C% J! G0 _1 B
n 100年的数据记录
# {- F! D, |- {7 Zn工业温度
' J" F( Z* D* r& s$ b0 z* vn符合RoHS标准的8-piN PDIP和SOIC数据包0 g2 y3 B2 E) {
# J* b) I2 c+ |7 v7 x
笔记：
% Z) n( Z" |% x3 k5 ~: ]（1）超出“绝对最大额定值”中列出的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅是应力额定值，并且不暗示器件在本规范的操作部分中列出的那些或任何其他条件下的功能操作。长时间暴露于任何绝对最大额定值可能会影响器件性能和可靠性。% C6 y. L3 ]1 Q$ T5 L
（2）任何引脚上的直流输入电压不应低于-0.5 V或高于VCC +0.5 V.在转换期间，任何引脚上的电压可能下冲至不低于-1.5 V或过冲至不高于VCC + 1.5 V，小于20 ns的周期。4 [' J: N& H2 d g) S- q; {. A
（3）这些参数最初是在根据适当的AEC-Q100影响参数的设计或工艺变化之后进行测试的和JEDEC测试方法。
% a( a9 J" y' S" U( J（4）页面模式，VCC = 5 V，25℃/ l" J& g/ E* g' {+ Y
) c4 d6 j/ g5 j- q- C N |
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发表于 2019-8-1 16:42
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