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W971GG6SB-25小秘密

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发表于 2019-7-26 15:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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W971GG6SB-25小秘密
+ ?9 l( C$ p9 y- n
" ^* c2 ]6 l( L. s& H' N1.一般说明
, |; t1 X, g. \" i       W971GG6SB-25是1G位DDR2 SDRAM,组织为8,388,608字x 8个存储区x16位。该器件可实现高达1066Mb / sec / pin(DDR2-1066)的高速传输速率,适用于各种应用。
+ R- O( r+ T0 f       W971GG6SB-25分为以下等级部分:-18,-25,25L,251,25A,25K和-3。 -18级部件符合DDR2-1066(6-6-6)规范。 -25 / 25L / 251 / 25A / 25K等级部件符合DDR2-800(5-5-5)规范(25L级部件保证在商业温度下支持IDD2P = 7 mA和lDD6 = 4 mA, 25l工业级部件保证支持-40℃≤TCASE≤95C)。 -3级部件符合DDR2-667(5-5-5)规范。汽车级零件温度(如果提供)有两个同时要求:器件周围的环境温度(TA)不能低于-40℃或高于+ 95℃(对于25A),+ 105℃(对于25K),以及温度(TCASE)不能低于-40℃或高于+ 95℃(对于25A),+ 105℃(对于25K)。当TCASE超过+ 85°C时,JEDEC规范要求刷新率加倍;这也需要使用高温自刷新选项。此外,当TCASE <0C或> + 85℃时,必须降低ODT电阻和输入/输出阻抗。2 O" y/ k" _# K
       所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CLK上升和CLK下降)。所有/ Os以源同步方式与单端DQS或差分DQS-DaS对同步。
) j) E/ E. g# s) Y8 g, e& ?8 [6 V; N* f+ L* X. Q
·电源:VDD,VDDQ = 1.8V±0.1V
% R" `1 ?( i" ], K7 Y·双倍数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输8 A, R: ], L% R1 V3 ]- e: k
·CAS延迟:3,4,5,6和77 T. f: s4 s4 {
·突发长度:4和8
8 R/ F- p3 n& m/ V·数据传输/接收双向差分数据选通(DQS和DQS)# ^6 N9 d5 ~$ S* o4 }* \
·与读取数据边缘对齐,与写入数据居中对齐3 c- l5 I5 \6 `9 d0 ?$ Z7 W" l. S
·DLL使用时钟对齐DQ和DQS转换
; {0 D' ?/ w9 X, }- {: C·差分时钟输入(CLK和CLK)
/ ~6 X" c5 L/ f" Z' T; Q% V; E  h·用于写入数据的数据掩码(DM)
, q/ k9 e: f3 |9 }- `·在每个正CLK边沿输入的命令,数据和数据掩码都参考DQS的两个边沿5 B$ Q, q" K6 e/ N" C# X; z# m* V
·支持CAS可编程附加延迟,以提高命令和数据总线的效率
( g$ @! a. T: U5 I/ A  d7 t·读取延迟=附加延迟加CAS延迟(RL = AL + CL)
9 V% }) ]8 g+ c2 O; x9 Q·片外驱动器阻抗调节(OCD)和片上终端(ODT),以获得更好的信号质量
0 ?$ E8 ]+ `, p·读写突发的自动预充电操作  K3 Y1 ]) w2 q/ O' `# ]
·自动刷新和自刷新模式+ \5 Z" h: j; S* b- }0 k+ l
·预充电断电和有源断电
. s; Z  W% p5 v* x  v5 V1 D/ i8 o·写数据掩码
( o$ k9 F6 {2 l·写延迟=读延迟-1(WL = RL-1)8 S- P  \' x* n/ e# ~7 R& J7 z: h
·接口:SSTL_18
6 l7 R( x: F2 [' r- P" |·采用WBGA 84球(8X12.5 mm2)封装,采用符合RoHS标准的无铅材料0 D2 |! f$ L# Z% Q% U" h
: s1 c) H1 F5 n' i3 N. g
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