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W971GG6SB-25小秘密

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发表于 2019-7-26 15:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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W971GG6SB-25小秘密6 D% q' `' B5 W% j" _' o
( T" a3 C0 T: s; t% N- f
1.一般说明% t' I; }# V, q. P' a7 _( @
       W971GG6SB-25是1G位DDR2 SDRAM,组织为8,388,608字x 8个存储区x16位。该器件可实现高达1066Mb / sec / pin(DDR2-1066)的高速传输速率,适用于各种应用。3 Y. F. l/ O& }
       W971GG6SB-25分为以下等级部分:-18,-25,25L,251,25A,25K和-3。 -18级部件符合DDR2-1066(6-6-6)规范。 -25 / 25L / 251 / 25A / 25K等级部件符合DDR2-800(5-5-5)规范(25L级部件保证在商业温度下支持IDD2P = 7 mA和lDD6 = 4 mA, 25l工业级部件保证支持-40℃≤TCASE≤95C)。 -3级部件符合DDR2-667(5-5-5)规范。汽车级零件温度(如果提供)有两个同时要求:器件周围的环境温度(TA)不能低于-40℃或高于+ 95℃(对于25A),+ 105℃(对于25K),以及温度(TCASE)不能低于-40℃或高于+ 95℃(对于25A),+ 105℃(对于25K)。当TCASE超过+ 85°C时,JEDEC规范要求刷新率加倍;这也需要使用高温自刷新选项。此外,当TCASE <0C或> + 85℃时,必须降低ODT电阻和输入/输出阻抗。
2 I& N" C2 |; g# b9 Q5 _# X. m       所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CLK上升和CLK下降)。所有/ Os以源同步方式与单端DQS或差分DQS-DaS对同步。
: g. A7 k  Y" p5 a$ D2 D+ \, I
·电源:VDD,VDDQ = 1.8V±0.1V
0 r* x8 ^6 Z. L6 O) M7 R  j·双倍数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输$ r7 @/ I4 M. ?, j5 v. P9 X" u+ B
·CAS延迟:3,4,5,6和7  b" [. ^" [7 P( S1 H6 Z
·突发长度:4和8$ b* J. x8 h+ \( C3 y% a
·数据传输/接收双向差分数据选通(DQS和DQS)
" A3 L! B  ?# R- O·与读取数据边缘对齐,与写入数据居中对齐9 M) x- L! Y. K, _+ u3 \" t$ T
·DLL使用时钟对齐DQ和DQS转换+ D) i: }0 G2 y1 Y/ U9 U
·差分时钟输入(CLK和CLK)
5 K3 j2 a( g# M0 V6 s; y·用于写入数据的数据掩码(DM)9 R: ?/ N  v1 j0 g- B9 T
·在每个正CLK边沿输入的命令,数据和数据掩码都参考DQS的两个边沿# r4 n+ R: T7 M4 J
·支持CAS可编程附加延迟,以提高命令和数据总线的效率
# q7 h% N/ E7 v- \8 [: i" B·读取延迟=附加延迟加CAS延迟(RL = AL + CL); J5 m0 u7 g1 D4 N+ p
·片外驱动器阻抗调节(OCD)和片上终端(ODT),以获得更好的信号质量9 i' I) @6 W' Z8 U
·读写突发的自动预充电操作
: ?. S- q9 {+ Q' X3 r" K6 D·自动刷新和自刷新模式
+ `7 T8 ~7 \. I2 v& J. i7 {1 y·预充电断电和有源断电
* S- s6 F, Z9 r* d9 H2 R0 F·写数据掩码. }( i8 R$ }2 ]- b
·写延迟=读延迟-1(WL = RL-1)
, G0 ?( C  r4 N0 ~9 ~" f; M, z7 {- b4 R·接口:SSTL_18
9 x3 e0 J# H+ m- P! V4 `·采用WBGA 84球(8X12.5 mm2)封装,采用符合RoHS标准的无铅材料
4 S+ q! r( n" G8 w
2 e5 H6 A5 l4 C( J/ R1 {$ Y
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