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W9425G6JH-5小知识# s6 A+ y( n* P2 U
8 w6 f- `/ Z% r, W2 V+ f# B, K1.一般说明. C! ^2 F$ y `, a
W9425G6JH-5是CMOS双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),组织为4,194,304字×4个存储区×16位.W9425G6JH提供高达每秒500M字的数据带宽(-4)。为了完全符合个人计算机工业标准,W9425G6JH分为以下速度等级:-4,-5,-5l和-5A。 -4级部件符合DDR500 / CL3和CL4规范。 -5 / -5l / -5A级零件符合DDR400 / CL3规格(-5升工业级,-5A汽车级,保证支持-40℃~85℃)。# l( R3 k) i3 H0 I7 s; V0 I( R% |
所有输入都参考CLK的上升沿(DQ,DM和CKE除外)。差分时钟的定时参考点是CLK和CLK信号在转换期间交叉的时间。写入和读取数据与DQS(数据选通)的两个边沿同步。3 @; T j* `$ t: g
通过具有可编程模式寄存器, W9425G6JH-5系统可以改变突发长度,延迟周期,交错或顺序突发,以最大化其性能.W9425G6JH-5是高性能应用中主存储器的理想选择。% c1 H; L9 K/ O7 G; s U; a
) N5 ?* T" y7 j9 j \2.特点
- h/ o" U6 J8 [ W, V+ f·DDR400 2.5V±0.2V电源
6 `$ v1 m, k' a! K7 ^$ Y4 S2 j·W9425G6JH-5的2.4V-2.7V电源
3 _; L6 v! m! J* V$ F( }·高达250MHz的时钟频率
& G* i- v; c! \) Y·双倍数据速率架构;;每个时钟周期两次数据传输) F* b8 C7 z K% F, W4 h6 |4 f
·差分时钟输入(CLK和CLK)
0 B+ P% C/ C2 N8 r( i: ]·DQS与Read数据边缘对齐;与Write的数据居中对齐
$ ^! G, V- \; I9 |- C$ C·CAS延迟:2,2.5,3和4
3 ]4 Z4 ^+ m$ [! }( B·突发长度:2,4和8
0 C; t# V( c7 `·自动刷新和自刷新
: Z5 l! A: p# k( e n·预充电断电和有源断电
+ g& d! Q* F( M" M·写入数据掩码·写入延迟= 15 ?7 E. x* D# `$ t
·7.8uS刷新间隔(8K / 64 mS刷新)
Y; g+ k9 [1 W6 w- o* d·最大突发刷新周期:88 f4 b$ q& M1 H% N& x0 g: g
·接口:SSTL2
; [- O: O/ W8 H r/ m·采用TSOP ll 66引脚封装,采用符合RoHS标准的无铅材料
. n, X# c5 |) a* d" {5 G" j3 E
) V0 _3 F& r2 ]- a- ~3 P' p |
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