PMOS LDO和NMOS LDO的区别在什么地方，还有具体在选型的时候该如何进行选择

aicongcong

如题，最近在看LDO，看到有PMOS LDO和NMOS LDO的区别，想问问有没有大神了解，说一下详细的区别，最好有一些文档是更好。

Aubrey

Vdropout,NMOS = Vout + VGS,P ASS [V ]
$ l5 `* z+ f6 Q2 U; x8 X, ]Vdropout,PMOS = Vout + Vdsat,P ASS [V ]
; r! ?1 `9 S9 C3 t8 e常见的都是PMOS，如果是低压、低压差场合，NMOS更适合
4 n6 A2 Q$ _' ~9 T' j9 j. \7 E) g% ~  }
1 y1 s( L- a+ Z Design of low-dropout voltage regulator.pdf (2.39 MB, 下载次数: 100)

2019-7-17 10:47 上传

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4 ]% j& n8 K! x" ~1 C" @6 ? Linear Regulators-Fundamentals and Compensation.pdf (594.17 KB, 下载次数: 60)

2019-7-17 10:51 上传

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, J% x0 X/ e1 d  p

/ e) g0 a8 U0 P4 L

pengyujun180334

学习

lize314

学习学习，用LDO没想这么多~~

fisheryzh

VGS不是比Vdsat更大吗

wangchqin

SGASGFHFHHJ

15829766594

不过TI后来也有个ppt，写的也不错

15829766594

写的很好

anguchou

xiaoqiqqq

楼主讲的相当透彻见底，很棒棒

aicongcong

aicongcong 发表于 2019-7-17 12:40
6 f5 I% t. T2 E非常感谢

+ Q$ G' c& b' ?" ^% _- b' dVdropout,NMOS 这个指的是Vin吧？Vdropout,NMOS = Vout + VGS,P ASS [V ]这个是怎么算出来的？
; L! U0 b8 J) z& S

jacky401

PMOS LDO和NMOS LDO两者之间主要是压差不一样，PMOS的dropout是饱和压降Vdsat，而NMOS的dropout电压是VGS（Vdsat+Vth)。

杜胖胖

就普通PMOS LDO和NMOS LDO来说，架构不一样，适合的应用场景也会不一样。在PMOS LDO中，栅极驱动由误差放大器给出，源极接输入电压，在某一点上，误差放大器的输出饱和，也即Vgs的绝对值不会比地电压减去输入电压的绝对值更高，此时Rds最小，有利于实现超低压差，所以PMOS LDO更适合在一些高输出电压（此时输入电压也较高，相应的Vgs的绝对值越大，Rds越小）的场景下应用。对NMOS LDO来说，源极接输出，当输入电压接近额定输出电压时，误差放大器将增大Vgs以降低Rds来保持输出电压稳定，在某一点，Vgs不能再增加，此时误差放大器的输出等于输入电压减去地电压，此时Rds最小，输入电压达到了可以维持额定输出电压的最低值，即实现可达到的最低压差，若此时继续减小输入电压，那么Vgs也会随着减小，Rds增大，输出电压将不能保持在额定值上。另外，如果要实现低输出电压时的超低压差，不妨选择带有偏置轨或者电荷泵的NMOS LDO

aicongcong

杜胖胖 发表于 2019-7-17 10:26
就普通PMOS LDO和NMOS LDO来说，架构不一样，适合的应用场景也会不一样。在PMOS LDO中，栅极驱动由误差放大 ...

谢谢回答，我先仔细看一下

aicongcong

Aubrey 发表于 2019-7-17 10:53
Vdropout,NMOS = Vout + VGS,P ASS [V ]
Vdropout,PMOS = Vout + Vdsat,P ASS [V ]
常见的都是PMOS，如 ...

# w5 _( |% `5 e; n3 F5 O非常感谢
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