PMOS LDO和NMOS LDO的区别在什么地方，还有具体在选型的时候该如何进行选择

aicongcong

如题，最近在看LDO，看到有PMOS LDO和NMOS LDO的区别，想问问有没有大神了解，说一下详细的区别，最好有一些文档是更好。

Aubrey

Vdropout,NMOS = Vout + VGS,P ASS [V ]
Vdropout,PMOS = Vout + Vdsat,P ASS [V ]
常见的都是PMOS，如果是低压、低压差场合，NMOS更适合
# m0 q$ L. n, J2 W
Design of low-dropout voltage regulator.pdf (2.39 MB, 下载次数: 104)

2019-7-17 10:47 上传

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Linear Regulators-Fundamentals and Compensation.pdf (594.17 KB, 下载次数: 61)

2019-7-17 10:51 上传

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" I; g4 ^; R# v& p) U$ Y& L( z
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pengyujun180334

学习

lize314

学习学习，用LDO没想这么多~~

fisheryzh

VGS不是比Vdsat更大吗

wangchqin

SGASGFHFHHJ

15829766594

不过TI后来也有个ppt，写的也不错

15829766594

写的很好

anguchou

xiaoqiqqq

楼主讲的相当透彻见底，很棒棒

aicongcong

aicongcong 发表于 2019-7-17 12:40
非常感谢

Vdropout,NMOS 这个指的是Vin吧？Vdropout,NMOS = Vout + VGS,P ASS [V ]这个是怎么算出来的？

jacky401

PMOS LDO和NMOS LDO两者之间主要是压差不一样，PMOS的dropout是饱和压降Vdsat，而NMOS的dropout电压是VGS（Vdsat+Vth)。

杜胖胖

就普通PMOS LDO和NMOS LDO来说，架构不一样，适合的应用场景也会不一样。在PMOS LDO中，栅极驱动由误差放大器给出，源极接输入电压，在某一点上，误差放大器的输出饱和，也即Vgs的绝对值不会比地电压减去输入电压的绝对值更高，此时Rds最小，有利于实现超低压差，所以PMOS LDO更适合在一些高输出电压（此时输入电压也较高，相应的Vgs的绝对值越大，Rds越小）的场景下应用。对NMOS LDO来说，源极接输出，当输入电压接近额定输出电压时，误差放大器将增大Vgs以降低Rds来保持输出电压稳定，在某一点，Vgs不能再增加，此时误差放大器的输出等于输入电压减去地电压，此时Rds最小，输入电压达到了可以维持额定输出电压的最低值，即实现可达到的最低压差，若此时继续减小输入电压，那么Vgs也会随着减小，Rds增大，输出电压将不能保持在额定值上。另外，如果要实现低输出电压时的超低压差，不妨选择带有偏置轨或者电荷泵的NMOS LDO

aicongcong

杜胖胖 发表于 2019-7-17 10:26
就普通PMOS LDO和NMOS LDO来说，架构不一样，适合的应用场景也会不一样。在PMOS LDO中，栅极驱动由误差放大 ...

' T- ^' U* u4 J' f谢谢回答，我先仔细看一下
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aicongcong

Aubrey 发表于 2019-7-17 10:53
Vdropout,NMOS = Vout + VGS,P ASS [V ]
Vdropout,PMOS = Vout + Vdsat,P ASS [V ]
常见的都是PMOS，如 ...

0 A  _) @5 [0 c& P0 U非常感谢
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