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麻烦大神帮忙分析一下,低栅压NMOS泄放电阻和栅极电阻怎么摆放位置?

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1#
发表于 2019-7-12 11:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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选用了UTC6N10G,VGS(th) =1-3V ,驱动电压为5V,现在有两种方式,
( |) E) S1 E6 |/ s7 M- N图1是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2前,优点是不会对驱动电压造成分压,确保mos可靠开通,缺点暂时不知道。9 n( H, H# t, c( O  \* q
图2是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2后面,这样的缺点是会对驱动电压造成分压,栅极驱动电压只能到4.54V。9 e' i# w4 r* H, K4 [; D" l( h
求大神帮分析下两种方式的优缺点,哪种更适合,另外这个栅极电阻取值是否太大,增加导通损耗,不过我们用了十几年这个值了,没啥问题,且mos不会经常动,偶尔才会动一下。
/ R; \4 P( \  S  a6 M' c* Q6 ^% X7 ]  [5 B9 d
                                
+ }6 v# f( d2 g) u: `
7 ^& X2 `) J& L- I  q9 ]* C- U图1      
, s! i$ O/ X. E3 N2 \$ T, q                                                             
1 n9 v8 j+ m: l4 D& n2 |
- o, }+ Z% n3 j# t9 V2 V0 F' t 图2* O4 q$ @- H! x7 _' Z& t$ J
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& C9 A- I5 `6 v9 N
' p# q: a' M: y0 E4 Q, Z
0 N& Q& `1 B! Q1 K5 E( g% r3 X3 y

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发表于 2019-7-12 14:33 | 只看该作者
本帖最后由 huo_xing 于 2019-7-12 14:34 编辑
4 s/ m% \3 }' h* i9 d2 g- i$ N. C: h/ J$ R. Y5 i9 c- K2 I
1.那个10K的哪里是什么泄放电阻,别弄错概念了。这个电阻作用是在上电过程中,mos驱动状态不稳定,为了防止mos误动作。
1 G  r0 |- `% g# `& v2.mos驱动中,如果控制器要关闭mos管,是不是要把驱动信号拉低。驱动端为低,这个10K电阻是不是相当短路了。还有什么作用。
; S* I# y: `: U% W/ w$ \3.真正的加快泄放是在mos驱动电阻上反向并联一个二极管,在mos关闭时,通过二级管把驱动电阻短路,加速gs电容放电。
5 g2 W, o% ^+ e' O; j/ c& p0 L

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发表于 2019-7-15 09:08 | 只看该作者
圖二接法,猜測是有訊號從G腳打回來,進而需要分壓,怕電壓把Mos前級像MCU打死了~~
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-7-12 12:32 | 只看该作者
    一般R2都是放后面吧  我们公司都是放后面的.  放前面的还真没有看到过
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-7-12 12:34 | 只看该作者
    MOS管门极电阻一般都是1K,MOS管的姗源等效电阻比较大,开通时损耗较小。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-7-12 13:13 | 只看该作者
    图2栅极怎么会造成分压呢?感觉图1栅极会被分压吧!是不是说反了
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-3 15:55
  • 签到天数: 1075 天

    [LV.10]以坛为家III

    7#
    发表于 2019-7-13 11:18 | 只看该作者
    图1跟图2搞反了吧?

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-7-15 08:35 | 只看该作者
    一直都 是用图1

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-7-18 13:47 | 只看该作者
    信号怎么可能从G极过来呢,除非mos管坏了。

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-7-23 18:16 | 只看该作者
    图2这种接法 老外的图纸上见过很多
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