pspice场效应管模型如何修改？？？

qpggup

想用Pspice做场效应管MTP2P50E和BUK456800的电路仿真，但是没有它们的模型，想用一个现成的管子修改一下，挑了一个F1020，edit pspice model后发现模型的描述看不太懂，不太明白怎么修改，还请达人帮忙啊！
" J; L$ F& [8 e4 I: i
, N) F& i1 w. O! J1 J: v- C
模型表述如下：
, C% X% P3 b5 j8 \! k" `
9 I2 J! Z: b7 ?7 X  K' C
" m3 I0 f: |4 m* ]) ^*POLYFET RF DEVICES
*FEB 15 1994
* c1 W4 |4 M1 G, S* x*PHONE805)484-4210; FAX805)494-3393  CONTACT:MR. S.K. LEONG
*HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, RF N-CHANNEL VERTICAL DMOS MOSFET
*TO GENERATE S PARAMETER MATCHING DATA SHEET, SET VG=3.58V FOR IDQ=800MA
6 Z( Y7 F& ^( x3 r*
*MODEL APPLICABLE FOR ALL F1B 4 DIE IN AP AND AK PACKAGE.  F1021 USE
0 r, p- K) U, V- v! v3 p2 R*BELOW AS EXAMPLE.
*  NOTE:- HP/EESOF USES 'GATE DRAIN SOURCE' ORDER
' d, r& s5 B  d8 g4 t' r*            ( ;D  G  S )
& R8 G1 z+ M( U1 K; _.SUBCKT F1021/PF  20  10  30
LG    10  11  0.87N
8 E7 s% C- M* Z3 O: R, kRGATE 11  12  0.61
CG    10  30  0.12P
CRSS  12  17  14.2P
( N3 }( n$ z- b. U- r2 cCISS  12  14  130P
; `# ?) D9 _% M9 JLS    14  30  0.09N
/ y& w, F& l1 `/ r( sCS    14  30  0.06P
LD    17  20  0.75N
CD    20  30  0.45P
2 u6 B: ~. w( y* F9 Q( g4 [  x8 i4 dR_RC  16  17   8.2
$ w3 a: U5 f& C% B' J9 UC_RC  14  16   61P
* o; H$ h0 }/ h8 a/ v7 M, qMOS   13  12  14  14  F1021MOS L=1.1U W=0.24       ;D G S B LEVEL1
JFET  17  14  13      F1021JF                      ;D G S
% T5 e$ E, q7 T# r9 l" l- bDBODY 14  17          F1021DB                      N
/ P, V# I9 N: }3 d3 E.MODEL F1021MOS NMOS (VTO=3 KP=1.7E-5 LAMBDA=0.1 RD=0.1 RS=0.09)
.MODEL F1021JF  NJF  (VTO=-6.8 BETA=0.2 LAMBDA=5)
.MODEL F1021DB  D    (CJO=192P RS=0.25 VJ=0.7 M=0.35 BV=65)
; R" C1 z" j" c2 O1 X.ENDS

7 n7 F# _# x- H! W$ P5 O; y+ F) `

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