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功率MOSFET的栅极电荷特性

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    功率MOSFET的栅极电荷特性
    6 g# y+ G8 Y; H% `% ?

    - p8 I# t- l. a6 c, O在功率MOSFET的数据表的开关特性中,列出了栅极电荷的参数,包括以下几个参数,如下图所示。+ p8 k2 F& u9 [/ D+ q

    6 T! ?1 ~; J6 Q$ D
    % i3 x0 F8 d: b: |' `: A
    / }( E8 F+ c" [1 u$ K- i' V% D) Y0 {3 l6 ~6 e2 H0 `& v4 z
    Qg(10V):VGS=10V的总栅极电荷。
    1 i1 ^- b+ I7 G, M2 ~, F7 oQg(4.5V)):VGS=4.5V的总栅极电荷。
    9 o) p1 Q2 ~& j3 N* `& }0 oQgd:栅极和漏极电荷
      d8 k  n6 I: ?1 p6 yQgs:栅极和源极电荷" F. x- E. {6 x2 s! C
    5 I% i+ f6 ~. T0 e/ h) H: _: v% f
    栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中,栅极使用恒流源驱动,也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电,漏极电流ID由外部电路提供,VDS设定为最大额定值的50%。漏极电流从0增加到ID过程中,分别测量VGS、栅极充电时间,就可以计算得到栅极电荷值。
    3 W; ~5 ?  C- d1 T/ A" t, j3 M  ^4 ]

    2 B, w7 h% q% r) G+ h9 N" z7 ]$ R; a
    (a):简化的测试电路
    6 B+ |  S0 _$ G9 x2 k9 o
    - }" Q0 n! T6 k' D3 h7 B9 Q4 s% C6 D  {- E
    ; p9 n) P, ]- X, u# ^" e8 F. j
    (b):测试电路和波形2 ?1 d3 B1 {+ ^, Y; X0 y; |# q
    ' u* X7 f1 s1 ]' _

    ! p) ^2 ^" E: W& {2 {3 Y. _, c ) s9 y1 `3 U$ }2 _! f7 ?, {
    6 e, ~) u- `& R1 C# [; u9 V# Y
    (c):实际的波形$ y0 r3 z: _9 `
    图1:栅极电荷的测试电路和波形
    * i+ R5 P5 }6 o6 Q' {( Q
    6 `+ }0 |% V) O栅极电荷测试的电路中,需要用到二个恒流源:G极驱动充电的恒流源和提供ID的恒流源,因此测试的电路有下面不同的形式。
    $ a% s5 t1 k. W  ?
    : d7 c1 b( C) W; o- {; {) }& G 5 i. E5 r3 j5 A+ @& P, C5 O8 S5 \; z
    (a):ID由分立元件构成恒流源+ `& Y) q8 n0 I4 G# A2 m: ?
    3 M$ g+ k1 R& m7 `

    1 y% b- I3 |/ W
    + F7 n" W: \) Q- R8 @: ~" e(b):ID由电感构成恒流源% b3 h3 J( s. W7 _

    + z" L6 q4 G7 F4 }图2:栅极电荷的测试电路形式. U( A5 O% K0 D; w4 U

    7 O' i1 p# R1 u2 D" v# a* E图2(a)中,对G极恒流驱动充电的恒流源IG由测量仪器内部自带的恒流源提供,而ID由分立元件构成恒流源,其工作原理非常简单:就是利用功率MOSFET的工作于线性区的放大特性,调节G极的电压就可以调节电流的大小。不同的器件,所选择的外部恒流源的元件参数会有异差。8 @- i, A! |# D3 t7 V" l$ r

    # _, ?# l: g7 }8 G) z/ @/ g/ G3 b图2(b)中,ID由电感构成恒流源,相对而言, 这种方式电路结构简单,只是电流的精度不如上一种方式。# b/ j# S& p- ]- S0 j

    # c/ M- D: f, N) j7 o# H5 Z1 ^根据电容的特性:( s1 V! ]. A$ P4 c/ R4 P  W6 a5 d
    C·dv/dt = IG
    3 ^; S2 K$ G0 Y6 K3 H* z/ J. U6 d5 s. {) i
    可以得到:* ~! o! k. {8 y* }  z
    Q = C·dV = IG·dT1 R% E. l! S% X

    . w( N# @4 l0 I! }; @) i在图1(b)中,对应着不同的VGS的电压,由波形或仪器读出相应的时间dT,IG已知,就可以分别算出不同的栅极电荷。) Q1 {" C$ h* Q$ ]
    2 r, a# U& d) C. B/ _
    / f1 ~: m8 g6 u- g# Z
    Qg(10V) = IG·T4
    6 ?6 E& P% o8 s! [( @Qg(4.5V) = IG·T3
    3 g, M3 {% {) TQgd = IG·T2" u' g0 B2 V% b1 g, q+ i
    Qgs = IG·T12 Y) p4 c6 q+ K: z9 X

    ( L+ O3 Q7 o) C' ]7 Q% I; j6 @* l% I在实际的测试中,根据电容的大小,IG的值设定为不同的值:10uA、100uA、 1mA。测试条件改变的时候,如改变ID或VDS,实际测量的栅极电荷也会改变。
    0 D9 B& d0 G% |( H; _
    7 u. b. C" s8 f8 S" J0 G# u$ F5 }5 j; C! @1 o4 t
    图3中的测量结果,测量条件:VDS=160V,VGS=10V,VGS:2V/div,时间t:1us/div,电流大,米勒平台也高,栅极电荷值也稍有差异。
      t# _) |/ }$ U, b) l5 j# ^& M4 I$ P; ~% W, |! Y

    , ~. E5 ~/ O9 |2 T' M- U/ s
    * ?! ]3 B( H" C% i$ ^4 s
    # Z0 H4 t) h+ }: B# l  G; Y: j6 o' K9 c
    改变VDS,对应的特性如下图所示,随着VDS的增加,栅极电荷的值会改变,特别是QGD,电压越高,QGD越大。
    . \) Q& d! A+ k. J; l) Y% H% \6 T
    , I$ k( T+ E, k+ {: U- ^' P0 X
    4 G# `; s; K9 S* }+ P
    ' ]8 O4 t, Y# S6 R3 J) i; q( N& d( P! X, r: T& X

    1 j4 J- j* I% q( T) C; v数据表中栅极电荷的特性,栅极使用恒流源来驱动,VGS电压随着时间线性增加;实际的应用中,通常栅极使用恒压源来驱动,VGS电压随着时间以指数关系增加。
    : d0 X/ s6 i7 \; c- w; A7 E6 F8 x
    , R( X2 X3 Y" }6 i6 i# L
    / O; j7 j% r5 n+ u( f测量时使用恒流源驱动的原因在于容易计算栅极的电荷值。本质上,使用恒流源或恒压源驱动栅极,对于栅极电荷的测量没有严格意义上的影响。
    ! B: w  W' o/ L' R3 H7 R) P' v
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