STW33N60M2详细介绍

Cinderella0922

STW33N60M2详细介绍
2 Q% ~" m6 p- Y- g, ~
$ [6 R+ G& G/ y* n  @* Y描述
$ A6 K1 S9 G' U( H      这些器件是采用新一代MDmeshnM技术开发的N沟道功率MOSFET：MDmesh II Plus低Qg。这些革命性的功率MOSFET可以为公司的带状布局提供垂直结构，从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此，它们适用于要求最苛刻的高效转换器。

& Z+ L1 a( R* w" fSTW33N60M2应用
·切换应用程序
·LCC转换器，谐振转换器
- R( ^7 `- Q8 ^& o& L
特征
8 G7 H; k0 r- `0 M  z- R& N·极低的栅极电荷
·与上一代相比，降低RDS（on）x区域
·MDmeshnx II技术
·低栅极输入电阻
9 m" U$ [6 O5 l& D* P·100％雪崩测试
·齐纳保护
1 `, p  r1 e2 R: I
规格信息
0 K1 G$ z& r, k  i# n# T$ Q系列：MDmesh? II Plus
: h, e& e# I0 v$ JFET类型：N 沟道
- L" K4 V# E; ?+ I5 f技术：MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：26A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
+ j3 |( b4 t% X& m" O不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：45.5nC @ 10V
+ n! n6 n1 z* O; a不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1781pF @ 100V
2 A) {" v/ I* g" `8 UVgs（最大值）：±25V
& B. x6 W5 L2 A( e" A+ T功率耗散（最大值）：190W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：125 毫欧 @ 13A，10V
3 J$ U; V9 I' U工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
封装形式Package：TO-247
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：650V
2 W1 {+ m  ^! r: U1 x4 `连续漏极电流ID：26A
0 ^5 d0 g* m5 E7 Q
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