为何外部PA 可增加线性度

criterion · 发表于 2019-7-8 14:40

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假设目标功率皆为15 dBm, 请问上图哪一种方案, 会有较佳的发射性能?

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为何外部PA 可增加线性度.pdf (729.11 KB, 下载次数: 42)

冰茶168IC · 发表于 2019-8-17 22:32

DUP1988 发表于 2019-7-10 09:30! K6 f* F; M8 G, Y/ ^* E
只能说，外部PA比内部PA的性能更好。通常来说内部PA的性能会比外部PA弱，CMOS目前还是干不过砷化镓的，仅此 ...

赞！！！！

DUP1988 · 发表于 2019-7-10 09:30

只能说，外部PA比内部PA的性能更好。通常来说内部PA的性能会比外部PA弱，CMOS目前还是干不过砷化镓的，仅此而已

xiangtianxiao · 发表于 2019-7-8 14:43

谢谢分享

wj123 · 发表于 2019-7-8 15:38

什么是威望啊我这些资料都下载不来

wu6886 · 发表于 2019-7-8 15:39

下圖

Jamie_he2015 · 发表于 2019-7-8 15:50

谢谢分享。

a360393065 · 发表于 2019-7-8 20:14

wj123 发表于 2019-7-8 15:38: D& [% Q# b0 h5 ~5 k$ s
什么是威望啊我这些资料都下载不来

就是一种需要刷的东西、、、

roykinglove · 发表于 2019-7-8 20:20

学习一下

hyz12888 · 发表于 2019-7-9 08:25

汪洋大海 · 发表于 2019-7-9 09:06

这个分享只是对现有器件和现有器件工艺的评价。

汪洋大海 · 发表于 2019-7-9 09:07

从未来趋势看，PA 集成到收发芯片中更有优势。

freebigfish · 发表于 2019-7-9 09:21

不解

gdj0726 · 发表于 2019-7-9 13:44

好好学习

lotus_ · 发表于 2019-7-9 16:10

天天向上

我能行 · 发表于 2019-7-10 10:21

多谢分享

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