问个小问题！！！关于地平面电位差和Port端口EMI的问题？？？

we167527

提问：
7 R: K* `$ |) i: q5 A& j9 l, w

1）请问为什么AB两点点位存在差异。Port端口处的EMI为什么就会大幅度增大呢？？？
这个共模辐射是怎么产生的呢？？？
# Y4 Y( e* K# |$ ~! A# u! Q
6 b) R, ^' o3 U/ b, e  j4 j! f2）辐射增大的原因主要是GND平面的高电位处的电流流向低点位处而产生的呢？？？
还是通过共模信号产生的呢？？？还是说都有这两个原因呢？？？
电流的路径又是怎么流的呢？？？
7 y- R2 Q( a4 B+ G
% O9 R1 |( B* [7 e
: b; Z: ^3 a  f

wu6886

想了解
- l  b+ v$ A: v; k( {1 Z$ X# u

haiyun0921

AB两点电位跟电流流向有关，缺口导致电流路径变长，形成电压差，这个电压差就加在port口的线缆上，成为非常高效的辐射天线

Smart000123

看看

we167527

haiyun0921 发表于 2019-6-20 14:56
& i' }$ ?/ X; a0 @$ V3 b  X$ QAB两点电位跟电流流向有关，缺口导致电流路径变长，形成电压差，这个电压差就加在port口的线缆上，成为非常 ...

您的意思是说辐射来源是GND平面的AB两点的电位差！而不是共模信号带来的辐射吗？？？
; g! Z% x0 y3 Y0 H) z2 v5 g* w1 c( w