K9F4G08UOD-SIBO小知识

Cinderella0922

K9F4G08UOD-SIBO小知识
: f! u8 G' L, v
; w( i$ n$ Q" @7 `一般说明
# E7 c& L' J) l* L      K9F4G08UOD-SIBO采用512Mx和位，是一款带有备用128M位的4G位NAND闪存。其NAN D单元为固态应用市场提供了最具成本效益的解决方案。在（2K + 64）字节页面上可以在典型的200 us中执行编程操作，并且可以在典型的1.5ms内执行擦除操作。 （128K + 4K）字节块。数据寄存器中的数据可以每个字节25ns周期时间读出。 I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写入控制辊可自动执行所有程序和动作功能，包括必要时的脉冲请求，以及内部验证和数据裕量。即使是写密集型系统，也可以通过提供ECC（纠错码）和实时映射算法，充分利用K9F4G08UOD-SIBO的100K编程/电子周期的可扩展可靠性。 K9F4G08UOD-SIBO是大型非易失性存储应用的最佳解决方案，例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用。

7 b7 V$ F6 [/ e4 _7 O( t$ l5 v特征
·电压供应
( p7 i0 J/ k+ L1 \-2.70V?3.60V
# Y( O8 @: L+ [; K+ [·组织
, J1 @6 Y6 ?! c8 g-Memory Cell Array：（512M + 16M）x8bit
4 t( f+ h% c- ]8 _ - 数据寄存器：（2K + 64）x8bit
2 h3 z9 A) U$ L% }·自动编程和擦除
8 v: Z' t' X. G9 f- r2 Y  c-Page Program：（2K + 64）字节
4 w* L. q5 \/ _; y - 块擦除：（128K + 4K）字节
·页面阅读操作
- 页面大小：（2K + 64）字节
# Z# @+ o& b5 t9 L-Random阅读：25us（最大）
8 z9 t/ L6 g: Q6 M, G) \& z - 快速访问：25ns（最小）
( l; v/ T1 L3 U% \8 s·快速写周期时间
-Page Pro gram time：200μS（Typ。）
- 块擦除时间：1.5ms（典型值）
·命令/地址/数据多个xed I / O端口
·硬件数据保护
! _* w" b' j7 { - 电源转换期间的程序/擦除锁定
  R1 _7 {# p9 k8 ]" g·可靠的CMOS浮栅技术
1 ]+ b& p- @$ l - 续航：100K编程/擦除周期（1位/ 512Byte ECC）
$ {$ V/ j, D9 ]/ p+ g - 数据保留：10年
: g4 ?, O3 j/ a4 s7 u# [·命令驱动器操作
·智能复制，内置1bit / 528Byte EDC
6 g! G3 y) x2 l: O, D' ^* r0 T7 B·版权保护的唯一ID
·封装：K9F4G08U0A-PCB0 / PIBO
48引脚TSOP I（12x20 / 0.5mm间距）
K9F4G0800A-ICB0 / IIBO
8 G) a4 A( {8 E$ Y7 e52引脚ULGA（12x17 / 1.00mm间距）
-K9K8G08U1A-ICBO / IIBO
52引脚ULGA（12x17 / 1.00 mm间距）
+ f, t6 ^& y! A) M6 A