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HY27US08561A-TPCB详细介绍
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+ k. e: S6 }! ?; b( y" V9 s1.总结说明" y4 J$ m9 E: O7 L4 d
HY27US08561A-TPCB是32Mx8bit，具有备用8Mx16位容量。该器件采用1.8V Vcc电源和3.3V Vcc电源供电。其NAND单元为固态大容量存储市场提供最具成本效益的解决方案。存储器被分成可以独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据时保留有效数据。该器件包含2048个模块，由32页组成，包含两个16 D串联闪存单元的NAN D结构。编程操作允许在典型的200us内写入512字节的页面，并且可以在16K字节（X8器件）块上的典型2ms内执行擦除操作。页面模式中的数据可以每字节50ns周期时间读出。 I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。该接口允许减少引脚数量并轻松迁移到不同的密度，而无需重新布置占位面积。
$ F: v( H( R3 r! v* x, ~ 使用CE，WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。片上编程/擦除控制器自动执行所有编程和擦除功能，包括脉冲重复，必要时，内部验证和数据裕量。输出引脚R /（开漏缓冲器）在每次操作期间发出器件状态的信号。在具有多个存储器的系统中，R / B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。即使是写密集型系统也可以通过提供具有实时映射输出算法的ECC（纠错码）来利用HY27US08561A-TPCB扩展的100K编程/擦除周期的可靠性。芯片可以提供CE无关功能。该功能允许通过微控制器直接从NAND闪存设备下载代码，因为CE转换不会停止读操作。复制功能允许优化有缺陷的块管理：当页面编程操作失败时，数据可以直接编程在同一阵列部分内的另一个页面中，而不需要耗费时间的串行数据插入离子阶段。6 o8 e8 ~& ~* x, H" h4 u8 A
该设备还包括额外的功能，如OTP /唯一ID区域，块锁定机制，上电时自动读取，读取ID2扩展n。Hynix HY27（U / S）S（08/16）561A系列提供48-TSOP112x20mm，48-USOP1 12x17mm，FBGA9x11mm。
* h$ ]* j2 |; X+ p6 F
1 k3 T. _! w o( A- z ?2.功能概要5 r# J' w$ b1 F, P) [
*高密度NAND闪存, H" ]" c) N7 P3 @, Y2 P9 r" }1 v
-为大容量存储应用提供有效的解决方案4 H9 R$ M- g( P2 r' |$ Z
* NAND接口7 y) z+ c/ D% H& T( x6 r
-x8或×16总线宽度。* ]' c, g3 C( R* c3 d/ j, H4 ?: I
- 多路复用地址/数据
3 X- O9 A+ Q1 H7 V - 适用于所有密度的兼容性
! v) ]+ i5 b) B1 C# K! M1 v*电源电压: m! W" U3 O) C; h [7 k
-3.3V器件：VCC = 2.7至3.6V：HY27USXX561A& Z2 D7 d- E3 I8 x: i
-1.8V器件：VCC = 1.7至1.95V：HY27SSXX561A1 Z) @& h8 V+ S o& U
*内存Cel1阵列
, V0 i' T( K- e=（512 + 16）字节x32页数x2,048块 f! k3 A+ e6 H# k" l( L
=（256 + 8）字x 32页x2,048块6 w1 l& L* }& k' |; Q
*页面大小) N, `! E1 g+ O
- ×8设备：（512 + 16备用）字节$ S& O/ X6 t" K- `8 {% R( j- m$ }
：HY27（U / S）S08561A0 s2 J; V8 _% g3 h: G" C. v
-x16device：（256 + 8spare）单词% x7 J) M# ]! m6 w6 ?3 I% E! N" d
：HY27（U / S）S16561A
( c3 w! p& K$ m; c# K
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发表于 2019-6-15 14:08
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