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HY27US08561A-TPCB详细介绍
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7 h# |' p$ U9 a- M: ]5 |1.总结说明( e$ b1 v, N- R ^8 t- V2 E% i1 q
HY27US08561A-TPCB是32Mx8bit，具有备用8Mx16位容量。该器件采用1.8V Vcc电源和3.3V Vcc电源供电。其NAND单元为固态大容量存储市场提供最具成本效益的解决方案。存储器被分成可以独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据时保留有效数据。该器件包含2048个模块，由32页组成，包含两个16 D串联闪存单元的NAN D结构。编程操作允许在典型的200us内写入512字节的页面，并且可以在16K字节（X8器件）块上的典型2ms内执行擦除操作。页面模式中的数据可以每字节50ns周期时间读出。 I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。该接口允许减少引脚数量并轻松迁移到不同的密度，而无需重新布置占位面积。
( F6 R. y9 `$ G4 y0 s' J 使用CE，WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。片上编程/擦除控制器自动执行所有编程和擦除功能，包括脉冲重复，必要时，内部验证和数据裕量。输出引脚R /（开漏缓冲器）在每次操作期间发出器件状态的信号。在具有多个存储器的系统中，R / B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。即使是写密集型系统也可以通过提供具有实时映射输出算法的ECC（纠错码）来利用HY27US08561A-TPCB扩展的100K编程/擦除周期的可靠性。芯片可以提供CE无关功能。该功能允许通过微控制器直接从NAND闪存设备下载代码，因为CE转换不会停止读操作。复制功能允许优化有缺陷的块管理：当页面编程操作失败时，数据可以直接编程在同一阵列部分内的另一个页面中，而不需要耗费时间的串行数据插入离子阶段。 J7 L# M4 e6 s
该设备还包括额外的功能，如OTP /唯一ID区域，块锁定机制，上电时自动读取，读取ID2扩展n。Hynix HY27（U / S）S（08/16）561A系列提供48-TSOP112x20mm，48-USOP1 12x17mm，FBGA9x11mm。
& w$ {4 g" d, v: C4 R! o' ~7 w
7 P$ }+ C1 e9 l) o* E. L2.功能概要
' ^8 p4 D6 P+ U0 o! L*高密度NAND闪存1 e; {9 u8 @: j0 m
-为大容量存储应用提供有效的解决方案/ l3 Y( p6 O/ x2 d) `# [
* NAND接口
% L5 B$ X- _5 o* p% C( j5 U -x8或×16总线宽度。
5 D3 U- c2 G( x9 k: j - 多路复用地址/数据5 [8 _- B9 K" F. a9 y
- 适用于所有密度的兼容性
/ Z I- T. r& W7 u+ X5 L- E*电源电压6 D |* I+ ^" j/ e
-3.3V器件：VCC = 2.7至3.6V：HY27USXX561A: L v& s" H/ L- R7 r9 Z
-1.8V器件：VCC = 1.7至1.95V：HY27SSXX561A4 N% O, W& P. d; J' W" Z+ `. m
*内存Cel1阵列3 i0 }* M, W$ q4 J& J! \6 }
=（512 + 16）字节x32页数x2,048块6 x. _; R/ N9 l* W4 t* o* I
=（256 + 8）字x 32页x2,048块
L8 \3 i" v) y% C0 d' K*页面大小- c& V9 b% J+ X) ]/ P1 Z. j
- ×8设备：（512 + 16备用）字节
( d' c: j. R9 f：HY27（U / S）S08561A9 F$ H" F% E( Z
-x16device：（256 + 8spare）单词
% y% D( j7 Z% O7 O- w. f X：HY27（U / S）S16561A
8 b& N. |7 J- a. `9 b7 K% W
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发表于 2019-6-15 14:08
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