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射频电磁场辐射抗扰度 

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发表于 2019-6-13 13:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 zophim 于 2019-6-13 13:49 编辑 2 o( [, ^3 ], u" K. y& U1 s- [
) C  J6 R, S, V9 T9 z& w# M
射频电磁场辐射抗扰度---标准上给出的试验场强是未调制的载波信号,但作为试验设备,要用1KHz的正弦波对载波信号进行80%的幅度调制来模拟实践情况。( {/ \' y0 z. u3 H
对此不能理解:" p  }+ G7 {9 @& H
1)为什么不直接用试验场强呢,必须要用载波信号调制?) s& b+ m- X: u4 [1 Q2 c6 a% C
2)为什么不是全调制只是80%呢?% I- X/ W1 A7 Z( }1 l2 d: l, T  \
3)信号调制有什么物理意义呢?

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2#
发表于 2019-6-13 13:48 | 只看该作者
这个得看应用范围吧,CMOS属于传统的,应用范围广;MMIC属于新兴的半导体技术,应用范围主要集中在RF领域。

该用户从未签到

3#
发表于 2019-6-14 13:19 | 只看该作者
这个怕难说呢
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