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射频电磁场辐射抗扰度 

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1#
发表于 2019-6-13 13:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 zophim 于 2019-6-13 13:49 编辑
6 L% z+ y+ V- A* y) M
6 r, M. J* ~/ v# @2 m射频电磁场辐射抗扰度---标准上给出的试验场强是未调制的载波信号,但作为试验设备,要用1KHz的正弦波对载波信号进行80%的幅度调制来模拟实践情况。4 w2 O; \  }- P3 R
对此不能理解:
, N& q5 [9 w' [; N6 g7 j) x1)为什么不直接用试验场强呢,必须要用载波信号调制?
& Q( r; w6 h# E6 E$ {6 C1 [* T; G2)为什么不是全调制只是80%呢?
! [4 ?8 S( @  @% B$ A4 X  ~0 u/ j3)信号调制有什么物理意义呢?

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2#
发表于 2019-6-13 13:48 | 只看该作者
这个得看应用范围吧,CMOS属于传统的,应用范围广;MMIC属于新兴的半导体技术,应用范围主要集中在RF领域。

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3#
发表于 2019-6-14 13:19 | 只看该作者
这个怕难说呢
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