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射频电磁场辐射抗扰度 

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1#
发表于 2019-6-13 13:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 zophim 于 2019-6-13 13:49 编辑 / R8 s1 G) |1 D5 H1 I2 W( Q( ^# @

4 J. l- e8 M% p5 Z) h, g射频电磁场辐射抗扰度---标准上给出的试验场强是未调制的载波信号,但作为试验设备,要用1KHz的正弦波对载波信号进行80%的幅度调制来模拟实践情况。+ n) y% X7 J( F0 J8 H
对此不能理解:
/ }) m4 O" S3 {1 R2 B' s* A1)为什么不直接用试验场强呢,必须要用载波信号调制?1 d* `. S* K7 ]7 p7 Y/ ]8 \
2)为什么不是全调制只是80%呢?
& f  i) T& O6 w  k/ s. Y6 S7 c, y3)信号调制有什么物理意义呢?

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2#
发表于 2019-6-13 13:48 | 只看该作者
这个得看应用范围吧,CMOS属于传统的,应用范围广;MMIC属于新兴的半导体技术,应用范围主要集中在RF领域。

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3#
发表于 2019-6-14 13:19 | 只看该作者
这个怕难说呢
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