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NC7NP34K8X-NL特点介绍

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发表于 2019-6-4 16:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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NC7NP34K8X-NL特点介绍: s3 \0 {8 G; L1 _4 a  h
9 e) A% q1 R" @
概述( q. K! N6 b9 f5 h. t
      该NC7NP34K8X-NL是飞兆半导体的超低三重缓冲功耗(ULP)系列TinyLogic的应用的理想选择其中,电池续航时间是非常关键的,这款产品是专为内伏超低功耗cc操作0.9V至8.6V的V系死C该内部电路由最小逆变器的阶段,包括输出缓冲器,以使超低静态功耗和动态功耗。1 S# z: ?" Y# [$ W0 J3 s* y0 ^
       该NC7NP34K8X-NL是专为优化的电源和速度,并且被制成与先进的CMOS技术来实现高速,低噪音运行,同时保持极低的CMOS的功耗。
- z* k7 M3 D! _3 ]! F/ b5 k- W; f( C& h. @
特点
# h& T0 d* D- Y; O7 F5 |-节省空间的封装US8
) j$ |6 r6 G+ l. b2 A9 w-超小型的Micro Pak无铅封装. h& X" W" f  ]
- 0.9V至3.6V-电源供电: S) z, N: Y" D3 E1 \7 M
-充容的3.6V过压的I/O在VccO.9V至8.6V8 l/ b! {2 [7 k. r& n" w8 n
-TPD( t3 h2 [/ m, Y' a3 W
4.0ns的典型工作电压为0V至3.6VV
. [7 z1 {2 K% f, r; U4 n1 W5.0纳秒典型为2.3V至2.6V3 O/ h, |. T% D7 x6 v& b; F; z5 {
6.0纳秒(典型值)为1.65歪1.95VV# G& `9 R. b! j! y% A
7.0纳秒(典型值)为1.40至1.60VV
0 X! F/ |1 M0 _7 f5 A1 ~# z# r11.0纳秒(典型值)为1.1/至1.30VV
. k, h3 G+ w1 w: |, G27.0纳秒(典型值入泡0.90VV8 X( ?- A1 w# L& M5 g
-断电高阻抗输入和输出  O. _$ X8 b3 L# m" D( W, E5 W
-静态驱动- h3 H6 V! d  {$ z$ J/ U( u* K
2.6毫安@3.00E/
" S: W9 i" |4 Y) S6 {+ G- }2.1毫安@2.30y
- }) f* r* O  k1.5毫安@1.65/; B& }8 ?3 f# X
1.0毫安@1.40/% y+ Q, B9 [; _3 x
0.5毫安@1.10℃y
' ]% B8 k; Y/ ]) Z6 c- d* P20A@0.9VC
2 g4 {+ g5 L: I-采用的设计技术低噪声开关
# y7 d/ i, k6 e6 L7 g 宁静系列阑声/EM抑制电路& x0 [' w% {8 T' E5 Z& S% z
-超低功耗动态; w. q; g* S! f' q

( m& P: L6 y. y3 x5 m+ Z
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