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NC7NP34K8X-NL特点介绍

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发表于 2019-6-4 16:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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NC7NP34K8X-NL特点介绍& g8 c9 r+ f# N
4 P- ]5 e/ x0 \7 a4 B; N, n
概述
, s2 q5 ~: [. x: N      该NC7NP34K8X-NL是飞兆半导体的超低三重缓冲功耗(ULP)系列TinyLogic的应用的理想选择其中,电池续航时间是非常关键的,这款产品是专为内伏超低功耗cc操作0.9V至8.6V的V系死C该内部电路由最小逆变器的阶段,包括输出缓冲器,以使超低静态功耗和动态功耗。
* h) b! Y7 \, {$ i/ q) ~       该NC7NP34K8X-NL是专为优化的电源和速度,并且被制成与先进的CMOS技术来实现高速,低噪音运行,同时保持极低的CMOS的功耗。6 I! b; T! B' u' B& }' V
5 G; \0 N: r+ R1 J* V
特点2 @0 A' G) s/ w7 R; U! T  Y. X
-节省空间的封装US85 ?/ V& T4 o5 E
-超小型的Micro Pak无铅封装
. @, @. c( L6 {& h$ L3 m% u% m  h- 0.9V至3.6V-电源供电" V. i7 o) W2 m% U& i
-充容的3.6V过压的I/O在VccO.9V至8.6V5 y1 r  K3 S* L) J
-TPD  M9 `9 [% Q9 N% v; l8 k( j7 @
4.0ns的典型工作电压为0V至3.6VV
2 _0 V' ~( C! [& [- b" t5.0纳秒典型为2.3V至2.6V* d  z, W( u* g3 d, N# A$ W3 r
6.0纳秒(典型值)为1.65歪1.95VV) j; r: K7 I  J% w
7.0纳秒(典型值)为1.40至1.60VV
! S' D; p% K4 N! h11.0纳秒(典型值)为1.1/至1.30VV
' ^- @# o/ D6 B* P- s1 g/ s1 l( f+ C27.0纳秒(典型值入泡0.90VV; ~- U! m, [" u( w' x9 M
-断电高阻抗输入和输出( _) K( R. l2 K8 L2 m6 e" N8 K- p) Y
-静态驱动  G- y) `# x. \
2.6毫安@3.00E/
# d, ]& R  l) Y: l/ A2.1毫安@2.30y
/ Z6 H0 S. S% s) [5 y3 E2 l- o/ h* p1.5毫安@1.65/& P: F. \/ H* ?& W) x
1.0毫安@1.40/, N5 E6 e6 ~* f5 K/ \2 r6 B$ J% Y
0.5毫安@1.10℃y
4 J$ y! F9 ^6 Z20A@0.9VC
" u: x  j4 K% m-采用的设计技术低噪声开关+ J3 ~6 J, F3 a) g  L6 ?% H: v, R
宁静系列阑声/EM抑制电路: U) P% u6 i6 B; P
-超低功耗动态
' {! [" G6 o$ z) B; P7 Y; g5 `7 s- L. T* j- P: J& L( k9 v( s
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