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基于VHDL的SRAM 的读写访问程序 % z3 m8 g( v: M" [( I9 Q
. c% u7 f9 {0 @6 f: Q B/ g# K本文中的SRAM 指ISSI公司的IS61LV25616 ,本问中读数据采用简单的地址控制方法.写采用SRAM标准的写时序.$ d) F' J2 T3 J* ?1 S
说明:& r: j9 x* G( l- S6 L! A) A
软件规划如下: 采用VHDL作为设计输入语言!& \( O' f! z; ]8 X
内部控制端口: 地址输入[17:0]
" x( y* L! {2 @4 g 数据输入[15:0]
) c6 L3 A- V" x# z d# o 读写信号R/W#, 高电平表示读信号,低电平表示写信号% N0 k V+ C$ t
数据输出[15:0]7 j8 c2 R7 j1 @; `0 L6 e
SRAM 接口 : 地址输出[17:0]2 c" F( [6 t/ Y' X: R1 K- G
双向数据总线[15:0]
9 t0 U( O& u ^4 ~' [" @/ o 片选CE#% Z0 J. {% ^& k
读OE#2 g6 @2 O; l2 W4 e7 q+ a) L$ g Y
写WE#8 G' E0 t' R& K5 z& u, ?$ Q2 O
LB#,UB# 一直有效2 D3 R4 g2 f3 b) F
3 G3 R I& \+ F& {: H
) Y+ S" A9 Q# B0 j" ?/ M: j1 x& ^: L% Z* w( L* [% b6 o: i0 h; F
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发表于 2019-5-29 10:23
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