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基于VHDL的SRAM 的读写访问程序
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9 J0 J: m9 a; [& I: C0 W& S& I# S本文中的SRAM 指ISSI公司的IS61LV25616 ,本问中读数据采用简单的地址控制方法.写采用SRAM标准的写时序.
/ [% {1 p' b4 \ K8 {说明:
: T1 N0 l9 c+ s7 @: e( a8 S! m 软件规划如下: 采用VHDL作为设计输入语言!
7 m- l' T$ w9 k! e/ l. G 内部控制端口: 地址输入[17:0]
) F# |% h1 I4 g4 u( k1 {; j* \ 数据输入[15:0]% W% h5 H3 }! |- U
读写信号R/W#, 高电平表示读信号,低电平表示写信号
+ n, h( }2 P$ w8 | 数据输出[15:0]
2 b1 }" L( t; x6 p/ f* N# K SRAM 接口 : 地址输出[17:0]
% n; @" w; F0 Q: w 双向数据总线[15:0]$ [ }) L3 C- }! r" l3 O
片选CE#0 [+ [# t+ O0 S4 N, n
读OE#2 Z8 Y# Z7 G A: j; t0 b
写WE#% V" ~% w3 M R- q4 W
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发表于 2019-5-29 10:23
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