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开关电源-如何入门

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-5-29 09:52 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    开关电源-如何入门
    # ^8 z) M  T' L1 W2 U5 Y+ F( M

    7 T" N1 e+ o9 }在我们的设计电路中,不可缺少的部分就是电源了,以前做电路电源是用工频变压器降压然后整流,后来流行开关电源了,就直接买开关电源模块。
    - J8 |$ Z, x9 O0 D( J7 b4 d一直很好奇这开关电源模块,想把它直接画在自己设计的电路中。开始找一些开关电源书籍学习,下载网上各种资料、变压器设计软件等等。于是就慢慢了解了开关电源布板的注意点,对它的PCB设计有了一些了解。然后就抄别人的电路,变压器也让别人去抄,发现抄出来的电源能用,但是心里一直不放心,不知其原理。4 p8 }. d$ p: z% ?) p1 O

    * h1 r( |2 v% P% J( K  g接着就是长时间的茫然,看各种经典书籍,但是就是觉得没入得了门,是懂非懂!后来做了一款简单的5V反激式开关电源,于是便想从此入手,针对反激式开关电源重点学习,仍然是茫茫然。很多书中有许多公式,但抓不住重点,就是一头雾水!变压器有各极匝数、匝比、各极电感量等参数,究竟先确定哪个,是如何确定的?后来终于偶然情况下,抓住了反激式开关电源的两个重要公式,才对它有了初步的了解。
    ; b! `5 D, n% R! n ' S: q7 [! z( _" u7 I: X

    ; x4 p  [- s1 p! [  G0 I
    . c+ ~5 n7 ?3 Z3 V4 F9 p% W, f0 L! [

    5 R, G- f2 s2 Y6 h% l3 O( b2 s& n8 c: R" u5 p9 h1 u/ ]
    % ^; a8 p. y3 a4 P' c8 u* b5 `

    7 A9 b1 \% h2 z/ B1、确定初级电感量Lp(有是资料是确定Ls,所以导致我混乱不清,其实原理一样)( y4 z' a( q$ B3 L% ]0 n
    3 E% q% N# i- A
    反激式开关电源工作原理就是,MOSFET开时将能量储存在变压器初级电感中,MOSFET关时能量在释放到次级电路。那么每个周期的储存的能量就等于
    & H- W$ e3 D6 e) W9 h* cMOSFET开时储存能量,公式:1/2 *ΔI*ΔI*Lp
    ) ~& {" c+ K! B1 u/ ^) `5 ^' A& o( {% y2 N; r" v
    在这里我也郁闷了半天,关于反激式变压器的DCM模式和CCM模式,究竟选哪个,该怎么用!一头雾水!建议从DCM模式开始比较简单,DCM就是每个周期变" C! ~/ D, E; S6 _/ F9 E
    压器的能量都释放掉,就是电流不连续。DCM模式下:所以上面的公式ΔI就是初级最大电流Ip,Lp是初级电感量。公式为1/2 *Ip*Ip*Lp
    + b( s; v2 C) V  i9 ?, @, D5 {: F6 V! W( Y
    如果知道开关电源的输入功率,那么开关一个周期的能量我们也知道了,公式:Pin*T。Pin是输入功率,T是开关一个周期的时间。那么变压器每个
    0 K2 X: j1 [5 Y1 h: p1 ~7 e- [- G周期存储的能量,那么以上两个公式应该是相等的。所以Ip*Ip*Lp = 2*Pin*T。(公式1)
    ; K/ u2 a5 {/ i  S2 N
    6 N* S0 [7 S3 V- x还有一个公式我们很早就知道的电感的电压和电流之间的公式:U=L*di/dt,关于这个公式要搞清楚因果关系,不是因电流的变化量才有电感电压,而5 E! k$ h& Y( V
    是在电感两端加了一定的电压U,电感中的电流才会随时间的增加而增加(这个理解很重要)。如果这么理解的话,就很好搞懂MOSFET开时,变压器初级电. r! p" X5 b, ^" B; e9 h
    感的状态。
    / w6 E" O* K/ c7 Q. T, J5 o  r7 |& @/ o* ?% G* \" A% x
    在MOSFET开,加在初级电感两端电压为Uin,如果MOSFET开的时间为Ton,则上面公式就等于Uin=Lp*Ip/Ton 也就是Lp*Ip=Uin*Ton(公式2)
    & T7 Y: V, `' y& j( S' G7 u公式1比公式2得 Ip=2*Pin*T/(Uin*Ton)  W  e& Y* e$ `  {3 v5 F; z

    " Y$ a1 c1 g0 v1 P' d  则Lp=(Uin*Ton)*(Uin*Ton)/(2*Pin*T)+ h; X6 P5 S- j1 \/ _2 e5 r9 j! V

    0 S0 g  e# P& d' J# [上面两个公式中,我们需要保证在最低电压时,最大占空比情况下能够工作,则Uin为最小输入直流电压、Ton为最大占空比时开通时间。这两个值待
    ( u6 ^7 ^, a+ }8 ^4 V5 D* f以后水平提供,再进行公式计算,在85Vac~265Vac宽电压输入范围,经验值最小输入直流电压Vin=85V,占空比0.45到0.5,这样Lp就确定了!
    " a: F7 N( F. d+ P  W3 A' i3 Y5 Q
    ) d" h( ]9 n( n  a公式1和公式2是基础,要理解其本质!了解这本质就会明白一下参数的作用,比如实际生产时,Lp偏小会什么情况,根据公式1,输出功率不变的情况
    : k. a  R! x# t% @4 s下,则Ip偏大,则要考虑MOSFET的电流余量够不够?次级Is电流则增加更多(Is=N*Ip),整流管电流余量够不够?温升行不行?当然它也给我一个设计大功# v7 v( V6 Z" s3 U, L. C5 f
    率的提示,电感量要变小,由于刚才的那些问题存在,电感量不能无限变小,所以就有了CCM模式
    5 _6 b: ]2 m7 U7 Z' a
    : W! a, g& R  V& P
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