TA的每日心情 | 奋斗 2019-11-20 15:07 |
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签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
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摘要
b Y1 y3 n8 n+ n相比以前的 DDR 技术,新的 DDR4 标准除了数据速率更快以外,还包含其他变化,
) F1 [7 h, j4 C/ `9 y! \5 x! B) e而这些变化将会对电路板设计工程师产生影响。DDR4 中的新因素,例如不对称端接
+ q. o' F( D, r; j方案、数据总线反转和利用眼图模板验证信号等,都需要通过仿真验证设计的新* E! O3 S: M; k& @
方法。本文研究了 DDR4 伪漏极开路 (POD) 驱动器对数据总线信号传输的影响,并
2 o0 A/ y3 L/ @: M1 P( _, |介绍了动态计算 DRAM 内部 VrefDQ 电平以进行数据眼图分析的方法论,生成和验
. z. ]8 S& y+ t( X证数据眼图的方法论,以及将写入均衡和校准整合到仿真中的方法。此外,通过
x; w6 K) S7 ~6 H' ?3 Y1 G2 y( c将电源完整性效应纳入信号完整性分析来评估同步开关噪声 (SSN),对于电路板设
( j3 @. A: s" f1 W: L计和时序收敛也很重要,本文将借助示例加以阐述。本文还将描述一个采用 IBIS 5.0
9 f& b _: {2 x) P* C& {. }" v功耗分析模型的系统设计示例,其中包括比较了 IBIS 结果与晶体管级模型以研究仿
, t% L5 }7 b0 v+ Z$ e- W真精度。
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