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MOS管开关时过冲很大

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  • TA的每日心情

    2019-11-20 15:36
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2019-4-29 09:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    " P: e, Z+ A9 B) G/ a下面是电路和实际测出的波形,上升和下降都有很大的过冲,这个要消除掉呢
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    点评

    谢谢分享!: 5.0
    後面有電感性負載嗎?  发表于 2019-4-29 09:45
    谢谢分享!: 5
    夭壽喔~@_@!!!  发表于 2019-4-29 09:43
  • TA的每日心情

    2019-11-20 15:36
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
     楼主| 发表于 2019-4-29 10:01 | 只看该作者
    没有接负载呀,用的1欧姆的负载电阻测试的@超级狗, s* _7 l8 O/ \  A& [

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-4-29 10:26 | 只看该作者
    NMOS做开关管,S端直接接地,负载放在高端,即D端会好些吧!
  • TA的每日心情
    开心
    2025-8-23 15:02
  • 签到天数: 1192 天

    [LV.10]以坛为家III

    5#
    发表于 2019-4-29 11:41 | 只看该作者
    开关瞬间,栅漏之间的电容,栅源之间的电容会形成通路,输入稳定后,晶体管导通内阻会起作用,这样就会造成电流不相等
  • TA的每日心情
    开心
    2025-8-23 15:02
  • 签到天数: 1192 天

    [LV.10]以坛为家III

    6#
    发表于 2019-4-29 12:10 | 只看该作者
    本帖最后由 niuth 于 2019-4-29 12:24 编辑
    # u6 A9 `0 x- {5 N9 ~* l5 ]; a- m6 }) X7 ]9 |4 H
    R7存在感性?输入频率为10M?信号边沿更高,器件内部也有感性,不能忽略,并一个续流二极管试试。尖峰易击穿晶体管的栅源之间的绝缘介质。一般负载应放在漏极,负载放在源极对器件导通也会有影响。
    5 |: V' f" S& {7 s
    * s+ w/ V0 [. m  p$ @6 [- K+ N4 H, H

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-5-5 14:15 | 只看该作者
    MOS管本身电容太小,R3并接一个电容来调整就可以了。

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2019-5-5 15:17 | 只看该作者
    另外一种方式,加大R5电阻;阻值不够的话R3也要加大。

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-5-7 14:39 | 只看该作者
    解决这种问题,一般都是:降低驱动端电流能力、提高被驱动端容性负载

    点评

    谢谢分享!: 5.0
    谢谢分享!: 5
    说的很有道理,两种方式已经验证  发表于 2019-5-9 15:02
  • TA的每日心情
    开心
    2025-5-28 15:02
  • 签到天数: 334 天

    [LV.8]以坛为家I

    11#
    发表于 2019-5-9 15:02 | 只看该作者
    学习了,想问楼主这个开关控制用在什么电路上?

    点评

    激光器  详情 回复 发表于 2019-5-17 15:59

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2019-5-13 17:07 | 只看该作者
    负载端放个电容试试;另外NMOS做开关的话,负载一般放在电源和NMOS之间
  • TA的每日心情

    2019-11-20 15:36
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    14#
     楼主| 发表于 2019-5-17 15:59 | 只看该作者
    海星karie 发表于 2019-5-9 15:02
    ) J/ M: {$ i- s' b- ^学习了,想问楼主这个开关控制用在什么电路上?
    # U) m6 B) o. K, ]
    激光器
    . K" [$ a: d6 R5 I- m
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