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讨论:两种开关电路功耗的比较

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1#
发表于 2019-4-24 11:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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方案一:% [% b+ o) j8 x, k/ f
& e- S7 f" I" N; O
! X+ l4 ]9 V* k5 F) S' O
方案二:
( `- y# F+ T; m' a2 n: t 5 p) v+ Q* j; F8 z- @2 e
请问这两种开关控制电路,那种的功耗会更低?8 {3 U) O% W( {( `$ u

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 楼主| 发表于 2019-4-25 22:39 | 只看该作者
huo_xing 发表于 2019-4-25 14:13
& ^. o- u, h" X) A2 T; N9 n+ A# R估计你没搞清问题关键。
7 s' E* Y/ d2 @& {- U# X1 S图二一般用在高压,你把图一的3.3V改成12V看还能不能工作。1 P. I: ]( m' F9 z1 {5 w* \( L  u
还有,这两个图纸一 ...

; K. h" g2 ^4 ]; K6 u4 q# A* H- I, U. |: E3 w; K* o  S0 V
我找了下论坛以前的帖子,这个是特邀版主对这个问题的回答% y% p3 Y/ M% I; m
P 型 MOS 管當電源開關,如果沒有三極管 OC 門配合,需要注意幾件事:8 P2 G4 w, v  [5 Z2 ~$ k' Q1 ]3 u7 J" x9 C
. O3 f$ f1 Y6 P2 R0 [1 E
  • 閘極Gate)控制電平不得低於被控制電源,P 型 MOS  管 Vgs >= Vds 才會關閉。如果你用 1.8V 直接控制 P 型 MOS 管開關 3.3V,通常會有關不掉的問題。
  • 哀西IC)不給電前管腳未必是高阻抗Hi-Z),被控制電源有可能透過控制管腳漏電進哀西IC),輕則功能異常、重則燒毀哀西IC),這個問題發生過很多案例了。
  • 閘極Gate)控制訊號通常來自單片機MCU),重置Reset)未完成前管腳狀態不確定,系統給電的瞬間可能會造成電源短暫開啟,容易造成系統誤動作或功能異常,例如燈號或屏幕背光閃一下,馬達轉動一下……等。
    2 c+ D. c5 H6 s  |" {
我的应用是3.3V,问题1应该不存在。电路一问题2和问题3都存在。电路2的晶体管我的理解可以起到隔离保护的作用。6 _7 \+ ?" o. \* E1 G9 t- h. W
针对您说的问题3对两个电路都存在,我的理解:电路二加了晶体管后由于结电容效应,会起到一个缓启的作用,不会有问题3的现象。
0 Q& \' u; C1 F4 _老帖链接:# S# ~+ E7 a2 t# L; e3 g
https://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=161048&extra=&highlight=MOS%B9%DC&page=1$ c* q& W) M0 o. u+ p/ x
' e' K' ~& m  P% n3 T

点评

谢谢分享!: 5.0
你的緩啟動(Soft Start)必須大於單片機的重置(Reset)時間才能避開,現在的單片機重置(Reset)時間都很快,大部放份的狀況都不會有問題,但如果你遇到那種重置(Reset)時間需要 100ms、甚至於是 1s 的,嗯…啊  详情 回复 发表于 2019-4-28 09:32
谢谢分享!: 5
有一種被逆襲的感覺!>_<!!!  发表于 2019-4-28 09:11
1.你一开始的问题是电路功耗。所以我说你没搞清楚问题重点。 2.电路2才是常规用法,不是什么保护隔离。这个在高压和低压都可用。但是输入高于15V要在GS加稳压管。 3.缓启动不是由三极管决定的,通常做法在图二的GS  详情 回复 发表于 2019-4-26 09:06

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发表于 2019-4-28 09:32 | 只看该作者
EdisonZheng 发表于 2019-4-25 22:39# C- u5 `8 k0 W% t; y5 |2 v
我找了下论坛以前的帖子,这个是特邀版主对这个问题的回答! U8 O8 b- d$ f, B) H0 g) u( r
P 型 MOS 管當電源開關,如果沒有三極管 OC ...
电路二加了晶体管后由于结电容效应,会起到一个缓启的作用,不会有问题 3 的现象。
你的緩啟動Soft Start)必須大於單片機的重置Reset)時間才能避開,現在的單片機重置Reset)時間都很快,大部放份的狀況都不會有問題,但如果你遇到那種重置Reset)時間需要 100ms、甚至於是 1s 的,嗯…啊…呃…大家辛苦了。
! `) y$ a5 U, h- ~- ?/ Z" V% m8 _4 q
& J- [! ~1 k8 ~8 ]. t

! @6 S% I4 g& Q( G4 j, X- w

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发表于 2019-4-26 09:06 | 只看该作者
本帖最后由 huo_xing 于 2019-4-26 09:10 编辑 ! m4 r9 g% |; s: S
EdisonZheng 发表于 2019-4-25 22:39- c1 ?2 `4 ~0 E6 ~2 z+ L$ U' n& a7 l6 i
我找了下论坛以前的帖子,这个是特邀版主对这个问题的回答
- {9 r3 W; U1 o% J3 ]1 }P 型 MOS 管當電源開關,如果沒有三極管 OC ...

  [% E0 j: W& S1.你一开始的问题是电路功耗。所以我说你没搞清楚问题重点。
! X  K) M! c2 F7 l2.电路2才是常规用法,不是什么保护隔离。这个在高压和低压都可用。但是输入高于15V要在GS加稳压管。. {5 H% B3 q# y1 p  w; M& T" }, y4 r
3.缓启动不是由三极管决定的,通常做法在图二的GS电阻并电容,利用电容充电来完成。在低压应用中这个电容通常是忽略的。) C  d( `5 \4 m  B/ F6 I* H8 a) ]

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2#
发表于 2019-4-24 13:23 | 只看该作者
我觉得方案二功耗会高些吧,晶体管是电流驱动型且作开关管时需要足够电流才能开关,MOS管是电平驱动性本身输入内阻是很大的,信号电流也会小很多。

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3#
发表于 2019-4-24 14:04 | 只看该作者
我会趋向用第二种

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5#
发表于 2019-4-24 16:36 | 只看该作者
个人认为第二种

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6#
 楼主| 发表于 2019-4-24 16:55 | 只看该作者
各位大哥能否说说理由呢,为什么用第2种?4 [+ C" R: Z3 O+ x9 [0 L, |4 {
我的理解,第一种电路:导通时开关电路的额外电流3.3V/100K=33uA左右,关断时,基本无电流
9 U7 P# L9 }% z% d8 k% J0 }2 s  p                第二种电路:导通时(3.3-0.7)/10K=260uA 关断时基本无电流。不过能否把10K的限流电阻换成100K呢?
( U+ `: d; p6 w" ?+ u# t/ A

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7#
 楼主| 发表于 2019-4-24 22:12 | 只看该作者
电路1的MCU reset未完成前管脚状态不确定,系统给电的瞬间可能会造成电源短暂开启。
0 l) L$ R& N5 Q优选电路2.但电路2的功耗太大了,不知能否加大限流电阻,比如加大到100K甚至1Mohm?求指点

点评

电路2在reset未完成前,不同样会有管脚状态不确定的情况??、  详情 回复 发表于 2019-4-24 22:31
  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-19 16:55
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2019-4-24 22:31 | 只看该作者
    EdisonZheng 发表于 2019-4-24 22:12& |1 s' q. D& L1 g
    电路1的MCU reset未完成前管脚状态不确定,系统给电的瞬间可能会造成电源短暂开启。* Y( P3 d0 q& j+ V; {8 K
    优选电路2.但电路2的 ...

    , q9 Z8 u) ~$ @( p2 n电路2在reset未完成前,不同样会有管脚状态不确定的情况??、

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    参与人数 1威望 +3 收起 理由
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  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-19 16:55
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    9#
    发表于 2019-4-24 22:33 | 只看该作者
    就电路原理本身应该不存在需要分析功耗高低的情况,都很小,改改电阻值得问题。但具体到高电平控制还是低电平控制 ,就要考虑是否再加一个三极管了。

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-4-25 14:13 | 只看该作者
    本帖最后由 huo_xing 于 2019-4-25 14:19 编辑
    $ q4 o9 w1 G$ S
    # p0 F. G) k5 L3 u/ N估计你没搞清问题关键。8 j1 a; o  ?. A
    图二一般用在高压,你把图一的3.3V改成12V看还能不能工作。
    ' {- ^3 r/ e4 d5 L' i还有,这两个图纸一般用在电源控制部分,开关的时候很少。
    / a/ G) k7 R! a7 _* Q

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    我找了下论坛以前的帖子,这个是特邀版主对这个问题的回答 P 型 MOS 管當電源開關,如果沒有三極管 OC 門配合,需要注意幾件事:8 P2 G4 w, v [ [*]閘極(Gate)控制電平不得低於被控制電源,P 型 MOS 管  详情 回复 发表于 2019-4-25 22:39

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2019-4-28 15:38 | 只看该作者
    11#正解。两种电路用于不同的场景。为何图1一般不用于高压。假设电源VCC为12V,若控制端FVI_PWR为高电平(控制端一般为TTL/CMOS电平),那VCC经R27/R28后在控制端产生高电压(具体大小视控制芯片内部上拉电阻而定),超过控制端引脚正常工作范围。。
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