为什么用ADS仿真所得的晶体管的IV曲线和datasheet中给出差距很大

paprill

使用的晶体管：ATF-52189
datasheet中给出的IV曲线

, k) l5 e6 }: r: E% CADS仿真电路图：
/ Y, p$ Y) E/ z( [% o7 r2 W+ z( Z
" y: C& ]+ h2 y" [
; b3 Y2 J, `( z. P; p. {, R9 bADS仿真结果：

6 P8 Y! g1 I: ]5 a
可以看出相应的VDS所对应的IDS和datasheet中给的相差很大啊。晶体管的ADS模型我就是用的厂家所提供的。
ATF-52189_ADS.rar (119.91 KB, 下载次数: 2)

2019-4-17 11:15 上传

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9 J; n) a& D0 C  l! V8 o: b- r请大神指点，非常感谢！
$ Q  R$ J  f  x5 e8 R) g- i( a

汪洋大海

ADS 原理图的很经典。

汪洋大海

下面要检查
1、ADS 的库调用。现在不同的ads 版本对库文件的调用方式不同
$ h% o! V4 R4 u% r3 L# K3 R* \3 }0 l2、检查器件资料和仿真文件的对应关系。

abcde1234

可以尝试一下layout仿真

saladrf

abcde1234 发表于 2019-4-17 16:01
$ N, |7 ]; d& X: h: u! k可以尝试一下layout仿真

5 \2 u7 Z& l  i. g- R这个说法有问题。
+ F7 ]* h* R2 m% HV-I曲线仿真属于直流仿真。
Layout不会影响直流仿真结果。

ttlb

谢谢分享