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 为什么用ADS仿真所得的晶体管的IV曲线和datasheet中给出差距很大

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1#
发表于 2019-4-17 11:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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使用的晶体管:ATF-52189& C5 F0 R9 q, e4 W# L  s+ q
datasheet中给出的IV曲线& E0 L7 L6 l$ v

/ v+ C! D. J- ]8 k" ^0 \  P) VADS仿真电路图:
, E, O) I5 W5 Z. } ' P4 u3 _* R( S3 R
4 H2 i! G$ m- M  C, X" k
ADS仿真结果:3 v. g7 d$ z+ K' G
" S4 _/ n3 x( _. c# z# C1 N

0 p3 J. N( s% M8 u& O) t. C可以看出相应的VDS所对应的IDS和datasheet中给的相差很大啊。晶体管的ADS模型我就是用的厂家所提供的。. l+ P" d6 ~+ s9 J( `3 R
ATF-52189_ADS.rar (119.91 KB, 下载次数: 2) ( H' D! ?# F3 }: H/ ^# C2 u
请大神指点,非常感谢!
# N+ Y& B' R# @/ J3 z: i

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2#
发表于 2019-4-17 15:10 | 只看该作者
ADS 原理图的很经典。5 Y8 n) d* l$ \" @/ w1 r

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3#
发表于 2019-4-17 15:12 | 只看该作者
下面要检查
. S! x$ P8 m; U* u  r/ D' o1、ADS 的库调用。现在不同的ads 版本对库文件的调用方式不同
( m' M& [% G( v: F, X; E: Z2、检查器件资料和仿真文件的对应关系。

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4#
发表于 2019-4-17 16:01 | 只看该作者
可以尝试一下layout仿真

点评

这个说法有问题。 V-I曲线仿真属于直流仿真。 Layout不会影响直流仿真结果。  详情 回复 发表于 2019-4-17 19:48

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5#
发表于 2019-4-17 19:48 | 只看该作者
abcde1234 发表于 2019-4-17 16:01, `" J) x8 L2 p" z- w' r
可以尝试一下layout仿真
. B2 N6 {0 P3 O) z. t
这个说法有问题。' M4 ^8 P, I" m6 p- q
V-I曲线仿真属于直流仿真。: I1 d# Y1 d" c
Layout不会影响直流仿真结果。
- s& Q  {5 ~$ @9 m  S- @( b
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