转——SSD保持数据完整性：Read Retry

Allevi

转——SSD保持数据完整性：Read Retry

Intel在Flash Summit上介绍了20nm工艺下保持SSD中NAND数据完整性的方法。
/ R/ E0 Y4 A* fhttp://www.flashmemorysummit.com ... 21_TC12_Frickey.pdf
6 T8 x( w9 ]( q$ s! g5 H: W* y
) I) |' A( y3 O) r2 L; Y, _
* A  f; @$ n; y$ i9 u- J, t错误概率

• 每1016bit读出现1个错
• MTBF（平均故障时间）2百万小时
• 每年平均损坏0.44%的SSD容量
• 数据室温下平均保持1年
  0 Y- v0 A. c, U  V# W6 s2 L

NAND几种缺陷
8 v, Z* Q! A+ [& ~9 Q
如下图，只是分布图平移的可以想办法恢复，因为数据之间还是清楚隔离的。

RAID
使用多个die奇偶校验，可以挽救整个Die的报废。
8 o  c2 S7 ?. W+ [
/ m) P+ b5 F; lRead Retry

MLC的几个数据点电压分布有可能会平移，只要几个分布没有叠加就可以恢复。ReadRetry尝试用不同的参考电压来读数据，直到读出来。

# {) c! W  S1 \Advanced Read Retry
5 K9 G+ X3 N1 ]8 i" e5 T( _. [先读附近的cell确定状态，再用不同参考电压读两次要读的cell，根据附近cell数据决定选择哪一个。

用软信息读

从图中看起来，是从不同的参考电压读到几组数据后综合得到最终数据。这个需要更强大的ECC纠错能力，如LDPC。跟Viterbi译码的软判决过程有点像。

" k+ q) X3 z* l2 e6 F5 X1 D

kinidrily

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