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转——SSD保持数据完整性：Read Retry

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Allevi
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:19

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
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    1#
    发表于 2019-4-4 10:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    转——SSD保持数据完整性：Read Retry
    $ d2 }( z* C6 f7 u: s* B
    Intel在Flash Summit上介绍了20nm工艺下保持SSD中NAND数据完整性的方法。. b: k* ~8 ]: F% ~8 K
    http://www.flashmemorysummit.com ... 21_TC12_Frickey.pdf
    $ a# I7 j: x2 Y' P7 @4 S0 J! a$ n; ~0 n3 h" s: L# Q5 y$ {

    , f3 f! q8 d0 @- x错误概率 : D3 r8 a. B. W( J/ ~9 p2 a1 |
    • 每1016bit读出现1个错
    • MTBF（平均故障时间）2百万小时
    • 每年平均损坏0.44%的SSD容量
    • 数据室温下平均保持1年
      9 h9 B3 K% m; u2 v! C
    NAND几种缺陷
    * G4 G2 v: u8 ?1 L6 C6 y/ X, h- e% _" _- m
    如下图，只是分布图平移的可以想办法恢复，因为数据之间还是清楚隔离的。/ W$ m- V4 X' S* s. u- [
    # M" g# D# H  _3 k4 Y
    RAID 8 S9 F8 g( |" _
    使用多个die奇偶校验，可以挽救整个Die的报废。/ l  Z8 m& E" w4 V5 T1 X

    * g2 X- I- r1 v( I. D+ VRead Retry # ?+ v2 i0 `  v  Y4 a+ j9 B
    . _5 k( L( q' X* T
    MLC的几个数据点电压分布有可能会平移，只要几个分布没有叠加就可以恢复。ReadRetry尝试用不同的参考电压来读数据，直到读出来。  J8 j2 A3 t5 J. J5 V
    % K- r- T0 L# s  o6 F8 f$ L
    Advanced Read Retry : ~7 U: T) C3 g+ @! |8 B' i& x
    先读附近的cell确定状态，再用不同参考电压读两次要读的cell，根据附近cell数据决定选择哪一个。# l5 o7 x2 ^  z% `
    5 ?  h+ A% |3 H# W5 j6 b
    用软信息读
    / u* \8 C6 |; l5 y& @% i2 ]" X( M. D. j8 ?* Z( O& W
    从图中看起来，是从不同的参考电压读到几组数据后综合得到最终数据。这个需要更强大的ECC纠错能力，如LDPC。跟Viterbi译码的软判决过程有点像。/ V) O! N: P: k0 Y% x  d. P
    6 v8 D- g  B& Q

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