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本帖最后由 jacky401 于 2019-4-2 18:45 编辑 5 M7 o( [1 e! i5 u" I
+ V1 h- C$ e2 ? S* M K华为硬件技术工程师面试机考试题及答案 . 一、是非题 [8x4] 1、（ ）DRAM 上电时存储单元的内容是全0，而 Flash 上电时存储单元的内容是全1。 2、（ ）眼图可以用来分析高速信号的码间干扰、抖动、噪声和衰减。 3、（ ）以太网交换机将冲突域限制在每个端口，提高了网络性能。 4、（ ）放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。 5、（ ）1 的 8 位二进制补码是 0000_0001,-1的 8 位二进制补码是 1111_1111 。 6、（ ）洗衣机，电冰箱等家用电器都使用三孔插座， 是因为如果不接地， 家用电器是不能工作的。 7、（ ）十进制数据 0x5a 与 0xa5 的同或运算结果为： 0x00。 8、（ ）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。 . 二、单选题 [17x4] 1、一空气平行板电容器， 两级间距为 d，充电后板间电压为 u。然后将电源断开，在平板间平行插入一厚度为 d/3 的金属板。 此时电容器原板间电压变为 A.U/3 B.2U/3 C.3U/4 D.不变
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2、8086CPU 内部包括哪些单元 A.ALU,EU B.ALU,BIU C.EU,BIU D.ALU,EU,BIU
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3、为了避免 50Hz 的电网电压干扰放大器，应该用那种滤波器： A.带阻滤波器 B.带通滤波器 C.低通滤波器 D.高通滤波器 1 G# l+ C) E3 ]$ Q
4、关于 SRAM 和 DRAM，下面说话正确的是： A.SRAM 需要定时刷新，否则数据会丢失； B.DRAM 使用内部电容来保存信息； C.SRAM的集成度高于 DRAM； D.只要不掉电， DRAM 内的数据不会丢失；
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5、在 RS232串口中， 采用哪一种校验方式： A.CRC校验 B.海明码校验 C.多种校验方式的组合 D.奇偶校验
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6、对于 D 触发器来说， 为了保证可靠的采样， 数据必须在时钟信号的上升沿到来之前继续稳定一段时间，这个时间称为 A.保持时间 B.恢复时间 C.稳定时间 D.建立时间
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7、本征半导体中加入（）元素可形成N 型半导体 A.五价 B.四价 C.三价 D.二价 6 Q. p* b. w1 G1 v: s. B: p
8、模拟信号数字化的过程是 A.采样 ->量化 ->编码 B.采样 ->编码 ->量化 C.编码 ->采样 ->量化 D.量化 ->编码 ->采样
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9、在 Buck 电路中，不能起到减小纹波作用的措施是 A.采用多项并联的模式； B.开关管内置，提高电源的开关频率； C.输出滤波电容由陶瓷电容改为容量电解电容； D.增大输出滤波电感量。 8 |: J, n' d' ^3 }& D0 f0 K
10、图示电路中 a、 b 端的等效电阻 Rab在开关 K 打开与闭合时分别为： A.10 Ω， 8Ω B.8 Ω， 10Ω C.10 Ω， 10Ω D.10 Ω， 16Ω $ _' r3 \) ~2 T p1 ^, W) y
11、关于 PCI总线的描述，错误的是 A.PCI 总线是一个 16 位宽的总线； B.PCI的地址线与数据线是复用的； C.PCI 是一种独立于处理器的总线标准，可以支持多种处理器； D.PCI支持即插即用功能总线宽度为 32/64 位。 + e% K% u/ v" R9 b: Z
12、中继器、以太网交换机、路由器分别工作在 OSI模型的哪位层次上： A.物理层、链路层、网络层 B.物理层、网络层、链路层 C.物理层、链路层、传输层 D.链路层、链路层、网络层
H" _. p: k4 e8 u8 z: j
13、某电路，对100KHz 以下低频信号干扰敏感，为减少干扰，应采用（）滤波器。 A.高通 B.低通 C.带阻 D.带通
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14、捕捉毛刺用最佳触发方式（）进行触发 A.Width B.Edge C.Glitch D.State
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15、以下哪种信号异常能用逻辑分析仪测试： A.信号占空比超标 B.信号上升缓慢 C.6 个信号的异常组合 D.信号抖动过大
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16、8421 码 10010111 表示的十进制数是： A.98 B.151 C.97 D.227 / [7 Y$ N* @+ _) v U
17、晶体管能够放大的外部条件是： A.发射结反偏，集电结正偏 B.发射结正偏，集电结正偏 C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结正偏，集电结反偏
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答案与解析 . 一、是非题 [8x4] 1、（N）【解析】FLASH可保存 2、（N） 3、（Y） 4、（N） 5、（Y） 6、（N） 7、（Y） 8、（Y） . 二、单选题 [17x4] 1、B.2U/3 【解析】 电容的大小不是由Q（带电量）或 U（电压）决定的，即：C=εS/4πkd。（ε是一个常数， S 为电容极板的正对面积， d 为电容极板的距离， k 则是静电力常量。）而常见的平行板电容器电容为 C=εS/d. （ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积， d 为极板间的距离。）电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2。
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发表于 2019-4-1 22:13
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发表于 2019-4-8 16:33
