AO3414相关技术资料

Cinderella0922

AO3414相关技术资料

! m! ~4 C" \1 y* `3 ?. v, t7 o+ a' l一般说明
# i. C+ _* j; f4 ^2 E7 N" c1 B" T       AO3414采用先进的沟槽技术，可提供出色的Rsro，低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3414不含铅。
. G4 @6 G9 G/ r0 }: q& p9 F8 N
. q8 c+ {0 B1 {4 ]4 X+ i1 ]特征
Vos(V)=20V I0=4.2A(Ves=4.5V)
2 ~' P! k6 I8 \5 u- i! z+ J2 rRos(on)<50m2(4s=4.5V)
6 s! r  I) L2 h8 R2 QRosco)<63m2(4s=2.5V)
' y& ]7 B& E% Z, T  |5 RRos(onN)<87mQ(4s=1.8)
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! R% f9 }/ N  b! r6 G注释：
A. 的值是在安装在1 In2 FR-4板上的设备上测量的，含2oz。铜，在TA-25 * C的空气环境中。任何glven应用程序中的值取决于用户的特定电路板设计。额定电流基于t≤10s的热阻额定值。
B. 重复额定值，脉冲宽度受结温限制。
, e+ j# h# o! G* M4 N/ n/ X% W5 f, VC. R ua是从结到引导R au的热失效的总和并导致amblent。
3 d* g& ^9 R- V( c9 U+ l+ eD. 使用-300 us脉冲，占空比最大0.5％，可以看出图1至图6中的稳态特性。
E. 这些测试与安装在2FR-4板上的装置2oz相关。铜，在Ta = 25℃的环境中。 SOA曲线提供单脉冲额定值。