AO3414相关技术资料

Cinderella0922

AO3414相关技术资料

" ?! `# N" [, C/ Y: s4 ?7 x6 F  v一般说明
+ z( p, B/ ^! k5 E7 N# m: k1 g       AO3414采用先进的沟槽技术，可提供出色的Rsro，低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3414不含铅。
" F" E! @& Z7 k3 h# U3 \9 o2 B
特征
2 c/ Y0 C3 ~- F' yVos(V)=20V I0=4.2A(Ves=4.5V)
Ros(on)<50m2(4s=4.5V)
. i8 p& v' H" m/ r/ K" jRosco)<63m2(4s=2.5V)
3 t* V/ h7 {/ K8 tRos(onN)<87mQ(4s=1.8)
% b1 v/ b3 B$ `9 f# B+ D% \
注释：
A. 的值是在安装在1 In2 FR-4板上的设备上测量的，含2oz。铜，在TA-25 * C的空气环境中。任何glven应用程序中的值取决于用户的特定电路板设计。额定电流基于t≤10s的热阻额定值。
7 L0 F8 l. X; [! T  j9 v; [B. 重复额定值，脉冲宽度受结温限制。
C. R ua是从结到引导R au的热失效的总和并导致amblent。
D. 使用-300 us脉冲，占空比最大0.5％，可以看出图1至图6中的稳态特性。
E. 这些测试与安装在2FR-4板上的装置2oz相关。铜，在Ta = 25℃的环境中。 SOA曲线提供单脉冲额定值。