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2N7002K-T1-GE3规格参数介绍
6 L* ~' F) K6 O+ c: d8 B
* D8 i0 h' S& F! {属性6 K$ B9 I! q9 j! d6 `- N# }& S G5 [
制造商: Vishay ) [' O1 J. d7 w1 L3 c( T
产品种类: MOSFET
. S! } Q* O) T* Y$ Y: pRoHS: 详细信息
5 r1 Z& g& f! \; k$ k: G技术: Si ! E$ u1 D/ b6 X' [4 r: `
安装风格: SMD/SMT
% ]4 I# a2 r* H5 t6 e/ K3 G封装 / 箱体: SOT-23-3 % o m) a, v2 `- P& J; i
通道数量: 1 Channel
1 {) X! g) u8 p; R晶体管极性: N-Channel
: c5 K/ a! K! }# x9 Q% D( QVds-漏源极击穿电压: 60 V
; f( L- o$ c/ CId-连续漏极电流: 300 mA $ Q6 |& R/ \# F
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
; \% ^" h7 {/ A6 h1 E aVgs th-栅源极阈值电压: 1 V 1 q$ a* c- ~, X6 \$ m
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V ' V8 i% C% {; y& `
Qg-栅极电荷: 0.4 nC 1 [ ]9 w, M* v* \& c4 p" ]0 a& g+ R
最小工作温度: - 55 C
* P- K* s. C1 Z; O" d最大工作温度: + 150 C }4 }/ x5 }! v) b* F' C
Pd-功率耗散: 0.35 W + X; o! w9 p. o" e/ d5 u$ C
配置: Single % s# i1 t# m3 z
通道模式: Enhancement / A$ J" K, Z- Y3 O! y1 w G3 L" p
封装: Cut Tape 0 z8 Y R" r8 X J o. m4 j1 h) ~
封装: MouseReel ! k, M$ L: @& H6 W9 ]3 P6 N B
封装: Reel
+ [% F' \; R0 \# K* L+ M' W高度: 1.45 mm
; d' g% U* e0 s4 s4 [长度: 2.9 mm 0 t. M- E5 T8 M& P" U
系列: 2N7002K
" v1 V' q' R% x/ B. s, P0 C# U晶体管类型: 1 N-Channel
3 z) y8 R2 E, L* [% O) f宽度: 1.6 mm 7 u0 t; d M' o" {' V- ^6 [/ ~; P
商标: Vishay / Siliconix
- V5 s$ h" I- g2 n& R3 W5 p6 U正向跨导 - 最小值: 100 mS 5 S2 R( x; {$ x. g+ I" T F! ~* B# [( ~
CNHTS: 8541210000
) I4 l4 H' \4 G: `' ~/ w7 {2 hHTS Code: 8541210095 ; c! R! b2 A# n& u# O
MXHTS: 85412101 ' [ i) w! ^0 p
产品类型: MOSFET + W& V) h6 e1 v0 r. _) F+ [
工厂包装数量: 3000
* P5 h: s+ |/ G" g [7 @子类别: MOSFETs
1 ^' E, [, y& `3 ?4 f0 G3 R) ?' @TARIC: 8541210000 ! H. j# E9 A+ E: p
典型关闭延迟时间: 35 ns # p" y. i+ Y) A( P; h# b+ p
典型接通延迟时间: 25 ns
6 r7 a$ R, O, x* Q! @$ W零件号别名: 2N7002K-GE3 + U2 T6 ]" r9 f* ]7 P% ~
单位重量: 8 mg
) E+ ^) ?4 U g1 G; t! J5 ]6 g
9 Q6 \7 Q0 n9 v- |, l# L9 |& c' B |
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发表于 2019-3-8 14:23
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