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2N7002K-T1-GE3规格参数介绍, F% h+ d% _, e/ ?* q
5 F" ]! I) w- Z8 f5 l# k属性
' k' K ?2 d/ I7 K5 ?, w% z% R制造商: Vishay & r e: Z, {- |* O% z1 m
产品种类: MOSFET
9 H/ X/ ]3 I7 h, m" HRoHS: 详细信息
1 ]; d) n# R/ v. H+ y2 C# [* A# @技术: Si " M- T% T$ \; y9 x. b7 N% Z
安装风格: SMD/SMT
" T; h5 ~9 ~9 m' {7 u, J封装 / 箱体: SOT-23-3 2 _/ Q, G1 i9 }5 t/ b( W
通道数量: 1 Channel : c. V3 `9 y: }; C J
晶体管极性: N-Channel
) U/ U6 u) l0 Y* q6 I6 pVds-漏源极击穿电压: 60 V # v9 n ]/ l6 T0 L+ Y* q; s
Id-连续漏极电流: 300 mA g) J5 C, U& B- k0 `8 _* |" H
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
% m6 n5 U! c& q, Z e$ @Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
' V& J6 r1 x1 Y0 z8 l, {Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
, [- B! `( t5 y9 {: X6 @Qg-栅极电荷: 0.4 nC
: ^+ K' s& M4 q最小工作温度: - 55 C 6 S" `" G* i3 Q! a
最大工作温度: + 150 C 4 {& V6 q' B5 j1 e g# x0 h
Pd-功率耗散: 0.35 W h- @/ e5 \0 r& y8 I8 f# h$ S* K
配置: Single . o" f. |4 l) k! \7 T" D! J% X
通道模式: Enhancement
6 M9 c6 B: U& V) b$ i) w' K! F$ j封装: Cut Tape
0 j! r w; f$ B" U4 S. m: i( o8 S封装: MouseReel
6 U8 [% }! L7 |- e$ \封装: Reel
- O1 x% T3 [5 K3 R/ s6 {, B) `. t# K高度: 1.45 mm 1 r! @" ]6 z( G Y. ]3 y
长度: 2.9 mm
6 S+ Q- ~/ o8 r. i系列: 2N7002K % a" `/ r+ u7 R% P
晶体管类型: 1 N-Channel
: T' c2 t) `# L7 H宽度: 1.6 mm
" P( X% Z3 G8 ~% o* m商标: Vishay / Siliconix ; w) O ]$ O, k; o" e5 H2 M) K
正向跨导 - 最小值: 100 mS
- F; O g9 p p: O8 R, {CNHTS: 8541210000 9 t8 [ Y3 }6 X0 _, |
HTS Code: 8541210095
; r& ?5 n6 ]4 D3 B q8 zMXHTS: 85412101
5 A6 g0 G' D$ Z产品类型: MOSFET
& L( s N( ^1 _7 B工厂包装数量: 3000
* \- {$ H: Z& R' V子类别: MOSFETs 7 }/ P) ~$ O, M. I! _- t8 e- s
TARIC: 8541210000
6 ~' W: l2 u1 c典型关闭延迟时间: 35 ns ! R; w6 I- {8 d8 b O# X
典型接通延迟时间: 25 ns n: r# }8 Q) H2 E* J
零件号别名: 2N7002K-GE3
) q+ K# }4 F) S1 c0 e单位重量: 8 mg
6 R& f; R9 c& {# H- H" F1 L. G/ e9 b9 ^5 O G
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发表于 2019-3-8 14:23
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