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STN3NF06L详细规格
( x2 n* a7 W5 Q
- ?( P# B: |, \8 I, z: o; {" c7 T& c/ W
! M. R4 ~7 L: [% x: R4 F4 [8 b4 c( {0 O( a3 p# S+ t& N/ B
: k3 C; W) q7 C9 T8 D9 Z9 ?3 p类别：FET - 单
8 Q: _. O# S4 C2 J& J描述：MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 6 U! m. A# L1 c( U8 |3 D
系列：STripFET? % }7 I8 Y% n8 g+ c
制造商：STMICroelectronics & o$ r' B% y( O' ^6 ~
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
, ]# \$ ^) x# ?; C! g0 D8 m4 sFET特点：逻辑电平门 1 U5 J8 i( _5 D0 M& ?
漏极至源极电压333Vdss444：60V
% r4 z+ o4 |: o& S6 y u7 ^电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A : d+ X, x% J3 D8 c2 g
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.5A，10VId时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250?A闸电荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V
3 H( q+ ?- B' x S1 d1 v( U输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V 5 Q' U. b0 \" ]& p* ?0 Q
功率_最大：3.3W 3 R, D! u- s8 K6 j: c# e
安装类型：表面贴装
- m0 O O2 G. g: J: U封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA ' t L% J$ C$ J8 u1 x4 Q9 V
供应商设备封装：SOT-223
! y% C6 i$ M' |% D包装：Digi-Reel
3 C5 t. {2 Y+ ^; G典型的RDS（ON）＝0.07 2 2 S1 T# Y6 \6 `5 t
特殊DV/dt能力 Avar锚固结技术 100%阿瓦尔锚试验 低阈值驱动
# S a1 T/ t9 F+ {9 R0 V描述 7 ?( \* _, W7 e" M; v
这种功率MOSFET是STMicroelectronis独特的“单特征尺寸TM”条带工艺的最新发展。所得到的晶体管表现出极高的封装密度，用于低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的临界对准步骤，因此具有显著的制造再现性。
; o7 m, e- [# C8 D0 }应用
; T: Y; x1 w. _, \7 y) W. {8DC-DC和DC-AC转换器 - o+ p7 n% [, d& H. [& I% ? f
直流电机控制（磁盘驱动器等）
7 ~0 g/ C" i( x同步整流 |
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发表于 2019-3-1 10:13
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