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单片机片内存储器烧写(ROM编程)

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发表于 2019-2-25 13:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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单片机片内存储器烧写(ROM编程)
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单片机应用系统由硬件和软件组成,软件的载体是硬件的程序存储器,程序存储器采用只读存储器,这种存储器在电源关闭后,仍能保存程序,在系统上电后,CPU可取出这些指令重新执行。只读存储器(Read Only Memory,ROM)中的信息一旦写入,就不能随意更改,特别是不能在程序运行过程中写入新的内容,

故称只读存储器。向ROM中写入信息称为ROM编程。根据编程方式不同,

掩模ROM.

在制造过程中编程,是以掩模工艺实现的,因此称为掩模ROM。这种芯片存储结构简单,集成度高,但是由于掩模工艺成本较高,只适合于大批量生产。

可编程ROM(PROM).

芯片出厂时没有任何程序信息,用独立的编程器写入。但是PROM只能写一次,写入内容后,就不能再修改。

EPROM.

用紫外线擦除,用电信号编程。在芯片外壳的中间位置有一个圆形窗口,对该窗口照射紫外线就可擦除原有的信息,使用编程器可将调试完毕的程序写入。

E2PROM(EEPROM).

用电信号擦除,用电信号编程。对E2PROM的读写操作与RAM存储器几乎没什么差别,只是写入速度慢一些,但断电后仍能保存信息。

Flash ROM.

闪速存储器(简称闪存),是在EPROM和E2PROM的基础上发展起来的一种电擦除型只读存储器。特点是可快速在线修改其存储单元中的数据,改写次数达一万次(ROM都有改写次数),读写速度快,存取时间可达70ns,而成本比E2PROM低得多,因此正逐步取代E2PROM。

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该用户从未签到

2#
发表于 2019-2-25 17:03 | 只看该作者
研究一下,谢谢楼主分享
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